实验常用电路元器件 电阻器的识别与型号命名法 1.电阻器型号命名法 表1.1电阻器型号命名法 第一部分 用字母表示主 用字母表示材料 用数字或字母表示分类用数字表示序号 号意义 电阻器 碳膜 普通 电位器 TPUH 普通 硅碳膜 3 超高频 合成膜 玻璃釉膜 高温 金属膜(箔 氧化膜 精密 有机实芯 8|*高压或特殊函数 无机实芯 特殊 戋绕 高功率 敏 光敏 GTxLWD 小型 测量用 微调 *第三部分数字“8”,对于电阻器表示“高压”,对于电位器表示“特殊函数”。 2.电阻器的主要指标参数 (1)额定功率 共分10个等级,其中常用的有:1/20W,1/16W,l/8W,14W,1/2W,1W (2)容许误差等级和标称阻值 ①容许误差等级 表1.2电阻器的容许误差等级 容许误差 ±0.5% ±1% ±5% ±10% ±20% ②标称阻值系列 表1.3电阻器标称阻值系列
1 实验常用电路元器件 一、电阻器的识别与型号命名法 1. 电阻器型号命名法 表 1.1 电阻器型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示主称 用字母表示材料 用数字或字母表示分类 用数字表示序号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 R 电阻器 T 碳膜 1 普通 W 电位器 P 硼碳膜 2 普通 U 硅碳膜 3 超高频 H 合成膜 4 高阻 I 玻璃釉膜 5 高温 J 金属膜(箔) 6 Y 氧化膜 7 精密 C 有机实芯 8 *高压或特殊函数 N 无机实芯 9 特殊 X 线绕 G 高功率 R 热敏 T 可调 G 光敏 X 小型 M 压敏 L 测量用 W 微调 D 多圈 *第三部分数字“8”，对于电阻器表示“高压”，对于电位器表示“特殊函数”。 2. 电阻器的主要指标参数 （1）额定功率 共分 10 个等级，其中常用的有：1/20W，1/16W，1/8W ，1/4W，1/2W，1W …… （2）容许误差等级和标称阻值 ① 容许误差等级 表 1.2 电阻器的容许误差等级 容许误差 ±0.5% ±1% ±5% ±10% ±20% 等 级 005 01 Ⅰ Ⅱ Ⅲ ②标称阻值系列 表 1.3 电阻器标称阻值系列
容许误差系列代号 系 列 值 ±20% 101522334768 ±10% E12 101215182227333947566882 ±5% E24 10111213151618202224273033 3639434751566268758291 般固定式电阻器的标称阻值应符合表列数值或表列数值乘以10,其中n为正整数 或负整数。对于更高精度的电阻器,其系列代号可进一步扩展为E48和E96,相应的容 许误差则更小。 电阻器的阻值和误差一般都用数字标印B、B2、QLD 在电阻器上。但由于体积很小,以及一些合成E48、E96 电阻器,其阻值和误差常用色环来表示。如图 图1.1阻值和误差的色环表示 1.1所示。靠近一端画有四道或五道(精密电阻) 色环,其中,第1、第2以及精密电阻的第3道色环,用以表示阻值的相应位数的数字。 其后的两道色环则分别表示前面数字再乘以10的方幂和阻值的容许误差。色环颜色的意 义如表414所示。还有一些电阻如表面贴装电阻,其阻值依照色标电阻表示法用三位数 字表示,如1021表示1KQ电阻,误差为I级即5% 表14色环颜色的意义 第三位数字(中 色别|第一位数字()第二位数字(2间未标数)10的方幂3)容许误差(4) 0 本色 ±20 作为实例,表1.5列出某电阻器的型号与主要参数。可以看出,它是精密金属膜电 阻器,额定功率为0.125W,标称阻值为5lkΩ,容许误差为±5%‰。这种表示方法在编制 元件清单时经常用到。另外5.K9有时用5K1表示
