第13章静电场与物质的相互作用
第 13 章 静电场与物质的相互作用
引 言 >静电场与物质的相互作用问题：(1)物 质在静电场中要受到电场的作用，表现出 宏观电学性质；（2)物质的电学行为也会 影响电场分布，最后达到静电平衡状态。 >理论基础为静电场的高斯定理与环流定理 ∑9 fE.d5 .i Ed7-0 80 物体响应外电场产生电流的性质称为导电性
理论基础为静电场的高斯定理与环流定理 静电场与物质的相互作用问题：（1）物 质在静电场中要受到电场的作用，表现出 宏观电学性质；（2）物质的电学行为也会 影响电场分布，最后达到静电平衡状态。 0 d i i S q SE 0d L lE 引 言 物体响应外电场产生电流的性质称为导电性
***物质分类*** √导体 ·导体内存在大量的自由电子（在晶格离 子的正电背景下) √绝缘体 ·与导体相对，绝缘体内没有可自由移动的 电子—称电介质 √半导体超导体 ·半导体内有少量的可自由移动的电荷 导体、电介质和半导体与静电场作用的物理机 制各不相同。本章讨论金属导体
导体 ***物质分类*** 导体、电介质和半导体与静电场作用的物理机 制各不相同。 绝缘体 半导体 超导体 • 导体内存在大量的自由电子（在晶格离 子的正电背景下） • 与导体相对，绝缘体内没有可自由移动的 电子——称电介质 本章讨论金属导体 • 半导体内有少量的可自由移动的电荷
§13.1静电场中的导体 导体电中性、带电、自由电子的热运动以及在电场中的性质
§13.1静电场中的导体 静电场中的导体 导体电中性、带电、自由电子的热运动以及在电场中的性质
一、导体的静电平衡状态 静电感应： 在外电场作用下，导体内自由电 子有宏观移动，导体表面出现宏 观电荷分布的现象。 E-E+E-00 E 静电平衡： 当导体内部和表面都没有宏观的电 荷移动时，导体处于静电平衡。此 时，感应电荷产生的附加电场与外 加电场在导体内部相抵消
静电感应： 在外电场作用下，导体内自由电 子有宏观移动，导体表面出现宏 观电荷分布的现象。 一、导体的静电平衡状态 静电平衡： 当导体内部和表面都没有宏观的电 荷移动时，导体处于静电平衡。此 时，感应电荷产生的附加电场与外 加电场在导体内部相抵消。 Eo F - E - + + + + + - - - - 0 EEE 0
二、导体的静电平衡条件 (1)导体内部，场强处处为零。否则，自 由电子将继续有宏观移动。 E=E0+E=0 (2)导体表面外的场强垂直于导体的表面。否则， 自由电子将继续沿表面宏观移动
二、导体的静电平衡条件 （ 2）导体表面外的场强垂直于导体的表面。否则， 自由电子将继续沿表面宏观移动。 0 EEE ' 0 （ 1）导体内部，场强处处为零。否则，自 由电子将继续有宏观移动。 E F -
(3)、导体的电势 在导体上任意两点间的电势差为： -=-%6 =0 >U,=U6 (1)E=0, 处于静电平衡时，导体上各点 导体内部； 电势相等； (2)E·d1=0, 导体成为等势体，导体表面成为 导体表面。 等势面
UU ba )( )( d ba ab lEVV 0 •处于静电平衡时，导体上各点 电势相等； 在导体上任意两点间的电势差为： a b (3)、导体的电势 •导体成为等势体，导体表面成为 等势面。 导体内部； E ,0 )1( 导体表面。 lE ,0d )2(
13.1.2、导体电荷的分布 1.电荷只分布在导体表面上，导体内部处处不带电 在导体内任取一高斯面S,由高斯定理： E.as=0 E内=0 →∑9=Jpr=0 S内 …高斯面为任意 >p=0(导体内部) 导体内部没有净电荷，电荷只能分布在导体表面
1. 电荷只分布在导体表面上，导体内部处处不带电 0d S SE 0d Vq V S 内 在导体内任取一高斯面 S，由高斯定理： 高斯面为任意 E内 0 13.1.2、导体电荷的分布 导体内部没有净电荷，电荷只能分布在导体表面。 S + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + E内 0 （导体内部） 0
2.静电平衡下的孤立导体 实验研究导体电荷的 定性分布：其表面处 面电荷密度σ与该表 面曲率有关（如图） (1)在导体表面曲率为正值 且较大的地方电荷面密度较 大， (2)在曲率较小部分电荷面密度较小 >当表面凹进时，曲率为负值，电荷面密度更小
（1）在导体表面曲率为正值 且较大的地方电荷面密度较 大， 2. 静电平衡下的孤立导体 实验研究导体电荷的 定性分布：其表面处 面电荷密度与该表 面曲率有关（如图） （2）在曲率较小部分电荷面密度较小 当表面凹进时，曲率为负值，电荷面密度更小
3.导体表面电荷与导体表面外侧电场的关系 设导体表面上的电荷面密度和表面外侧 电场强度如图所示 对如图所示高斯面，应用高斯定理： fEds=∫Eds+∫Eds 导体 △S1 (△S2+△S3) OAS =E△S 三 =6E E 0 *P点的场强是由导体上全部电荷所贡献的
E 导体 3. 导体表面电荷与导体表面外侧电场的关系 S SE d 1 32 d d S SS SESE SE 0 S 设导体表面上的电荷面密度和表面外侧 电场强度如图所示 对如图所示高斯面，应用高斯定理： n 0 eE E 0 S1 S2 S3 E *P点的场强是由导体上全部电荷所贡献的
