第二章小结 >半导体在本征激发后具有导电性能,载流子浓度 与温度有关; P型半导体中多子为空穴,少子为电子;N型半导 体中多子为电子,少子为空穴; >PN结具有单相导电性;
第二章小结 ➢半导体在本征激发后具有导电性能，载流子浓度 与温度有关； ➢P型半导体中多子为空穴，少子为电子； N型半导 体中多子为电子，少子为空穴； ➢PN结具有单相导电性；
>二极管的三种模型 co理想模型 1.理想模型 正向偏置时: 管压降为0,电阻也为0。 反向偏置时: 电流为0,电阻为∞。 o恒压降模型 2.恒压降模型 当L≥1mA时, 0n+ V=0.7V(硅) VD=0.2V(锗)
➢二极管的三种模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， vD=0.7V（硅） vD=0.2V（锗） 1. 理想模型 2. 恒压降模型
3.折线模型(实际模型) + C折线模型 th D-Vn0.7V-0.5 =2000 Ima P=htir=0.5+200i
3. 折线模型（实际模型） = − = − = 200 1 0.7 0.5 m A V V i V V r D D t h D D t h D D D v =V +i r = 0.5+ 200i
二极管的小信号模型 静态工作点Q上小信号工作范围时,二极管等效为动态电阻 26(mV) lD(mA
➢二极管的小信号模型 ( ) 26( ) I mA mV r D D = 静态工作点Q上小信号工作范围时，二极管等效为动态电阻
第二章习题常见类型 >半导体基础知识正确的判断; 电子电路中二极管、稳压管工作状态的判断; 已知电子电路的输入电压求输出电压
第二章习题常见类型 ➢半导体基础知识正确的判断； ➢电子电路中二极管、稳压管工作状态的判断； ➢已知电子电路的输入电压求输出电压
例题1判断、填空 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素, 可将其改型为P型半导体。() 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带 负电。() PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零 二极管的电流方程是 ·稳压管的稳压区是其工作在
例题1 判断、填空 • 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为P型半导体。（ ） • 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带 负电。（ ） • PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） • 二极管的电流方程是 。 • 稳压管的稳压区是其工作在
3.1小结 三极管(晶体管,BJT)是电流控制器件 IC=lB+/cEo≈BB E +IcBO ≈OlE 三极管要实现放大作用,必须工作在放 大区
3.1小结 • 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 • 三极管要实现放大作用，必须工作在放 大区。 C E CBO E C B CEO B I I I I I I I I = + = +
3节试题常见类型 ·三极管基础知识正确性的判断; 三极管工作状态的判断; 由管子的特性求解主要参数(例如给出一个输 出特性曲线,求β值)
3.1节试题常见类型 • 三极管基础知识正确性的判断； • 三极管工作状态的判断； • 由管子的特性求解主要参数（例如给出一个输 出特性曲线，求值）
例题 1,三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的?() 2,当三极管工作在放大区时,发射结电压 为偏置,集电结电压为偏置
例题 1，三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的？（ ） 2，当三极管工作在放大区时，发射结电压 为 偏置，集电结电压为 偏置
3,测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示, 分析他们的类型、管脚和所用的材料(硅或锗) 判断依据: 1.在放大区,NPN管:V≥VB>VE2.硅管:vaE=0.7 PNP管: VCSVBVE锗管 E=0.2V c/12v e|12V c|12V e 3.7V 113V 15V e b 3V oV 4.8V 硅管,NPN硅管,PNP锗管,PNP
3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示， 分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 1.在放大区，NPN管：VCVB>VE PNP管： VCVB<VE 2.硅管：VBE=0.7V 锗管：VBE=-0.2V 3.7V 3V 12V 11.3V 0V 12V 15V 14.8V 12V 硅管，NPN b e c 硅管，PNP b c e e b c 锗管，PNP