2 容许误差 系列代号 系 列 值 ±20% E6 10 15 22 33 47 68 ±10% E12 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 ±5% E24 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 一般固定式电阻器的标称阻值应符合表列数值或表列数值乘以 10n ，其中 n 为正整数 或负整数。对于更高精度的电阻器，其系列代号可进一步扩展为 E48 和 E96，相应的容 许误差则更小。 电阻器的阻值和误差一般都用数字标印 在电阻器上。但由于体积很小, 以及一些合成 电阻器，其阻值和误差常用色环来表示。如图 1.1 所示。靠近一端画有四道或五道(精密电阻) 色环，其中，第 1、第 2 以及精密电阻的第 3 道色环，用以表示阻值的相应位数的数字。 其后的两道色环则分别表示前面数字再乘以 10 的方幂和阻值的容许误差。色环颜色的意 义如表 4.1.4 所示。还有一些电阻如表面贴装电阻，其阻值依照色标电阻表示法用三位数 字表示，如 102I 表示 1KΩ电阻，误差为 I 级即 5%。 表 1.4 色环颜色的意义 色别 第一位数字(1) 第二位数字(2) 第三位数字(中 间未标数) 10 的方幂(3) 容许误差(4) 黑 0 0 0 0 棕 1 1 1 1 F(±1%) 红 2 2 2 2 G(±2%) 橙 3 3 3 3 黄 4 4 4 4 绿 5 5 5 5 D(±0.5%) 蓝 6 6 6 6 C(±0.25%) 紫 7 7 7 7 B(±0.1%) 灰 8 8 8 8 白 9 9 9 9 金 -1 J(±5%) 银 -2 K(±10%) 本色 ±20% 作为实例，表 1.5 列出某电阻器的型号与主要参数。可以看出，它是精密金属膜电 阻器，额定功率为 0.125W，标称阻值为 5.1kΩ，容许误差为±5%。这种表示方法在编制 元件清单时经常用到。另外 5.1KΩ有时用 5K1 表示。 1 2 3 4 E6、E12、E24 E48、E96 图 1.1 阻值和误差的色环表示
表15某电阻器的型号与主要参数 7 0. 分类 序号 功率标称阻值容许误差 电阻器金属膜 0.125W I组±5% 表16列出了一些常用电阻器的主要特性 表16一些常用电阻器的主要特性 名称和符号额定功*W标称阻值范断温度系数o运用频* 0.05 10~100×103 0. 5.1~150×103 碳膜电阻 51~910×10346~20)×1010MHz以下 05 RU型 51~510×103 硅碳膜电阻 10~-2×105±(7~12)×10410MH以下 10~10×10 0.125 30~510×103 RJ型 30~1×10° 金属膜电阻 30~51×1056|±(6-10)×10410MHz以下 RX型 2.5~100 5.1~56×106 低频 3.电位器 电位器是具有三个接头的可变电阻器。常用的有:WTX型小型碳膜电位器;WTH 型合成碳膜电位器;WX型线绕电位器:WHD型多圈合成膜电位器;WHJ型精密合成 膜电位器;wS型有机实芯电位器等。 根据用途不同,薄膜电位器按轴旋转角度与实际阻值间的变化关系可分为直线式 指数式和对数式三种。电位器可以带开关,也可以不带开关 一般指示0.25W以下 0.5W 3W 可变电阻器 电位器 线绕电位器 线绕电阻热敏电阻 图12电阻器的电路图表示符号 4.电阻器的电路图符号
3 表 1.5 某电阻器的型号与主要参数 R J 7 1 0.125 5.1K I 主 称 材 料 分类 序号 功率 标称阻值 容许误差 电阻器 金属膜 精密 0.125W 5.1kΩ I 组±5% 表 1.6 列出了一些常用电阻器的主要特性。 表 1.6 一些常用电阻器的主要特性 名称和符号 额定功率(W) 标称阻值范围(Ω) 温度系数(1/C) 运用频率 RT 型 碳膜电阻 0.05 0.125 0.25 0.5 1.2 10～100×103 5.1～150×103 5.1～910×103 5.1～2×106 5.1～5.1×106 -(6～20)×10-4 10MHz 以下 RU 型 硅碳膜电阻 0.125、0.5 0.5 1.2 5.1～510×103 10～2×106 10～10×106 ±(7～12)×104 10MHz 以下 RJ 型 金属膜电阻 0.125 0.25 0.5 1.2 30～510×103 30～1×106 30～5.1×106 30～10×106 ±(6～10)×10-4 10MHz 以下 RX 型 线绕电阻 2.5～100 5.1～56×106 低频 3. 