题2.5]在图P25由74系列TIL与非门组成的电路中,计算门GM能驱动多少同样的 与非门。要求GM输出的高、低电平满足 Jo≥3.2VIo≤04。与非门的输入电流为 In≤-1.6mA,Im≤40uA。Vo≤0.4时输出电流最大值为 Iou=16mA,von≥32时输出电流最大值为 0.4m4。GM的输出电阻可以忽略不计 当Vo=VoL=0.4V时,可求得 11.6 图P2.5 当Vo=VoH=3.2V时,可求得 0.4 2lm2*0.04 故GM能驱动5个同样的与非门。 [题2.10]试说明在下列情况下,用万用表测量图P210的v12端得到的电压各为多少 (1)v1悬空; (2)V1接低电平(02V); (3)V1接高电平(32V) (4)V1经519电阻接地 (5)V1经10K9电阻接地 图P2.10 答案: 这时相当于v2端经过一个100k9的电阻接地。假定与非门输入端多发射极三极管每 个发射结的导通压降均为0.7V,则有 (1)V2≈1.4V (2)V12≈0.2V (3)v12≈14V (4)V2≈0V
[题 2.5] 在图 P2.5 由 74 系列 TTL 与非门组成的电路中，计算门 GM能驱动多少同样的 与 非 门。要求 GM 输 出 的 高 、 低 电 平 满 足 3.2 , 0.4 V V V V OH OL 。 与 非 门 的 输 入 电 流 为 1.6 , 40 IL IH I mA I uA − 。 0.4 V V OL 时输出电流最大值为 (max) 16 OL I mA = ， 3.2 V V OH 时 输 出 电 流 最 大 值 为 (max) 0.4 OH I mA = − 。GM的输出电阻可以忽略不计。 答案： 当 VO=VOL=0.4V 时，可求得 (max) 16 10 1.6 OL IL I n I = = 当 VO=VOH=3.2V 时，可求得 (max) 0.4 ' 5 2 2*0.04 OH IH I n I = = 故 GM能驱动 5 个同样的与非门。 [题 2.10] 试说明在下列情况下，用万用表测量图 P2.10 的 12 v 端得到的电压各为多少： （1） 11 v 悬空； （2） 11 v 接低电平（0.2V）； （3） 11 v 接高电平（3.2V）； （4） 11 v 经 51 电阻接地； （5） 11 v 经 10 K 电阻接地。 答案： 这时相当于 12 v 端经过一个 100 K 的电阻接地。假定与非门输入端多发射极三极管每 个发射结的导通压降均为 0.7V，则有 （1） 12 v 1.4V （2） 12 v 0.2V （3） 12 v 1.4V （4） 12 v 0V
(5)v12≈14V 题2.12]试绘出图P22电路的高电平输出特性和低电 平输出特性。已知1c=5,R2=1KΩ。OC门截止时输 出管的漏电流lom=2004。V=Vm时OC门输出管饱和 导通,在L1<l的范围内导通内阻小于209。 答案 输入高电平时V=c-(2lo+l)R2。当l2=0时, J=46如图A2.12所示 输入低电平时V 4+211(mA 图A2.12 题2.14]试分析图P214中各电路的逻辑功能,写出输出逻辑函数式。 答案: (a)Y=A·B (b)y=a+B (c)Y=A+B(OC门) (当G+G2=1) (三态输出的反相器 高阻态(当G+G2=0)
（5） 12 v 1.4V [题 2.12] 试绘出图 P2.12 电路的高电平输出特性和低电 平输出特性。已知 5 V V CC = ， 1 R K L = 。OC 门截止时输 出管的漏电流 200 OH I uA = 。V V I IH = 时 OC 门输出管饱和 导通，在 L LM I I 的范围内导通内阻小于 20 。 答案： 输入高电平时 (2 ) V V I I R O CC OH L L = − + 。当 0 L I = 时， 4.6 V V O = 如图 A2.12 所示。 输入低电平时 20( ) CC OL O L L V V V I R − = + 。 [题 2.14] 试分析图 P2.14 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 答案： （a） Y A B = • （b） Y A B = + （c） Y A B = + （OC 门） （d） A （当 1 2 G G+ =1 ） Y= （三态输出的反相器） 高阻态（当 1 2 G G+ = 0 ）
本本 本 平华长 饼」 本 本 图P2.14 题2.18]在CMOS电路中有时采用图P28(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析 各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑式。已知电源电压D=10V,二极管的正向导通压降 答案 (a)y=ABCDE (b)Y,=A+B+C+D+E (c)Y=ABC+ DEF
[题 2.18] 在 CMOS 电路中有时采用图 P2.18（a）～（d）所示的扩展功能用法，试分析 各图的逻辑功能，写出 Y1~Y4 的逻辑式。已知电源电压 10 V V DD = ，二极管的正向导通压降 为 0.7V。 答案： （a） Y ABCDE 1 = （b） Y A B C D E 2 = + + + + （c） Y ABC DEF 3 = +
(d)y=A+b+c+d+e+F VDp=10 E DCBA 好 ABCDE ACD A-I 图P2.18 题2.22]计算图P222电路中接口电路输出端vc的高、低电平,并说明接囗电路参数 的选择是否合理。CMOS或非门的电源电压IDD=101,空载输出的高、低电平分别为 Jon=9.95,Io2=0.05,门电路的输出电阻小于20092。T与非门的高电平输入电 流lm=20u4,低电平输入电流ln=-0.4mA Vec=5 2kn skn CMOS 接口电路 图P2.22
（d） Y A B C D E F 4 = + + + + + [题 2.22] 计算图 P2.22 电路中接口电路输出端 C v 的高、低电平，并说明接口电路参数 的选择是否合理。CMOS 或非门的电源电压 10 V V DD = ，空载输出的高、低电平分别为 9.95 V V OH = ， 0.05 V V OL = ，门电路的输出电阻小于 200 。TTL 与非门的高电平输入电 流 20 IH I uA = ，低电平输入电流 0.4 IL I mA = −
答案: (1)CMOS或非门输出为高电平时,由图P222可得到 o-g9.95-0.7 =0.18m4 51+0.2 三极管临界饱和的基级电流为 nas+21)=1(52-03+2?4)=01m B Ro 可见,B>IBs,故三极管处于饱和导通状态,Vc≈0.3。 (2)CMOS或非门输出为低电平时,三极管截止,因此得到 V=l-4lmR=5-4?02?=484V 由此可见,接口电路的参数选择合理
答案： （1） CMOS 或非门输出为高电平时，由图 P2.22 可得到 9.95 0.7 0.18 51 0.2 51.2 OH BE B V V I mA − − = = = + 三极管临界饱和的基级电流为 1 1 5 0.3 ( 2 ) ( 2? .4) 0.11 30 2 CC CES BS IL C V V I I mA R − − = + = + = 可见， B BS I I ，故三极管处于饱和导通状态， 0.3 V V C 。 （2） CMOS 或非门输出为低电平时，三极管截止，因此得到 V V I R C CC IH C = − = − 4 5 4? .02? =4.84V 由此可见，接口电路的参数选择合理