第二章基本概念题 1,三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的?(√) 2,当三极管工作在放大区时,发射结电压 为正偏置,集电结电压为反偏置
第二章基本概念题 1，三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的？（ ） 2，当三极管工作在放大区时，发射结电压 为 正 偏置，集电结电压为 反 偏置
3,测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示, 分析他们的类型、管脚和所用的材料(硅或锗) 判断依据: 1.在放大区,NPN管:V≥VB>VE2.硅管:vaE=0.7 PNP管: VCSVBVE锗管 E=0.2V c/12v e|12V c|12V e 3.7V 113V 15V e b 3V oV 4.8V 硅管,NPN硅管,PNP锗管,PNP
3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示， 分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 1.在放大区，NPN管：VCVB>VE PNP管： VCVB<VE 2.硅管：VBE=0.7V 锗管：VBE=-0.2V 3.7V 3V 12V 11.3V 0V 12V 15V 14.8V 12V 硅管，NPN b e c 硅管，PNP b c e e b c 锗管，PNP
4测出电路中晶体管三个电极对地的电位,判断其工作状态。 8V 12v 3.3V 3.7V 2V 3.7V 3V 3V 3 BE=0.7V VRE=IV VBE=0.7V Ⅴ>VB>VE VCEO3VV,且va>V放大状态: VCsVBTV,且VVa 截止状态:VBVm 饱和状态:VBEV,且 VCESVBE饱和状态:VmVm,且Vc2VBE
4,测出电路中晶体管三个电极对地的电位，判断其工作状态。 3.7V 3V 8V 2V 3V 12V 3.7V 3V 3.3V 判断依据： NPN管： 放大状态：VCVB>VE，且VBE>Vth 截止状态：VBEVth，且VCE VBE PNP管： 放大状态：VC VBVth 饱和状态： VBEVB>VE 放大 VBE＝－1V 截止 饱和 VBE＝0.7V VCE=0.3V<VBE
例题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数 值下降的原因是B,而低频信号作用时 放大倍数数值下降的原因是A A.耦合和旁路电容的存在 B.晶体管极间电容和分布电容的存在 C.晶体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 当信号频率等于放大电路的上、下限频 率时,放大倍数的值约下降到中频时的 B。 A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍
• 放大电路在高频信号作用时放大倍数数 值下降的原因是 B ，而低频信号作用时 放大倍数数值下降的原因是 A 。 A. 耦合和旁路电容的存在 B. 晶体管极间电容和分布电容的存在 C. 晶体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适 • 当信号频率等于放大电路的上、下限频 率时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 例题：
对于单管共射放大电路,当其工作频率等 于上限频率时,输出电压与输入电压之间 的相位关系是B。当其工作频率等于 下限频率时,输出电压与输入电压之间的 相位关系是C。 A.+450B.-2250C.-1350D-450 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化, 可以得到它的频率响应,条件是A。 A.输入电压幅值不变,改变频率。 B.输入电压频率不变,改变幅值。 C.输入电压的频率和幅值同时变化
• 对于单管共射放大电路，当其工作频率等 于上限频率时，输出电压与输入电压之间 的相位关系是 B 。当其工作频率等于 下限频率时，输出电压与输入电压之间的 相位关系是 C 。 A. +450 B. -2250 C.-1350 D.-450 • 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化， 可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A. 输入电压幅值不变，改变频率。 B. 输入电压频率不变，改变幅值。 C. 输入电压的频率和幅值同时变化
某放大电路的波特图如图所示,填空: (1)中频电压增益20gA-_60dB,A±103 (2)电压放大倍数 (3)电路的下限频率为10Hz,上限频率 为_104Hz; (4)当频率为105Hz时,附加相移为—1350; (5)该放大电路为 201g A,/dB 60 20dB什十倍频 两级放大电路(一 20dB什十倍频 级、二级或三级) 40dB/十 20 10101102103104105mHz
某放大电路的波特图如图所示，填空： （1）中频电压增益 ＝ 60 dB， =103 ; （2）电压放大倍数 ； （3）电路的下限频率为 10 Hz，上限频率 为 104 Hz; （4）当频率为105Hz时，附加相移为－1350 ； 10 101 102 103 104 105 f/Hz 60 40 20 20lg A v / dB 20dB/十倍频 －20dB/十倍频 －40dB/十倍频 Av 20lg Avm Av = （5）该放大电路为 两级放大电路（一 级、二级或三级）
第六章基本概念题 集成运放电路采用直接耦合是因为_C A可获得较大的放大倍数; B可使温度漂移小; C集成工艺难于制造大容量电容。 通用型集成运放适用于放大B。 A高频信号; B低频信 号 C任何频率信号
第六章基本概念题 • 集成运放电路采用直接耦合是因为 C 。 A 可获得较大的放大倍数； B 可使温度漂移小； C 集成工艺难于制造大容量电容。 • 通用型集成运放适用于放大 B 。 A 高频信号； B 低频信号； C 任何频率信号
集成运放制造工艺使同类半导体的C。 A指标参数准确; B参数不受温度影响; C参数一致性好。 集成运放输入级多采用差分电路是因为可 以_A A减小温漂; B增大放大倍数 C提高输入电阻
• 集成运放制造工艺使同类半导体的 C 。 A 指标参数准确； B 参数不受温度影响； C 参数一致性好。 • 集成运放输入级多采用差分电路是因为可 以 A。 A 减小温漂； B 增大放大倍数； C 提高输入电阻
为增加电压放大倍数,集成运放的中间级 多采用A。 A共射放大电路 B共基放大电路; C共集放大电路。 集成电路中采用有源负载是为了B_。 A减小温飘; B增大电压放大倍数; C提高输入电阻
• 为增加电压放大倍数，集成运放的中间级 多采用 A 。 A 共射放大电路； B 共基放大电路； C 共集放大电路。 • 集成电路中采用有源负载是为了B 。 A 减小温飘； B 增大电压放大倍数； C 提高输入电阻
为增强带负载的能力,使最大不失真输出电压 尽可能大,且减小直流功耗,集成运放输出级 多采用C。 A共射放大电路; B共集放大电路; C互补输出级(OCL电路)。 ·在双极型晶体管构成的集成运放中,设置静态 工作点的方法是利用电流源为放大管C Δ提供稳定的偏置电压; B提供稳定的偏置电流; C提供稳定的集电极电流或发射极电流
• 为增强带负载的能力，使最大不失真输出电压 尽可能大，且减小直流功耗，集成运放输出级 多采用 C 。 A 共射放大电路； B 共集放大电路； C 互补输出级（OCL电路）。 • 在双极型晶体管构成的集成运放中，设置静态 工作点的方法是利用电流源为放大管 C 。 A 提供稳定的偏置电压； B 提供稳定的偏置电流； C 提供稳定的集电极电流或发射极电流