电位器 电位器是具有三个接头的可变电阻器。常用的有：WTX 型小型碳膜电位器；WTH 型合成碳膜电位器；WX 型线绕电位器；WHD 型多圈合成膜电位器；WHJ 型精密合成 膜电位器；WS 型有机实芯电位器等。 根据用途不同，薄膜电位器按轴旋转角度与实际阻值间的变化关系可分为直线式、 指数式和对数式三种。电位器可以带开关，也可以不带开关。 4. 电阻器的电路图符号 图 1.2 电阻器的电路图表示符号 一般指示 0.25W 以下 0.5W 1W 2W 3W 5W 7.5W 10W 可变电阻器 t ° 电位器 线绕电位器 线绕电阻 热敏电阻
电阻器的电路图表示符号如图12所示。 5.电阻器外形结构 电阻器的外形结构参见图1.3。 )-①m0--0m0@) 实芯碳质电阻 碳膜电阻 金属膜电阻 线绕电阻 图13电阻器的外形图 、电容器的识别与型号命名法 1.电容器的型号命名法 电容器的型号命名法和电阻器的类似,也是由主称、材料、分类和序号四部分组成。 (1)主称、材料部分的符号及意义 主称、材料部分的符号及意义如表2.1所示。 表21主称、材料部分的符号及意义 称 料 电容器 高频瓷 低频瓷 CTIOYVZJB 玻璃釉 玻璃膜 云母 云母纸 低介 金属化纸 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 涤纶等极性有机薄膜 漆膜 纸膜复合 HDAGNE 铝电解 钽电解 金属电解 铌电解 其它材料电解 (2)分类部分的符号及意义 除个别类型用字母表示外(如用G表示高功率,W表示微调),一般都用数字表示 其规定如表22所示
4 电阻器的电路图表示符号如图 1.2 所示。 5. 电阻器外形结构 电阻器的外形结构参见图 1.3。 二、电容器的识别与型号命名法 1. 电容器的型号命名法 电容器的型号命名法和电阻器的类似，也是由主称、材料、分类和序号四部分组成。 （1）主称、材料部分的符号及意义 主称、材料部分的符号及意义如表 2.1 所示。 表 2.1 主称、材料部分的符号及意义 主 称 材 料 符 号 意 义 符 号 意 义 C 高频瓷 T 低频瓷 I 玻璃釉 O 玻璃膜 Y 云母 V 云母纸 Z 低介 J 金属化纸 B 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 L 涤纶等极性有机薄膜 Q 漆膜 H 纸膜复合 D 铝电解 A 钽电解 G 金属电解 N 铌电解 C 电容器 E 其它材料电解 （2）分类部分的符号及意义 除个别类型用字母表示外(如用 G 表示高功率，W 表示微调)，一般都用数字表示。 其规定如表 2.2 所示。 实芯碳质电阻 碳膜电阻 金属膜电阻 线绕电阻 图 1.3 电阻器的外形图
表22分类部分的符号及意义 数字 2 7 电容名 瓷介电容器「圆片|管形「叠片|独石穿心支柱等 高压 云母电容器「非密封[菲 有机电容器「非密封非密封「密封密封「穿心 匚高压」特殊 电解电容器箔式箔式烧结粉烧结粉 无极性 液体固体 2.电容器的主要特性指标 (1)电容器的耐压 常用固定式电容器的直流工作电压系列为(单位:V): 6.3,10,16,25,32*,40,50*,63,100,160,250,400… 有“*”号者只限于电解电容器用 (2)电容器容许误差等级和标称容量值 电容器容许误差及标称容量系列分别列于表23和24中。 表23电容器容许误差等级 +20%|+50%|+100% 容许误差±2%±5%±10%±20% 级别 ⅣV 表24固定电容器的标称容量系列 名 称 容许误差 容量范围 标称容量系列 纸介电容器 ±5% 1.0,1.5,2.2 金属化纸介电容器 ±10% 100pF-luF 3.3.4.7,6.8 膜复合介质电容器 1,2,4,6,8,10, 低频(有极性)有机薄膜 lμF~100μF 15,20,30,.50,60, 介质电容器 高频(无极性)有机薄膜 介质电容器 ±10% E12 瓷介电容器 玻璃釉电容器 ±20%以上 ±10% 铝钽、铌电解电容器 +50% 3.34.76.8 (容量单位为uF)
