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中国科学院物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展

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物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展--中国科学院 2014年4月14日星期一 English|繁体|Rss|网站地图|收藏|邮箱|联系我们 ③中周緝院 希望中国科等院不画出创新应果、出创新人刁、出创新思翹,率先实现科学技跨趣友展 如mdma3率先建康国家创新人刁高1,率先建成国冢高水平科技智库,率先建设国际一流科研韵 高级 习近平总书记2013年7月17日在中国科学院考察亚作时的讲话 首页新闻机构科研院士人才教育合作交流科学普及出版信息公开专题访谈视频会议党建文化 全您现在的位置:首页>科研>科研进展 物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展 013- 拓扑绝缘体是近年来凝聚态物理的研究热点之一,它作为物质的一种新的量子态,与普通绝缘体一样能谱具有 体能隙,但表面态却是金属性的。这种金属性受到时间反演不变性的保护,与表面的具体形貌无关,只和全局拓扑 属性相关。人们相继在Bi2Se3、Biae3、Sb2Te3理论预期和实验验证了3维拓扑态的存在。与拓扑绝缘体类似的还有 拓扑超导体,这类材料的块材与普通超导体一样具有超导配对能隙,但在表面上可能存在一类新的准粒 子 Majorana费米子,它相当于 Dirac费米子的“一半”,它的反粒子即它本身,这一类准粒子所遵循的非Abel属性可 用于量子计算中。 最早关于拓扑超导体的实验研究来自于向拓扑绝缘体材料Bi2Se3的层间掺入Cu,诱导产生超导电性。随后,中 科院物理所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)极端条件物理重点实验室靳常青研究组和凝聚态理论与材料计算实验 方忠研究组密切合作,应用综合高压在位实验条件,在非掺杂的拓扑绝缘体材料Bi2Te3的常压结构相中诱导出了 超导电性,这个结果开启了运用物理手段研究拓扑超导体的另一条途径。【Proc.№ atl acad.Sci.(PMAS 24(2010)】 近,靳常青研究组对拓扑绝缘体材料Sb2Te3的结构、电学性质及拓扑性质随压力的演化进行了系统的研究 博士研究生朱洁、张俊良、孔盼盼等的实验结果表明,Sb2Te3在4GPa以上就出现超导电性:相应结构实验表明,第 一个高压结构相变的压力点在12.9Pa以上,所以Sb2Te3的常压相结构中就存在超导电性。不同压力的霍尔电压结果 测量表明,在7.5GPa存在一个电子结构相变,载流子从p型变为n型。和方忠研究组合作,根据理论计算结 果,Sb2Ie3在6.9Pa高压下能带仍然具有稳定的 Dirac圆锥结构,表明在7.5GPa以下压力的超导性与拓扑性相关。假 设体态在高压下的超导为S波超导体,近邻效应将使拓扑绝缘体的表面态变为超导的表面态,表面态的这种超导电性 和轮廓分明的 Dirac圆锥可能与p+ip波函数对称性拓扑相关。 这一研究结果发表在6月的 Scientific Reports【 Scientific Reports3:2016(2013)】上。 本工作得到科技部重大科学研究计划、基金委重大国际合作和重大研究计划的资助 300 6 (m-3m superconducting states 图1Sb2Te3单晶在高压的超导相图 htp/ww. cas.ac cn/ky/kyjz/201308/20130826-3918664shtm12014-4-1416:20021

