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利用热重分析法、SEM(EDX)和X射线衍射研究了一种Ni-Cr-Co基高温合金在两种不同水蒸汽含量的空气中的高温腐蚀行为.结果表明:合金在750℃含有10%H2O的空气中的腐蚀动力学规律为先遵从抛物线后遵从直线规律,试样表面形成Cr2O3层,并且有内氧化物生成.合金在775℃含有5%H2O的空气中腐蚀时,试样表面致密的氧化层由Cr2O3,TiO2和CoCr2O4组成,同时也发生了内氧化现象.水蒸汽加速了合金的腐蚀速度.整个腐蚀过程由元素通过氧化膜的传输控制
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研究了5%Al、10%Al对Fe-25Cr合金在H2S-H2平衡混合气氛中700~900℃下高温硫化腐蚀行为。发现加Al能显著降低Fe-25Cr合金的硫化速度并改变其硫化层的形貌、成分及结构。加Al合金的硫化动力学在孕育期后遵从抛物线规律。综合反应动力学、硫化层结构和成分分析。提出了Fe-Cr-Al合金的硫化机理
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采用一种改进的Potts模型Monte Carlo算法,对具有Weibull尺寸分布(参数β=3.47)的晶粒组织进行了3D正常晶粒长大过程的仿真研究.仿真结果表明:整个晶粒长大过程遵循抛物线长大规律,晶粒生长指数为0.501,非常接近理论值0.5.晶粒长大过程可分为过渡阶段与准稳态长大两个阶段.Weibull尺寸分布参数β由过渡阶段的3.47逐渐演变为准稳态阶段的2.76,准稳态阶段晶粒尺寸分布参数保持β=2.76不变.晶粒的平均面数〈f〉随仿真时间的增加而增大,在准稳态阶段后期趋近于稳定数值.晶粒面数分布为Lognormal分布,最高频率面数f为10,个体晶粒面数范围为3~43
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采用称重法、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了可伐合金(Fe-29Ni-17Co)在模拟现场N2/H2O二元气氛下的氧化行为.可伐合金在1000℃不同露点的N2中氧化的增重曲线表明其氧化动力学遵循抛物线规律.XRD和SEM分析显示了在上述条件下表面氧化物的组成和形貌.通过热力学计算说明可伐合金在现场的N2/H2O二元气氛下氧化时,外界空气会渗入炉内增加氧分压,导致表面氧化物中不可避免存在α-Fe2O3.在露点温度较高和氧化时间较长时,生成α-Fe2O3的数量会超过Fe3O4
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以某冷轧宽带钢UCMW轧机为研究对象,采用有限元法分析了单锥度工作辊窜辊和单锥度工作辊端部辊形对边降控制的影响.结果表明:端部辊形采用正弦函数时,随工作辊端部锥段窜入带钢深度的增加,边降呈抛物线关系减小;工作辊窜辊的边降调控能力随端部辊形有效段锥度的增加而增加.同一窜辊深度下,增大有效段锥度可以减小边降;不改变有效段辊形而减小锥段长度可以减小边降.此外,减小锥度和增大锥长可减小最大辊间压力和辊间压力不均匀度
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利用热模拟实验机模拟了中板控制轧制工业生产工艺,测定了一种钒微合金化船体结构钢经不同温度多道次变形后的动态CCT曲线,讨论了终轧温度和冷却速度对组织、γ/α相变及CCT曲线的影响.结果表明:随终轧温度的降低,实验钢的动态CCT曲线整体向左上方移动,获得铁素体+珠光体组织的冷却速度范围变宽;随冷却速度的增加,γ/α相变开始温度Ar3逐渐降低,贝氏体相变开始温度Bs以抛物线形式变化;铁素体晶粒随终轧温度降低或冷速的增加而细化
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采用相场法技术,确定了噪声、初始晶核半径、各向异性及过冷度等因素对枝晶生长形貌模拟的影响规律.结果表明:在保证初始晶核不被熔化的前提下,初始晶核半径r0的大小不影响模拟结果;随着界面各向异性系数的增大,枝晶尖端生长速度以线性方式增大,而枝晶尖端半径以抛物线方式减小;过冷度越小,枝晶的生长越困难,越不能出现二次枝晶.相场法模拟影响因素对枝晶生长形貌模拟有重要的影响
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利用建立的用于强腐蚀性气氛高温腐蚀研究的连续称重测量装置,测定了Fe-25Cr铁素体合金在H2-H2S混合气氛中700~900℃及10-1~10-3Pa硫分压条件下的硫化行为。在经过初始孕育期之后,Fe-25Cr合金的硫化动力学符合分段抛物线规律。其腐蚀产物是双层结构:外层为品粒粗大的(FeCr)1-xS(x≈0.24.21at%~0at%Cr);内层是较薄的(CrFe)Sx(26.8at%Cr)等轴晶层。硫化过程受Fe,Cr离子向外扩散的控制
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本文从热力学原理出发,推导出:二元系中化合物的标准生成自由能符合拟抛物线规则;推广到三元系中则应符合抛物面规则;并且利用上述规则判定含稀土体系中化合物的稳定性
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本文使用连续称重装置和非连续称重装置对Fe25Cr20Ni2.4Si合金在H2S-H2气氛中的高温硫化行为进行了研究。结果表明:这种合金的硫化动力学行为遵循抛物线规律。腐蚀产物有三层:最外层(称OL-Ⅱ层)由Fe-Ni-S系统组成;中间层(称OL-I层)由Fe-Cr-S系统组成;内硫化层(Subscale)由一些弥散的硫化物相组成。标记实验的结果表明:合金在硫化过程中,腐蚀产物的最外两层的生长是由金属离子向外扩散控制,而内硫化层的生长是由分解机理控制
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