第七章半导体存储器
第七章 半导体存储器
71概述 72只读存储器(ROM) 73随机存储器(RAM) 74存储器容量的扩展 75用存储器实现组合逻辑函数
7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数
DIR DO D,D2 D3 DIL 71概述 S CLKy 74LS194A 0 QI Q2 Q3 半导体存储器:能存储大量二值信息的器件 存储单元数目庞大;器件的输入输出引脚数目有限 并 行 输 Q Q FF 0 FF FF FF 串行 输入 1D 0串行 输出 C1 C1 C1 C 移位CK 脉冲
7.1 概述 半导体存储器：能存储大量二值信息的器件 输出缓冲器 I/O 三态控制 存储单元数目庞大；器件的输入/输出引脚数目有限
分类 从存/取功能分: 了掩模ROM ①只读存储器(ROM川可编程PROM 可擦除的可编程 EPROM 静态RAM ②随机存储器(RAM) 动态RAM 从工艺分 ①双极型②MOS型
分类—— 从存/取功能分： ①只读存储器（ROM） ROM PROM ②随机存储器（RAM） 从工艺分： ①双极型 ②MOS型 EPROM 掩模 可编程 可擦除的可编程 RAM RAM 静态 动态
7。2ROM 72.1掩模ROM 地址输入 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 数据输出 控制 采取按地址存放数据的方法
7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 采取按地址存放数据的方法
李 n “与”项 址 D D>422 “与阵列 “或”阵列 输出 (2n-1) 4× W明明字线 输出缓冲器 d rW 地址数据 矩 AA DDDD 000101 EN 位线011011 二极管ROM的电路结构图100100 111110
地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 字线 位线 D0 Dm W0 W(2n-1) A0 ~ An-1 二极管ROM的电路结构图
李字享 IR D A1 地址译码器 -D-r ×1 D A o 42 轴出缓冲器 A D B-DhY D R 阵 D A Y EN OM的电路结构图 B
二极管ROM的电路结构图
存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元 中有器件存入“1”,无器件存入“0” 存储器的容量=字数x位数 掩模ROM的特点:出厂时内部存储数据已经固化,不 能更改;适合大量生产,电路结构简单,便宜,断电 后数据不会丢失。 Wo WW,l W W, W, W 输出缓冲器 2 D W D3 储|+WW D 矩 D, 阵 D Do D EN
• 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” • 存储器的容量=字数 x 位数 • 掩模ROM的特点：出厂时内部存储数据已经固化，不 能更改；适合大量生产，电路结构简单，便宜，断电 后数据不会丢失
722可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 C 卡长长长长卡长 A3 字 A2 存 线 储 熔 阵 位线 熔丝由易熔合金制成; 读V△y△V 平平平 出厂时,每个结点上都有熔丝; 放大器 编程写入时用编程器将不用的熔断;粥」邨」」平 是一次性编程,不能改写。 D,D6。D5D4D3D2D1D0
7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 熔丝由易熔合金制成； 出厂时， ； 编程写 每个结点上都有熔丝 将不用 是一次 入时用编程器 性编程 ； 不 熔断 ， 的 能改写
7.23可擦除的可编程ROM( EPROM) 用紫外线擦除的 EPROM(UⅤ E-PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 量量
7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 一、用紫外线擦除的EPROM（UVE-PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同