§13.1p区元素撬述 I A 1314151617 0 ⅢA IIIA IVA VA VIAⅧAHe Li Be BC N 34 67 1011 12 3 Na mg IB IYB VB VIB VIB m IB B A si P s c1 ar 4 KCa sc Ti vcr In Fe Co Ni cu in Ga Ge As Se Br Kr 5 Rb s Ru rh pd ag cd In Sn Te I Xe 6 Cs Ba Lu Hf Ta v Reos Ir Pt如 a Hg TI Pb Bi Po处 E Ra Lx Re pb sz BhHut---I 佩系 La Ce Pr Nd Pn|S GdB Ho Er Tn Yb 调系A⑩BⅡ阻p△BkBB图 馬學尚行礪志刮新
§ 13.1 p区元素概述
p区元素性质的特征 各族元素性质由上到下呈现二次周期性 ①第二周期元素具有反常性(只有2S,2p轨道) 形成配合物时,配位数最多不超过4; 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJ-mol-) E(NN)=159E(0O)=142E(F-F)=141 E(P-P=209E(SS)=264E(C1C)=199 馬學尚行礪志刮新
①第二周期元素具有反常性 (只有2s,2p轨道) 形成配合物时,配位数最多不超过4; 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJmol-1 ) E(N—N)=159 E(O—O)=142 E(F—F)=141 E(P—P)=209 E(S—S)=264 E(Cl—Cl)=199 p区元素性质的特征 •各族元素性质由上到下呈现二次周期性
②第四周期元素表现出异样性(d区插入) 例如:溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸HCO3,HO3)、高卤酸(HCO, H5IO.)强。 Ee(CIO3/C12)=1.458V Ee(BrO3/B2)=1.513v Ee(IO32)=1.209V Ee(CIO/CIO3)=1. 226V Ee(BrOa brOx=1.763V E(HIO/102=1.60V 馬學尚行礪志刮新
②第四周期元素表现出异样性(d区插入) E (ClO3 /Cl2 ) =1.458V − (BrO /Br ) 1.513V 3 2 = − E (IO /I ) 1.209V 3 2 = − E (ClO4 /ClO3 ) =1.226V − − E 例如:溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸(HClO3 ,HIO3 )、高卤酸(HClO4, H5 IO6 )强。 E (H5 IO6 /IO3 ) =1.60V − E (BrO4 /BrO3 ) =1.763V − −
③最后三种元素性质缓慢地递变 (d区、f区插入) K+ Ca2+ Ga3+ Ge4+ s5 r/pm13399 62 5347 Rb+ Sr2+ In3+ Sn4+ Sb5+ r/pm148113817162 Cst Ba2+ T13+ Pb4+ Bit r/pm169135 958474 馬學尚行礪志倒新
③最后三种元素性质缓慢地递变 K+ Ca2+ Ga3+ Ge4+ As5+ r/pm 133 99 62 53 47 Rb+ Sr2+ In3+ Sn4+ Sb5+ r/pm 148 113 81 71 62 Cs+ Ba2+ Tl3+ Pb4+ Bi5+ r/pm 169 135 95 84 74 (d区、f 区插入)
多种氧化值 价电子构型:ms2mp5 例如:氯的氧化值有+1,+3,+5, +7,-1,0等。 惰性电子对效应: 同族元素从上到下,低氧化值化合物 比高氧化值化合物变得更稳定。 馬學尚行礪志刮新
价电子构型:ns 2np 1~5 例如:氯的氧化值有 +1,+3,+5, +7,-1,0等。 惰性电子对效应: 同族元素从上到下,低氧化值化合物 比高氧化值化合物变得更稳定。 • 多种氧化值
例如: Si(nPb(v 价电子结构分别为[Xe]6s2,[Xe] 电负性大,形成共价化合物 返 篤學尚行碉
例如: Si(II) Pb(IV) 价电子结构分别为[Xe]6s2 ,[Xe] •电负性大,形成共价化合物
§13.2硼族素 -13.2.1硼族元素概述 硼族完素的单质 1323硼的化合物 1324铝的化合物 返回
§ 13.2 硼族元素 13.2.4 铝的化合物 13.2.3 硼的化合物 13.2.2 硼族元素的单质 13.2.1 硼族元素概述