非金属的春天 硅与硅芯片 T1000 王慧超宁宇王维赛
非金属的春天 硅与硅芯片 王慧超 宁宇 王维赛
This Presentation 硅 98858888888888 Infineon S-GOLD3H 硅芯片 PMB8878 2
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硅 38888888网 Infineon S-GOLD3H PMB8878 硅芯片 基本属性 制备方法 导电机理
硅 硅芯片 基本属性 制备方法 导电机理
元素符号 电子结构 相对原子质量 28.0855(3) 46.4 熔化焓/kJmo1 密度/gcm3- 2.33 [Ne]3s23p2 711 ←一 比热/Jkg1K1 熔点/℃ 1414 85000 电阻率/μ2cm 沸点/℃ 2355 1.0←- 硬度莫氏) 原子体积/cm3mo1 12.04 1.8←- 电负性Pauling) 786←— 第一电离能/kJ-mol1 元素名称 硅Si 120 ←一第一电子亲和能/kJmo1 原子序数 14 原子半径/pm 1172 Silicon 英文名称 共价半径/pm 112.6 4,2 氧化态（红-最常见） 41(+4) 离子半径/pm 还原电位V 271(4) Sif62→ Si+6F -1.24 发现年代 1823年 吴 生命必需元素 晶体结构 酸碱性
工业多晶硅制作流程 二氧化硅 加膜还原 工业硅 (含有97%的硅) ®洗 99.7~ 四氯化硅 99.95 多晶硅 (SiCl 的硅 如悠 装偏 纯四氯化硅 氢还原 通氯 (精馅， 三氯氢硅 (SiHC I 纯SiHC1, 盐酸处理 头面 氢还隙 硅皖 (SiHo 纯硅烷
工业多晶硅制作流程
三氯氢硅还原法 由硅石制取 Si0、-5C 160C1900C S1C-200 S10-2S1C=5S1-2C0 粗硅 合成三氯氢 Si+3HC1=SiHC13+H2 (g) 硅 提纯三氯氢 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯 硅 用氢还原三 SiHCI,+H, gc上→Si+3HC1 氯氢硅
三氯氢硅还原法 由硅石制取 粗硅 合成三氯氢 硅 提纯三氯氢 硅 用氢还原三 氯氢硅 Si+3HCl=SiHCl3+H2（g） 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯
三氯氢硅还原法 由硅石制取 Sio,+3C 1600-1800C SiC+2CO 粗硅 Sio,+2SiC3Si+2CO 合成三氯氢 Si+3HC1=SiHC13+H2 (g) 硅 提纯三氯氢 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯 硅 用氢还原三 SiHCI、+H 90C以上 →Si+3HC1 氯氢硅
三氯氢硅还原法 由硅石制取 粗硅 合成三氯氢 硅 提纯三氯氢 硅 用氢还原三 氯氢硅 Si+3HCl=SiHCl3+H2（g） 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯
三氯氢硅还原法 由硅石制取 Si,+3C 1600-1800℃ SiC+2CO 粗硅 Sio,+2SiC3Si+2CO 合成三氯氢 Si+3HC1=SiHC13+H2 (g) 硅 提纯氯氢 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯 硅 用氢还原三 SiHCI、+H 90C以上 →Si+3HC1 氯氢硅
三氯氢硅还原法 由硅石制取 粗硅 合成三氯氢 硅 提纯三氯氢 硅 用氢还原三 氯氢硅 Si+3HCl=SiHCl3+H2（g） 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯
三氯氢硅还原法 Sio,+3C- 1600-1800℃ 由硅石制取 SiC+2CO 粗硅 Sio,+2SiC3Si+2CO 合成三氯氢 Si+3HC1=SiHC13+H2 (g) 硅 提纯三氯氢 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯 硅 用氢还原三 SiHCI,+H, 90C以上 →Si+3HC1 氯氢硅
三氯氢硅还原法 由硅石制取 粗硅 合成三氯氢 硅 提纯三氯氢 硅 用氢还原三 氯氢硅 Si+3HCl=SiHCl3+H2（g） 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯
三氯氢硅还原法 由硅石制取 Sio,+3C 1600-1800℃ SiC+2CO 粗硅 Sio,+2SiC3Si+2CO 合成三氯氢 Si+3HC1=SiHC13+H2 (g) 硅 提纯三氯氢 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯 硅 用氢还原三 沉积开始 硅芯 钟罩 沉积结束 U型硅棒 氯氢硅 卡扣 卡扣 底盘 给料气体 尾气 SiHC13+H2 siHcl /siclslo.sina.comn.cn/porycilicontech DC
三氯氢硅还原法 由硅石制取 粗硅 合成三氯氢 硅 提纯三氯氢 硅 用氢还原三 氯氢硅 Si+3HCl=SiHCl3+H2（g） 利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯
