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霍尔传感器电机 电机霍尔 电机霍尔
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1.霍尔传感器实物图 2恒171B0m 霍尔转速传感器 霍尔电流传感器 霍尔电流变送器 电机霍尔开关A3144 霍尔接近开关 NPN PNP型 霍尔传感器 www.hi1718.com 霍尔效应传感器
1. 霍尔传感器实物图 霍尔转速传感器 霍尔电流传感器 霍尔电流变送器 霍尔效应传感器 霍尔接近开关 NPN PNP型 霍尔传感器 电机霍尔开关A3144
2霍尔传感器工作原理 2.1工作原理 ●半导体薄片置于磁场中，当它的电流方 向与磁场方向不一致时，半导体薄片上 平行于电流和磁场方向的两个面之间产 生电动势，这种现象称：霍尔效应。 产生的电动势称：霍尔电势 此半导体薄片称：霍尔元件 返同 上一页 下一页
2 霍尔传感器工作原理 2.1 工作原理 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方 向与磁场方向不一致时，半导体薄片上 平行于电流和磁场方向的两个面之间产 生电动势，这种现象称：霍尔效应。 产生的电动势称：霍尔电势 此半导体薄片称：霍尔元件 返 回 上一页 下一页
霍尔效应原理及霍尔电场建立 B 图91霍尔效应原理图 IB UH =RH d 返回 上一页 下一页
霍尔效应原理及霍尔电场建立 d IB UH RH = 返 回 上一页 下一页 + + + + + + + + B M gC r2 O4 － Ti O2 湿 敏 I FE L UH l d υ 图 9-1 霍尔效应原理图 FL
载流子受洛仑兹力 F=eUB 霍尔电场强度 EH U以 b 平衡状态 =evB 因为 I=nbdve 电子运动平均速度 bdne 返同 上一页 下一页
F = eB b U E H H = eEH = evB 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 EH = vB bdne I 电子运动平均速度 v = 返 回 上一页 下一页 因为 I = nbdve
霍尔电势 1 IB UH ne d
d IB ne UH = 1 霍尔电势
霍尔常数 ne 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值，霍尔元件制成薄片形状。 UH =KH BI KH- Rn_ 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） d ned 由于半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁 移室高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件 返回 上一页 下一页
霍尔常数 ne RH 1 = 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d 成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 U K BI H = H d ned R K H H 1 = = 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 由于半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁 移率高，因此N 型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件. 返 回 上一页 下一页
2.2霍尔元件的结构和基本电 路 (c)霍尔电极位置 (a)外形结构示意图 (b)图形符号 (d)基本测量电路 1-1电流控制端，2-2霍尔电势输出端 霍尔元件 返回 上一页 下一页
2.2 霍尔元件的结构和基本电 路 1-1’电流控制端， 2-2’霍尔电势输出端 霍尔元件 返 回 上一页 下一页
图(a)中，从矩形薄片半导体基片上的两个 相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1 1电极用于加控制电流，称控制电极。另一对 2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出 极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封 装作为外壳。 0 图(b)是霍尔元件通用的图形符号。 图(c)所示，霍尔电极在基片上的位置及它 的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电 极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的 长度。 。图(d)是基本测量电路
⚫ 图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个 相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1- 1电极用于加控制电流，称控制电极。另一对 2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出 极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封 装作为外壳。 ⚫ 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 ⚫ 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它 的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电 极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的 长度。 ⚫ 图（d）是基本测量电路