第九章 (一)基本原理 principles 一、 X射线光 (二)X射线光电子能谱分 谱与电子能谱 析 X-ray photoelectron spectroscopy 分析法 （三)紫外光电子能谱分析 ultraviolet photoelectron spectroscopy X-ray spectrometry and (四)Auger电子能谱 electron spectroscopy Auger photoelectron spectroscopy (五)电子能谱仪 electron spectroscopy 下一页 00:3939
00:39:39 第九章 一、X射线光 谱与电子能谱 分析法 （一）基本原理 principles （二）X射线光电子能谱分 析 X-ray photoelectron spectroscopy （三）紫外光电子能谱分析 ultraviolet photoelectron spectroscopy （四）Auger电子能谱 Auger photoelectron spectroscopy （五）电子能谱仪 electron spectroscopy X-ray spectrometry and electron spectroscopy
(一)基本原理 principles 电子能谱法：光致电离： A+hv-→A+*+e 紫外（真空）光电子能谱 X射线光电子能谱 Auger电子能谱 单色X射线也可激发多种核内电子或不同能级上的电子， 产生由一系列峰组成的电子能谱图，每个峰对应于一个原子 能级(s、p、d、f); 00:3939
00:39:39 （一）基本原理 （一）基本原理 （一）基本原理 principles 电子能谱法：光致电离； A + hν→ A+* + e hν 紫外(真空)光电子能谱 hν X射线光电子能谱 hν Auger电子能谱 单色X射线也可激发多种核内电子或不同能级上的电子， 产生由一系列峰组成的电子能谱图，每个峰对应于一个原子 能级（s、p、d、f）；
光电离几率和电子逃逸深度 自由电子产生过程的能量关系： hv=E+Ek+E≈E,+E E,:电子电离能（结合能）：E:电子的动能；E:反冲动能 光电离几率（光电离截面σ）：一定能量的光子在与原子作用 时，从某个能级激发出一个电子的几率； σ与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关： 轻原子：01s/02s≈20 重原子：同壳层σ随原子序数的增加而增大； 电子逃逸深度：逸出电子的非弹性散射平均自由程： :金属0.5~2nm;氧化物1.5~4nm;有机和高分子4~10nm; 通常：取样深度d=3入；表面无损分析技术； 00:39:39
00:39:39 光电离几率和电子逃逸深度 自由电子产生过程的能量关系： hν = Eb+ Ek+ Er≈ Eb+ Ek Eb：电子电离能(结合能)； Ek：电子的动能； Er ：反冲动能 光电离几率(光电离截面σ)：一定能量的光子在与原子作用 时，从某个能级激发出一个电子的几率； σ与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关； 轻原子： σ 1s / σ 2 s ≈20 重原子： 同壳层σ 随原子序数的增加而增大； 电子逃逸深度λ：逸出电子的非弹性散射平均自由程； λ：金属0.5~2nm；氧化物1.5~4nm ；有机和高分子4~10nm ； 通常：取样深度 d = 3λ ；表面无损分析技术；
电子结合能 原子在光电离前后状态的能量差： E=E2-E 气态试样：E,=真空能级-电子能级差 固态试样：（选Fermi能级为参比能级） Eb=hv-中a-Ek'≈hN-更p-E Fermi能级：OK固体能带中充满电子的最高能级； 功函数：电子由Fermi能级→自由能级的能量； 每台仪器的中，固定，与试样无关，约3~4eV;Ek可由实 验测出，故计算出E后确定试样元素，定性基础。 00:39:39
00:39:39 电子结合能 原子在光电离前后状态的能量差： Eb= E2 – E1 气态试样： Eb=真空能级 – 电子能级差 固态试样：(选Fermi能级为参比能级) Eb= hν –Φsa – Ek' ≈ hν –Φsp – Ek Fermi能级：0K固体能带中充满电子的最高能级； 功函数：电子由Fermi能级→自由能级的能量； 每台仪器的Φsp固定，与试样无关，约3 ~ 4eV；Ek可由实 验测出，故计算出Eb 后确定试样元素，定性基础
E m一激发光子能量 E电子结合能 。一样品的功函数 导带 s? 中。一谱仪材料的功函数 E一样品发射电子的动能 E,一谱仪测量的电子动能 价带 E,一反冲能量 E一自由电子能级 Ep一Fermit能级 内壳层能级 图 光电过程的能量关系示意图 00:39:39
