学习情境1N/PM05管版图设计习题 一、单选题 1V5的作用是检查所设计的版图是否与所设计的()完全一致。 结构图 电路性脆 电路程序 线塔图 2委想将版图中的金属2与金属1实现电连接，需要在它们之间如上()， i相 poly_contact active_contact 都不需要 3.M05品体管是一种( )控制器件。 电压 电流 电阻 电容 4.即使城图中品体管的尺寸与所对应的战路图完全一政，仿真的结果依然会有差异， 主要单因是( ) 版图仿真时参数选择上考虑了寄生效应 品体管的性能与尺寸无关 实际是相同的，只是伤真的结果有误差 上述原因都不对 5,根据饭图设计规则中的( )最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。 active poly metal1 n_well 6在NMOS管或PMOS管的仿真被形中，都会有()损失的情况出现
学习情境 1 N/P MOS 管版图设计习题 一、单选题 1. LVS 的作用是检查所设计的版图是否与所设计的（ ）完全一致。 结构图 电路性能 电路程序 线路图 2. 要想将版图中的金属 2 与金属 1 实现电连接，需要在它们之间加上（ ）。 via poly_contact active_contact 都不需要 3. MOS 晶体管是一种（ ）控制器件。 电压 电流 电阻 电容 4. 即使版图中晶体管的尺寸与所对应的线路图完全一致，仿真的结果依然会有差异， 主要原因是（ ）。 版图仿真时参数选择上考虑了寄生效应 晶体管的性能与尺寸无关 实际是相同的，只是仿真的结果有误差 上述原因都不对 5. 根据版图设计规则中的（ ）最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。 active poly metal1 n_well 6. 在 NMOS 管或 PMOS 管的仿真波形中，都会有（ ）损失的情况出现
电流 电容 电压 电感 7,版图设计规则，原因是器件的几何图形受加工精度的限制，物理学上对器件图形大 小和( )也有要求。 精度 形状 同距 层次 8.设计规则通常用图形的最小宽度、最小间隔、最小伸展和最小( )米表达. 长度 尺寸 形状 重叠 9.下面的版图设计规则，有关源区与源区距离的规则是( Active to N-Select spacing Active to Active spacing Active to P.Select spacing Select Edge to ActCnt 10.版图设计规则是由集成电路芯片制造公可的( ),根据本公司工艺线的能力 确定的。 工艺工程师 测试工程师 设备工程师 都不是 二，判断圈 11.衬底或除也被称为M05品体管的体(bod或buk). 是 否
电流 电容 电压 电感 7. 版图设计规则，原因是器件的几何图形受加工精度的限制，物理学上对器件图形大 小和（ ）也有要求。 精度 形状 间距 层次 8. 设计规则通常用图形的最小宽度、最小间隔、最小伸展和最小（ ）来表达。 长度 尺寸 形状 重叠 9. 下面的版图设计规则，有关源区与源区距离的规则是（ ）。 Active to N-Select spacing Active to Active spacing Active to P-Select spacing Select Edge to ActCnt 10. 版图设计规则是由集成电路芯片制造公司的（ ），根据本公司工艺线的能力 确定的。 工艺工程师 测试工程师 设备工程师 都不是 二、判断题 11. 衬底或阱也被称为 MOS 晶体管的体（body 或 bulk）。 是 否
12,在n瞒CM0s工艺中，为保证电路功能，n肼要接在电路的最底电位， 是 否 13.n阱除了可以用于制作PMO5品体管外，还可以用米做电阻。 是 否 14 PO5品体管的速度要高于N0S品体管的速度，因为空穴的迁移率要比电子高。 是 否 15.N/PMO5品体管制作过程中带来的寄生效应是可以滑灭的。 是 香 16.设计中采用的品体管最小尺寸，取决于遮择制作C的生产线的工艺水平。 是 香 17.图形转移技术是集成电路主要工艺技术之一。 是 香 18.允胶显修后，光品区域的光划胶霞去掉了，这个过程核称作为负胶处理。 是 否 19.版图中的active是指品体管的有源区. 是 香 20.版图中的pcN.contact,作用是有源区与金属的接触孔. 是 否
12. 在 n 阱 CMOS 工艺中，为保证电路功能，n 阱要接在电路的最底电位。 是 否 13. n 阱除了可以用于制作 PMOS 晶体管外，还可以用来做电阻。 是 否 14. PMOS 晶体管的速度要高于 NMOS 晶体管的速度，因为空穴的迁移率要比电子高。 是 否 15. N/PMOS 晶体管制作过程中带来的寄生效应是可以消灭的。 是 否 16. 设计中采用的晶体管最小尺寸，取决于选择制作 IC 的生产线的工艺水平。 是 否 17. 图形转移技术是集成电路主要工艺技术之一。 是 否 18. 光刻胶显影后，光照区域的光刻胶被去掉了，这个过程被称作为负胶处理。 是 否 19. 版图中的 active 是指晶体管的有源区。 是 否 20. 版图中的 poly_contact，作用是有源区与金属的接触孔。 是 否