m 413一个JFET的转移特性曲线如图题413所示,试问: (1)它是N沟道还是P沟道FET? (2)它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDs各是多少? 解由图题4.1.3可见,它是N沟道JFET,其Vp=-4 V, lpss=3 mA 图题4.1.3 4.3.3一个 MOSFET的转移特性如图题4.3.3所示(其 中漏极电流iD的方向是它的实际方向)。试问 (1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是N沟道还是P沟道FET? (3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压v 还是开启电压Vr?其值等于多少? 解由图题4.33可见,它是P沟道增强型 MOSFET,其 4.4.1增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作 图题4.3 点?试说明理由 解由于增强型MOS管在vGs=0时,w=0(无导电沟道),必须在cs>N(V为开 启电压)时才有i,因此,增强型的MOS管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。 444已知电路参数如图题4.4.4所示,FET工作点上的互导gm=1ms,设rd>>R。(1) 画出小信号等效电路:(2)求电压增益Av:(3)求放大电路的输人电阻R。 解(1)画小信号等效电路 Do nd tonp 100m10 图题44.4 图解444 忽略rd,可画出图题444的小信号等效电路,如图解444所示 (2)求
4.1.3 一个 JFET 的转移特性曲线如图题 4.1.3 所示，试问： （1） 它是 N 沟道还是 P 沟道 FET？ （2） 它的夹断电压 VP和饱和漏极电流 IDSS各是多少？ 解 由图题 4．1．3 可见，它是 N 沟道 JFET，其 VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。 4.3.3 一个 MOSFET 的转移特性如图题 4．3．3 所示（其 中漏极电流 iD 的方向是它的实际方向）。试问： （1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是 N 沟道还是 P 沟道 FET？ （3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP， 还是开启电压 VT？其值等于多少？ 解 由图题 4.3.3 可见，它是 P 沟道增强型 MOSFET，其 VT＝－4 V。 4.4.l 增强型 FET 能否用自偏压的方法来设置静态工作 点？试说明理由。 解 由于增强型 MOS 管在 vGS=0 时，vD=0（无导电沟道），必须在|vGS|＞|VT| （VT为开 启电压）时才有 iD，因此，增强型的 MOS 管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。 4.4.4 已知电路参数如图题 4．4．4 所示，FET 工作点上的互导 gm＝1ms，设 rd>>Rd。（1） 画出小信号等效电路；（2）求电压增益 Av；（3）求放大电路的输人电阻 Ri。 解 （1）画小信号等效电路 忽略 rd，可画出图题 4.4.4 的小信号等效电路，如图解 4.4.4 所示。 （2）求 Av
Ay= 1+gR -3.3 1+1×2 (3)求Ri R=R2g3+(R2a1R2)≈207542 45.1电路参数如图题45.1所示。设FET的参数为gm=0.8ms,rd=200k9;3AG29(T2) 的B=40,rbe=1k9。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。 身分 图题451 解(1)求A 由于rs>>R,故r可忽略,图题4.5.1的小信号等效电路如图解4.5.1所示。由图有 R=l[r6+(1+B)R 6+(1+B)R;1+(1+40)×0.18 l=-(1b+1)=-93816=gm1g g 9.38 10=gm1gR-BbR=-9.381R-40R=-49381bR 0.8 4938/8R=4938×8×2≈83 9.38 =g+o=931g ≈089 9.3 (2)求R R=R+(R21Rg2)≈R3=5M
3.3 1 1 2 1 10 1 1 0 − + − = + − = = g R g R V V A m m d i V （3）求 Ri Ri = Rg3 + (Rg1 || Rg 2 ) 2075k 4.5.1 电路参数如图题 4.5.1 所示。设 FET 的参数为 gm＝0.8ms，rd＝200kΩ；3AG29（T2） 的β＝40，rbe＝1kΩ。试求放大电路的电压增益 Av 和输入电阻 Ri。 解（1）求 AV 由于 rd＞＞Rd，故 rd 可忽略，图题 4.5.1 的小信号等效电路如图解 4 .5.1 所示。由图有 [ ' (1 ) ] d b bb Re I R = I r + + b b b d bb e I I I R r R I 8.38 1 ' (1 ) 1 (1 40) 0.18 = + + = + + = d b b gmVgs I I I I = − + = − = ( ) 9.38 9.38 m gs b g V I − = gs m gs gs b m gs b b b b V V R g V I V g V R I R I R I R I R 2 8.3 9.38 0.8 49.38 9.38 49.38 0 9.38 40 49.38 = − = − = − = − − = − Vi Vgs V Vgs = + 0 = 9.3 0.89 9.3 8.3 0 = = gs gs i V V V V V A （2）求 Ri Ri = Rg3 + (Rg1 || Rg 2 ) Rg3 = 5.1M
454电路如图题4.54所示,设FET的互导为gm,Ia很大;BJT的电流放大系数为β 输人电阻力rbe。试说明T1、T2各属什么组态,求电路的电压增益Av、输人电阻Ri:及输 出电阻Ro的表达式 图题4.5.4 解(1)T1、T2的组态 T1为源极输出器,T2为共射极电路 (2)求Av 1+gm,rhe B(R‖R2) gnB(R‖R2) (3)求R和Ro R≈Rg Rc
4.5.4 电路如图题 4 .5.4 所示，设 FET 的互导为 gm，rd 很大；BJT 的电流放大系数为β， 输人电阻力 rbe。试说明 T1 、T2 各属什么组态，求电路的电压增益 Av、输人电阻 Ri；及输 出电阻 Ro 的表达式。 解（1）T1 、T2 的组态 T1 为源极输出器，T2 为共射极电路。 （2）求 Av m be m be V g r g r A + 1 1 be c L V r R R A ( || ) 2 − m be m c L V V V g r g R R A A A + − = 1 ( || ) 1 2 （3） 求 Ri 和 Ro Ro Rc Ri Rg