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元素的电子结合能(E,/eV) 电子结合能 lsu2 2s1W22pW22p3/2 3s123pv23p3/2 K L MI Ma Ma 1-H 14 2-He 25 3-Li 55 4-Be 111 17117717171717 5-B 188 6-C 284 7-N 399 9 8-0 532 24 > 9-F 686 31 9 10-Ne 867 45 18 11-Na 1072 63 21 1 12-Mg 1305 89 52 2 13-A1 1560 118 74 73 1 14-Si 1839 149 100 99 8 3 15-P 2149 189 136 135 16 10 00:39:39
00:39:39 电子结合能
(二)X射线光电子能谱分析 Cu L X-ray photoelectron spectroscopy Cu K 400 300 光电子的能量分布曲线：采用特定元 素某一X光谱线作为入射光，实验测定的待 E 图 铜的X射线光电子能谱 测元素激发出一系列具有不同结合能的电 MoKa线激发 子能谱图，即元素的特征谱峰群； s00 谱峰：不同轨道上电子的结合能或电 40 子动能： 200 100 g 伴峰：X射线特征峰、Auger峰、多重 E 态分裂峰。 图 银的X射线光电子能谱 MoKa线激发 00:39:39
00:39:39 （二）X射线光电子能谱分析法 射线光电子能谱分析法 射线光电子能谱分析法 X-ray photoelectron spectroscopy 光电子的能量分布曲线：采用特定元 素某一X光谱线作为入射光，实验测定的待 测元素激发出一系列具有不同结合能的电 子能谱图，即元素的特征谱峰群； 谱峰：不同轨道上电子的结合能或电 子动能； 伴峰：X射线特征峰、Auger峰、多重 态分裂峰
1.谱峰出现规律 (1)主量子数n小的峰比n大的峰强； (2)n相同，角量子 数L大的峰比L小的 Ag 3d Ag MNN .0) 3/25/2 峰强； (3)内量子数J大的 Ag3p Ag 3s d 峰比L小的峰强； Ag 4d Ag 4p (J=L±S;自旋 300 4005006007008009001000110012001300 裂分峰) Ex/eV 图Ag片的X射线光电子能谱(MgKa:激发源) 00:39:39
00:39:39 1.谱峰出现规律 (1)主量子数n小的峰比n大的峰强； (2)n相同，角量子 数L大的峰比L小的 峰强； (3)内量子数J大的 峰比L小的峰强； ( J = L±S ；自旋 裂分峰)
2.谱峰的物理位移和化学位移 物理位移：固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移 化学位移：原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移 产生原因： (1)价态改变：内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子 的屏蔽作用；电子结合能位移△E,； BeF2 BeO Be 结合能随氧化态增高而增加， 化学位移增大；为什么？ (2)电负性：三氟乙酸乙酯中碳 元素的 6 420 △E/eV 图 Be,BeO.BefF中Be的ls 电子光电子谱线的位移 00:39:39
00:39:39 2. 谱峰的物理位移和化学位移 物理位移：固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移 化学位移：原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移 产生原因： (1)价态改变：内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子 的屏蔽作用；电子结合能位移ΔEb； 结合能随氧化态增高而增加， 化学位移增大；为什么？ (2)电负性：三氟乙酸乙酯中碳 元素的
3.电负性对化学位移的影响 三氟乙酸乙酯 0 电负性：F>O>C>H F-CC一O-C-C一H 4个碳元素所处化学环境不同； F/1 2 314 HH 3 717771 0 8642 O AE/ev 图 三氟乙酸乙酯中C1s的XPS谱 00:39:39
00:39:39 3. 电负性对化学位移的影响 三氟乙酸乙酯 电负性：F>O>C>H 4个碳元素所处化学环境不同；