二极管和三极管专题试卷 一，单选题 9.射极输出器的输出阻抗()，故常用在输出极。 A:较高岳：低C:不高不低：很高 10。二极管半波整流时负载两端的直流电压等于()， A:0.72B:2C:Q.45U2aQ2 12.射极输出器的电压放大倍数约等于()， A:80-100B:1C:<50D: 0。在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入(。 A:电压负反馈电压正反馈C:电流负反馈D:电流正反馈 22。在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用()放大电路。 A:共发时极B:共基极C:共集电极D:共阴极 24.已知放大电路中三个管脚对地的电位是(1)0W:(2)Q7V:(3)6N,则该三极管 是()型。 A:PN B PNP C:硅管D:锗管 25.放大器采用射极偏置改著工作点偏离的是()。 A:电流正反镜：电蓬负反馈C:电压正反镜D:电压负反馈 3,品体三极管发射结反偏置，集电结处于偏置，品体三极管处于()工作状态。 A:故大B:截止C:饱和D:开路 34,晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反编，则三极管的工作状态为()。 :饱和B:截止C:政大D:导通 39.品体三极管处于收大工作状态，测得集电极电位为6邵，基极电位Q.7V,发财极接 地，则该三极管为()型。 A:NPN B:PNP C:N D:P 41.共发射极政大器，集电极电阻C的作用是()。 A:实现电流放大B品体管电流放大转变速器成电压放大 C:电流放大与电压成大D:稳定工作点 多透题： 4,多级放大器极间属合形式是()
二极管和三极管专题试卷 一、单选题： 9．射极输出器的输出阻抗（ ），故常用在输出极。 A：较高 B：低 C：不高不低 D：很高 10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ ）。 A：0.75U2 B：U2 C：0.45U2 D：0.9U2 12．射极输出器的电压放大倍数约等于（ ）。 A：80--100 B：1 C：<50 D： 20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（ ）。 A：电压负反馈 B：电压正反馈 C：电流负反馈 D：电流正反馈 22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ ）放大电路。 A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极 24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管 是（ ）型。 A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管 25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（ ）。 A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈 33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（ ）工作状态。 A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路 34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（ ）。 A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通 39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为 6V，基极电位 0.7V，发射极接 地，则该三极管为（ ）型。 A：NPN B：PNP C：N D：P 41．共发射极放大器，集电极电阻 RC 的作用是（ ）。 A：实现电流放大 B：晶体管电流放大转变速器成电压放大 C：电流放大与电压放大 D：稳定工作点 二、 多选题： 4．多级放大器极间耦合形式是（ ）
A:二极管B:电阻C:阻容D:变压器E:直接 23.已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是(1)0N,(2)0.7,(3)6。该三极 各管物对应的电场是()。 A:(1)是基极B岳(2)是基极C:(1)是发射极 D:(3》是集电极E:(3》是发射极 24.三极管的极限参数主要有(). A:集电极最大允许电流IOB集一射极击穿电压（基极开路）CE0 C:集电极一基极反向饱和电流IC面D:穿透电蓬ICEO E:集电极最大允许耗散功率CX 25.放大电路的三种组态是()， :共发射极做大B:共集电极故大C:触和D:截止 E:共基极故大 27.三极管的三种工作状态是(). A:开路B放大C藏止D短路E:饱和 30.故大电路的三种组态是()。 A:低顿放大器B共集极放大器C:共基极放大器 D:多极放大器E:共发射极战大器 三、判所题： 3.当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工作在饱和区。() 4,品体三极管放大器。为了清除温度变化的影响。一般采用固定偏置电路。() 6。财极输出器不仅修作电压放大器，主要是为了增加输入阻抗，诚低输出阻抗： 品闸管和可控硅 一、单选题： 13.品网管的控制角感大，则输出电压() A,越高B移相位C越低越大 25.可控球的正向阻断是(). A:可控硅加小向阳极电压，挖制极加反向电压 B,可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压 C:可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D:可控硅如反向阳极电压，控制极加反向电压