5 表 2.2 分类部分的符号及意义 数字 类别 电容名称 1 2 3 4 5 6 7 8 9 瓷介电容器 圆片 管形 叠片 独石 穿心 支柱等 高压 云母电容器 非密封 非密封 密封 密封 高压 有机电容器 非密封 非密封 密封 密封 穿心 高压 特殊 电解电容器 箔式 箔式 烧结粉 液体 烧结粉 固体 无极性 特殊 2. 电容器的主要特性指标 （1）电容器的耐压 常用固定式电容器的直流工作电压系列为(单位：V)： 6.3，10，16，25，32*，40，50*，63，100，160，250，400… 有“*”号者只限于电解电容器用。 （2）电容器容许误差等级和标称容量值 电容器容许误差及标称容量系列分别列于表 2.3 和 2.4 中。 表 2.3 电容器容许误差等级 容许误差 ±2% ±5% ±10% ±20% +20% -30% +50% -20% +100% -10% 级别 02 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 表 2.4 固定电容器的标称容量系列 名 称 容 许 误 差 容 量 范 围 标称容量系列 纸介电容器 金属化纸介电容器 ±5% ±10% 100pF～1μF 1.0 , 1.5，2.2， 3.3 , 4.7，6.8 纸膜复合介质电容器 低频(有极性)有机薄膜 介质电容器 ±20% 1μF～100μF 1,2,4,6,8,10, 15,20,30,50,60, 80,100 高频(无极性)有机薄膜 介质电容器 瓷介电容器 玻璃釉电容器 ±5% ±10% ±20% E24 E12 E6 云母电容器 ±20%以上 E6 铝钽、铌电解电容器 ±10% ±20% +50% -20% +100% 1，1.5，2.2 3.3 4.7 6.8 (容量单位为μF)
10% 标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10,其中n为正整数或负整数。 表25某电容器的型号与主要参数 C 63v一 0. 01u F Ⅱ 主称材料分类 电容器|调频瓷 序号 耐压标称容量容许误差 001uF 级±20% 作为实例,表2.5列出某电容器的型号与主要参数。可以看出它是高功率高频瓷介 电容器,耐压63V,容量为001μF,容许误差为±20%。 3.电容器电容量的几种标注方法 目前电容器的电容量标注方法比较混乱,稍不留神就会出错,因此建议对于容易混 淆的电容,最好用电容表进行测量后再使用 (1)电解电容器电容量值的标注法均采用数字直接描述法,即直接标出“**μF 的字样,如47μF,4700μF等。 (2)“传统标注法”对于小于10000F的电容,以pF为单位标注而不标注单位,如 4700pF标注为4700:47pF标注为47等 常用电容器的几项主要特性列于表26。 表26常用电容器的几项主要特性 名称 型号容量范/直流工作适用频率准确度漏阻(M9) 电压(V) MHz) 纸介电容器 中、小型)|CZ型/70pF~-022 3~6308以下|±(5~20)%>5000 金属壳密封 0.01μF~10 直流、脉动 ±(5~20)% >1000~ 纸介电容器 250~1600 直流 金属化纸介电容 器(中、小型)/CJ|001uF~|160,250, 8以下|±(5~20% 金属壳密封金属 022uF~ 直流、脉动 化纸介电容器C3 60~1600 直流 ±(5~20)%>30~5000 薄膜电容器 F~0F63~500高频、低频|土(5~20)% 10000 云母电容器 CY|p~0.05 100~7000 令以下+(2-~20%>1000 频、高频 瓷介电容器 CC|pF~0uF63~63050~3000±(2~20)% 10000 铝电解 1~10000μ 直流脉动 +20%~ CD 4~500 +50% 电容器 直流 30%