物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展----中国科学院 http://www.cas.ac.cn/ky/kyjz/201308/t20130826_3918664.shtml[2014-4-14 16:20:02] 2014年4月14日 星期一 English | 繁体 | RSS | 网站地图 | 收藏 | 邮箱 | 联系我们 首页 新闻 机构 科研 院士 人才 教育 合作交流 科学普及 出版 信息公开 专题 访谈 视频 会议 党建 文化 您现在的位置: 首页 > 科研 > 科研进展 物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展 文章来源:物理研究所 发布时间:2013-08-22 【字号: 小 中 大 】 拓扑绝缘体是近年来凝聚态物理的研究热点之一,它作为物质的一种新的量子态,与普通绝缘体一样能谱具有 体能隙,但表面态却是金属性的。这种金属性受到时间反演不变性的保护,与表面的具体形貌无关,只和全局拓扑 属性相关。人们相继在Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3理论预期和实验验证了3维拓扑态的存在。与拓扑绝缘体类似的还有 拓扑超导体,这类材料的块材与普通超导体一样具有超导配对能隙,但在表面上可能存在一类新的准粒 子Majorana费米子,它相当于Dirac费米子的“一半”,它的反粒子即它本身,这一类准粒子所遵循的非Abel属性可 用于量子计算中。 最早关于拓扑超导体的实验研究来自于向拓扑绝缘体材料Bi2Se3的层间掺入Cu,诱导产生超导电性。随后,中 科院物理所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)极端条件物理重点实验室靳常青研究组和凝聚态理论与材料计算实验 室方忠研究组密切合作,应用综合高压在位实验条件,在非掺杂的拓扑绝缘体材料Bi2Te3的常压结构相中诱导出了 超导电性,这个结果开启了运用物理手段研究拓扑超导体的另一条途径。【Proc. Natl Acad. Sci. (PNAS) 108, 24 (2010) 】 最近,靳常青研究组对拓扑绝缘体材料Sb2Te3的结构、电学性质及拓扑性质随压力的演化进行了系统的研究, 博士研究生朱洁、张俊良、孔盼盼等的实验结果表明,Sb2Te3在4GPa以上就出现超导电性;相应结构实验表明,第 一个高压结构相变的压力点在12.9GPa以上,所以Sb2Te3的常压相结构中就存在超导电性。不同压力的霍尔电压结果 测量表明,在7.5GPa存在一个电子结构相变,载流子从p型变为n型。和方忠研究组合作,根据理论计算结 果,Sb2Te3在6.9GPa高压下能带仍然具有稳定的Dirac圆锥结构,表明在7.5GPa以下压力的超导性与拓扑性相关。假 设体态在高压下的超导为S波超导体,近邻效应将使拓扑绝缘体的表面态变为超导的表面态,表面态的这种超导电性 和轮廓分明的Dirac圆锥可能与p+ip波函数对称性拓扑相关。 这一研究结果发表在6月的Scientific Reports【Scientific Reports 3 : 2016(2013)】上。 本工作得到科技部重大科学研究计划、基金委重大国际合作和重大研究计划的资助。 图1 Sb2Te3单晶在高压的超导相图

物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展--中国科学院 (a)0 GPa (b)6.9 GPa LL ()0 GPa (d)6.9 GPa 0.1 M K 图2Sb2Te3在0GPa(左侧)和6.9GPa(右侧)压力下的体能带(上图)和11表面态(下图) Pressure-induced superconductivity in topological parent compound BigTe Superconductivity in TopologicaLInsulator Sb2Te3 Induced by Pressure c1996-2014中国科学院版权所有京ICP备05002857号京公网安备11040250047号可信网站身份验证联系我们 地址:北京市三里河路52号邮编:100864 htp/ww. cas.ac cn/ky/kyjz/201308/20130826-3918664shtm12014-4-1416:20021

物理所高压调控的拓扑绝缘体和拓扑超导体研究获进展----中国科学院 http://www.cas.ac.cn/ky/kyjz/201308/t20130826_3918664.shtml[2014-4-14 16:20:02] 图2 Sb2Te3在0GPa(左侧)和6.9GPa(右侧)压力下的体能带(上图)和111表面态(下图) Pressure-induced superconductivity in topological parent compound Bi2Te3 Superconductivity in Topological Insulator Sb2Te3 Induced by Pressure 打印本页 关闭本页 © 1996 - 2014 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号 京公网安备110402500047号 联系我们 地址:北京市三里河路52号 邮编:100864

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