A：二极管 B：电阻 C：阻容 D：变压器 E：直接 23．已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。该三极 各管脚对应的电场是（ ）。 A：（1）是基极 B：（2）是基极 C：（1）是发射极 D：（3）是集电极 E：（3）是发射极 24．三极管的极限参数主要有（ ）。 A：集电极最大允许电流 ICM B：集—射极击穿电压（基极开路）UCEO C：集电极—基极反向饱和电流 ICBO D：穿透电流 ICEO E：集电极最大允许耗散功率 PCN 25．放大电路的三种组态是（ ）。 A：共发射极放大 B：共集电极放大 C：饱和 D：截止 E：共基极放大 27．三极管的三种工作状态是（ ）。 A：开路 B：放大 C：截止 D：短路 E：饱和 30．放大电路的三种组态是（ ）。 A：低频放大器 B：共集极放大器 C：共基极放大器 D：多极放大器 E：共发射极放大器 三、判断题： 3．当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工作在饱和区。 （ ） 4． 晶体三极管放大器，为了消除温度变化的影响，一般采用固定偏置电路。（ ） 16．射极输出器不仅能作电压放大器，主要是为了增加输入阻抗，减低输出阻抗。 晶闸管和可控硅 一、单选题： 13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ ）。 A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大 26．可控硅的正向阻断是（ ）。 A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压 B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压 C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
28。单相半波可控硅整流电路，流定腔制角的元件是〔)。 A:2B:2/2C:20.452 30。单相桥式半控整流电路，通过改变控制角。负我电压可在()之间连线可调。 A00.452B:00.92C020234l2 32。可控硅导通条件是()， :阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B:阳极与阴极如正向电压，控制极与阴极加正向电压 C:阳极与阴极加反向电压，挖制极与阳极加反向电压 D:阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压 37.可控硅有《)网结组成. A:1个B:2个C:3个D:4个 二，多选题 1山.品网管导通条件是()： A:阳极与阴极之间加正向电压B:阳极与阴极之间如反向电压 C,控制极与阴极之间加正向电压：控制极与朗极之同加反向电压 E:阳极与控制极间加正向电压 16.关断品闸管的方法有()。 A:切断控制极电压B:断开阳极电源C:降低正向阳极电压 D:给阳极加反向电压E:减少控制极电葡 28。品同管的阳断作用有(). A:正向图断B:反向阻断C:正向偏置D:反向编置 E:门极偏置 三、判斯题！ 5。可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅 也无法导通。 9,晶阔管控制角越大电压则魅高。 1山，品网管的导通条件是品属管加正向电压门极加反向电压。 12.品网管具有正反向阻断能力， 17,晶制管触发电路的欧冲前沿要陡，前沿上升时间不超过100翻8， 18.单结品体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极
28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。 A：U2 B：U2/2 C：U2 0.45U2 30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ ）之间连续可调。 A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2 32．可控硅导通条件是( )。 A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压 C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压 37．可控硅有（ ）PN 结组成。 A：1 个 B：2 个 C：3 个 D：4 个 二、多选题： 11．晶闸管导通条件是（ ）。 A：阳极与阴极之间加正向电压 B：阳极与阴极之间加反向电压 C：控制极与阴极之间加正向电压 D：控制极与阴极之间加反向电压 E：阳极与控制极间加正向电压 16．关断晶闸管的方法有（ ）。 A：切断控制极电压 B：断开阳极电源 C：降低正向阳极电压 D：给阳极加反向电压 E：减少控制极电流 28．晶闸管的阻断作用有（ ）。 A：正向阻断 B：反向阻断 C：正向偏置 D：反向偏置 E：门极偏置 三、 判断题： 5．可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅 也无法导通。 （ ） 9．晶闸管控制角越大电压则越高。 （ ） 11．晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。 （ ） 12．晶闸管具有正反向阻断能力。 （ ） 17．晶闸管触发电路的脉冲前沿要陡，前沿上升时间不超过 100μs。 （ ） 18．单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。 （ ）
19。单结品体管的发射极电压高于容点电压时。晶体管號导通。 ()
19．单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。 （ ）