6 -10% 标称电容量为表中数值或表中数值再乘以 10n ，其中 n 为正整数或负整数。 表 2.5 某电容器的型号与主要参数 C C G 1 — 63V— 0.01μF Ⅱ 主 称 电容器 材 料 调频瓷 分 类 高功率 序号 耐压 63V 标称容量 0.01μF 容许误差 Ⅱ级±20% 作为实例，表 2.5 列出某电容器的型号与主要参数。可以看出它是高功率高频瓷介 电容器，耐压 63V，容量为 0.01μF，容许误差为±20%。 3. 电容器电容量的几种标注方法 目前电容器的电容量标注方法比较混乱，稍不留神就会出错，因此建议对于容易混 淆的电容，最好用电容表进行测量后再使用。 （1）电解电容器电容量值的标注法均采用数字直接描述法，即直接标出“***μF” 的字样，如 47μF，4700μF 等。 （2）“传统标注法”对于小于 10000pF 的电容，以 pF 为单位标注而不标注单位，如 4700pF 标注为 4700；47pF 标注为 47 等。 常用电容器的几项主要特性列于表 2.6。 表 2.6 常用电容器的几项主要特性 名称 型号 容量范围 直流工作 电压(V) 适用频率 (MHz) 准确度 漏阻(MΩ) 纸介电容器 (中、小型) CZ 型 470pF～0.22 μF 63～630 8 以下 ±(5～20)% ＞5000 金属壳密封 纸介电容器 CZ3 0.01μF～10 μF 250～1600 直流、脉动 直流 ±(5～20)% ＞1000～ 5000 金属化纸介电容 器(中、小型) CJ 0.01μF～ 0.2μF 160，250， 400 8 以下 ±(5～20)% ＞2000 金属壳密封金属 化纸介电容器 CJ3 0.22μF～30 μF 160～1600 直流、脉动 直流 ±(5～20)% ＞30～5000 薄膜电容器 3pF～0.1μF 63～500 高频、低频 ±(5～20)% ＞10000 云母电容器 CY 10pF～0.051 μF 100～7000 75～250 以下 ±(2～20)% ＞10000 瓷介电容器 CC 1pF～0.1μF 63～630 低频、高频 50～3000 以下 ±(2～20)% ＞10000 铝电解 电容器 CD 1～10000μ F 4～500 直流脉动 直流 +20%～ +50% -30%
钽、铌电 0.47μF 直流脉动±20% 解电容器 CA CN 6.3~160 1000μF 直流 2/7pF 瓷介微调电容器ccwm2|250~500 高频 >1000~ 10000 最小>7pF 可变电容器 最大<100以下|低频,高频 500 1000pF 对于大于1000P而小于1uF的电容,以μF为单位标注,省略单位,如47000 即047μF,标注为047或47,47000pF即0047μF标注为0047或047。 从以上例子可以看出,这种标注方法是很容易识别的,凡是大于1的数均是以pF为 单位,凡是小于1的小数均是以μF为单位,凡电容量大于1μF的电容,后面均标出单 位(μF)。 (3)电容值的色码标注法 电容器的电容量均以三位数字标注,单位为pF,三位数字的含义是前两位为有效数 字,第三位为10的幂次,如473即为47×10pF,这个电容值与标注为0.047或047的 含义是一样的,105即为1uF,104为0.1uF。 这种标注方法主要以小型瓷介电容为主。 3.电容器的电路符号 电容器的电路符号如图24所示 4.常见的几种电容器的外形结构 常见的几种电容器的外形结构如图45所示。 固定电容器电解电容器可变电容器半可变电容器 图24电容器的电路符号 42)-5- 独石电容器 OuF 6V 瓷介电容器 电解电容器 可变电容器 图25几种电容器的外形结构
7 -20% 钽、铌电 解电容器 CA CN 0.47μF～ 1000μF 6.3～160 直流脉动 直流 ±20%～ +20% -30% 瓷介微调电容器 CCW 2/7pF～ 7/25pF 250～500 高频 ＞1000～ 10000 可变电容器 CB 最小＞7pF 最大＜ 1000pF 100 以下 低频，高频 ＞500 对于大于 10000PF 而小于 1μF 的电容，以μF 为单位标注，省略单位，如 470000pF 即 0.47μF，标注为 0.47 或 .47，47000pF 即 0.047μF 标注为 0.047 或 .047。 从以上例子可以看出，这种标注方法是很容易识别的，凡是大于 1 的数均是以 pF 为 单位，凡是小于 1 的小数均是以μF 为单位，凡电容量大于 1μF 的电容，后面均标出单 位（μF）。 （3）电容值的色码标注法 电容器的电容量均以三位数字标注，单位为 pF，三位数字的含义是前两位为有效数 字，第三位为 10 的幂次，如 473 即为 47×103 pF，这个电容值与标注为 0.047 或 .047 的 含义是一样的，105 即为 1μF，104 为 0.1μF。 这种标注方法主要以小型瓷介电容为主。 3. 电容器的电路符号 电容器的电路符号如图 2. 4 所示。 4. 常见的几种电容器的外形结构 常见的几种电容器的外形结构如图 4.5 所示。 图 2.4 电容器的电路符号 + 固定电容器 电解电容器 可变电容器 半可变电容器 纸介电容器 1.0uF 400V 100 ±5% 500v 222 102 30uF 6V 纸介电容器 云母电容器 独石电容器 瓷介电容器 电解电容器 可变电容器 图 2.5 几种电容器的外形结构
三、常用半导体器件型号命名法 1.常用半导体器件型号命名的国家标准 常用半导体器件的型号命名由五个部分组成,第一部分用数字表示电极的数目:第 二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性;第三部分表示器件的类别;第四部分表 示器件的序号;第五部分表示规格。具体规定见表3.1所示 表31中国国家标准(GB-249-74)规定的半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分第五部分 目数字表示器|用汉语拼音字母表示用汉语拼音字母表示用数字表示用汉语拼音字 件的电极数目器件的材料和极性 器件的类别 器件序号母表示规格号 符号意义符号 符号 二极管AN型锗材料 普通管 极管B 型锗材料V 微波管 C|N型硅材料W 稳压管 DP型硅材料|C 参量管 A|PNP型锗材料|Z 整流管 B|NPN型锗材料L 整流堆 C|PNP型硅材料|S 隧道管 D|NPN型硅材料N 阻尼管 E化合物材料K 开关管 X|低频小功率管 fa3MHz、 G高频小功率管 >3MHz、 Pc<Iw D低频大功率管 <3MHz、 ≥ A高频大功率管 fa≥3MHz V|Pc≥1W 光电器件 锆型场效应管 例 31A 管子规格为A档 它是锗NPN型 序号为31 低频小功率管 低频小功率管
8 三、 常用半导体器件型号命名法 1. 常用半导体器件型号命名的国家标准 常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第 二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表 示器件的序号；第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。 表 3.1 中国国家标准(GB-249-74)规定的半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器 件的电极数目 用汉语拼音字母表示 器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示 器件的类别 用数字表示 器件序号 用汉语拼音字 母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N 型锗材料 P 普通管 3 三极管 B P 型锗材料 V 微波管 C N 型硅材料 W 稳压管 D P 型硅材料 C 参量管 A PNP 型锗材料 Z 整流管 B NPN 型锗材料 L 整流堆 C PNP 型硅材料 S 隧道管 D NPN 型硅材料 N 阻尼管 E 化合物材料 K 开关管 X 低频小功率管 G D A V J fα＜3MHz、 Pc＜1W 高频小功率管 fα＞3MHz、 Pc＜1W 低频大功率管 fα＜3MHz、 Pc≥1W 高频大功率管 fα≥3MHz、 Pc≥1W 光电器件 结型场效应管 示例 3 B X 31 A 管子规格为 A 档 序号为 31 低频小功率管 它是锗 NPN 型 低频小功率管
NPN型锗材料 极管 2.日本常用半导体器件的型号命名标准 表32日本半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字表示器件日本电子工业用字母表示器件使用材器件在日本电子工同一型号的改 有效电极数目或协会(JELA 料极性和类型业协会EA)的登进型产品标志 注册标志 符号意义符号意义符号 义符号意义符号意义 0|光电二极管S在日APN高频晶体管多位这一器件在A表示这 或三极管及 本电 低频晶体管 数字日本电子协B器件是原 包括上述 业 NPN高频晶体管 会(JEA)的注C|型号产品 件的组合管 会(JEA 册登记号性D的改进产 极管 注册登D卜NPN低频晶体管 能相同,不同 极管或具 记的 P控制极晶闸管]|家生产的 有三个有效|导体器G|N控制极晶闸管器件可以使 电极的其它 H单结晶体管 用同一个登 器件 记号 3具有四个 极的器件 KN沟道场效应管 1俱具有n个 M双向晶闸管 极的器件 示例 SD880 2SD1350 EIA登记号 JIA登记号 NPN低频晶体管 NPN低频晶体管 JEIA注册产品 JEIA注册产品 极管 3.日本常用半导体器件的型号命名标准 表3.3美国半导体器件命名法 第一部分 部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 用数字表示美国电子工业协会美国电子工业协用字母表示 器件类别 PN结数目 (EA)注册标志会(FA)登记号器件分档 符号意 JAN 级1二极管N该器件已在多位核器件在 JANTX特军级2 极管 美国电子工数字美国电B|号器件 JANTXVI超特军级3三个PN结 业协会(EA 子工业C的不 JANS|宇航级 器件 注册登记 协会D|档次 (无)非军用品nn个PN结 (EA)的 器件 登记号
9 NPN 型锗材料 三极管 2. 日本常用半导体器件的型号命名标准 表 3.2 日本半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件 有效电极数目或 类型 日本电子工业 协会(JEIA) 注册标志 用字母表示器件使用材 料极性和类型 器件在日本电子工 业协会(JEIA)的登 记号 同一型号的改 进型产品标志 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意义 A NPN 高频晶体管 B PNP 低频晶体管 0 光电二极管 或三极管及 包括上述器 件的组合管 C NPN 高频晶体管 1 二极管 D NPN 低频晶体管 F P 控制极晶闸管 G N 控制极晶闸管 2 三极管或具 有三个有效 电极的其它 器件 H 单结晶体管 3 具有四个电 J P 沟道场效应管 极的器件 K N 沟道场效应管 n-1 具有 n 个电 极的器件 S 已在日 本电子 工业协 会(JEIA) 注册登 记的半 导体器 件 M 双向晶闸管 多位 数字 这一器件在 日本电子协 会(JEIA)的注 册登记号性 能相同，不同 厂家生产的 器件可以使 用同一个登 记号 A B C D 表示这一 器件是原 型号产品 的改进产 品 示例： EIA 登记号 NPN 低频晶体管 JEIA 注册产品 三极管 JEIA 登记号 NPN 低频晶体管 JEIA 注册产品 三极管 3. 日本常用半导体器件的型号命名标准 表 3.3 美国半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 器件类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会 (EIA)注册标志 美国电子工业协 会(FIA)登记号 用字母表示 器件分档 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 JAN JANTX JANTXV JANS (无) 军 级 特军级 超特军级 宇 航 级 非军用品 1 2 3 n 二极管 三极管 三个 PN 结 器件 n 个 PN 结 器件 N 该器件已在 美国电子工 业协会(EIA) 注册登记 多位 数字 该器件在 美国电 子工业 协 会 (EIA) 的 登记号 A B C D 同 一 型 号器件 的不同 档次 2 S D 880 2 S D 1350
示例: JAN 2 N 3553 2N5685 EIA登记号 EIA登记号 EIA注册标志 EIA注册标志 三极管 三极管 军用品 4.常用的整流二极管型号及性能 表34常用的整流二极管型号及性能 最高反额定正正向电反向漏电不重复正「频率∫额定结 原型号新型号向峰值向整流压降流(平均同向浪涌电(kH)温|备注 电压电流V()值)流(A) T(℃ Ik(uA 2CP102Cz225V0 1.0100 150 2CP332CZ54A 25v050 150 5.硅高频小功率三极管参数 表3.5硅高频小功率三极管参数 3DG6 型号3D0A3DG1003Do0c30mD测试条件 ≥20 ≥30 ≥20 ≥30c=100A =10 直 L IcEo(uA ≤01≤01≤01 ≤01Vc=/0 流参数 ≤001≤001≤001≤001 =5V ≤ 10mA I8=lmA ≤11c=10m4,I2=m4 fr(He) ≥150 150 ≥300 ≥300VcB=0E=3m4 流AdB ≥7vcB=10lg=3m4 =100MH VcR=lov IF=0 h色标分档 (红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150 6.部分国外硅高频小功率三极管参数
10 示例： 2 N 5685 JAN 2 N 3553 EIA 登记号 EIA 注册标志 三极管 EIA 登记号 EIA 注册标志 三极管 军用品 4. 常用的整流二极管型号及性能 表 3.4 常用的整流二极管型号及性能 原型号 新型号 最高反 向峰值 电压 VRM(V) 额定正 向整流 电流 If (A) 正向电 压降 Vf (V) 反向漏电 流(平均 值) Ik (μA) 不重复正 向浪涌电 流(A) 频率 f (kHz) 额定结 温 TjM (℃) 备注 2CP10 2CZ52 25V 0.10 ≤1.0 100 2 3 150 2CP33 2CZ54A 25V 0.50 ≤1.0 500 10 3 150 5. 硅高频小功率三极管参数 表 3.5 硅高频小功率三极管参数 原 型 号 3DG6 新 型 号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D 测 试 条 件 PCM(mW) 100 100 100 100 ICM(mA) 20 20 20 20 V(BR)CBO(V) ≥30 ≥40 ≥30 ≥30 V(BR)CEO(V) ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 IC =100μA 极 限 参 数 V(BR)EBO(V) ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 IB =100μA ICBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VCB =10V ICEO(μA) ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 VCE =10V IEBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VEB =1.5V VBES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC=10mA IB=1mA VCES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC =10mA，IB=1mA 直 流 参 数 hFE ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 VCE =10V，IC =3mA fT (MHz) ≥150 ≥150 ≥300 ≥300 VCB=10V IE =3mA f=100MHz RL =5Ω AP(dB) ≥7 ≥7 ≥7 ≥7 VCB=10V IE =3mA f=100MHz 交 流 参 数 Cob(pF) ≤4 ≤4 ≤4 ≤4 VCB =10V IE =0 hFE色标分档 (红)30～60 (绿)50～110 (蓝)90～160 (白)＞150 管 脚 6. 部分国外硅高频小功率三极管参数 E C B