学习情境4©M05传输门版图设计习题 一，单选题 1C05传输门在传输()信号时，有电压信号的损失。 C高电平 0低电平 C高低电平 口上述答案都不对 2采用集成电路工艺制作出的M05管，有许多无法酒除的寄生电容，其中除了源与村 底、漏与村底间的PN结电容外，还有()的电容。 0播与材底何 口懦与氧化层间 0源与氧化层间 0氧化层与材底同 3.CMO5传输门传输信号时，NMOs管和PMOS管情上加的控制电压信号是()。 C相同的 C 互补的 0高电平 C任意的 4.在设计CMOS传输门电路版图时，NMO5品体管的村底是要接(). 口电路最高电平 C 电路最低电平 C电路高、低电平之间 0任意电平
学习情境 4 CMOS 传输门版图设计习题 一、单选题 1. CMOS 传输门在传输（ ）信号时，有电压信号的损失。 高电平 低电平 高/低电平 上述答案都不对 2. 采用集成电路工艺制作出的 MOS 管，有许多无法消除的寄生电容，其中除了源与衬 底、漏与衬底间的 PN 结电容外，还有（ ）的电容。 栅与衬底间 栅与氧化层间 源与氧化层间 氧化层与衬底间 3. CMOS 传输门传输信号时，NMOS 管和 PMOS 管栅上加的控制电压信号是（ ）。 相同的 互补的 高电平 任意的 4. 在设计 CMOS 传输门电路版图时，NMOS 晶体管的衬底是要接（ ）。 电路最高电平 电路最低电平 电路高、低电平之间 任意电平
5.在授计CMOS传输门版图时，需要将PMO5管与NMOS管的有源区相连，采取的方 法是用()相连。 C active 0 poly C metall n_well 6.在CVO5传输门的设计过程中，N/MO5管的栅极控制电压是来源于()输入控制 信号。 0 一个 C 不同 两个 三个 7.如知果需要将板图图层中的多品硅pcy和金属meta1电连接，需要月()米实现。 C active_contact via C poly_contact C metall_contact &.在对版图进行DC检查时，如果出现如下问题，其原因是()。 Metall Overlap of Active Contact-0.6Lambda:(46.500,-8.500>[46.500,-9.500] C金属1与源区接触孔距离过大 C金嘴1与源区接触孔距离太小 口金隔1没有有效覆盖源区按触乳 0源区接触孔与金属1无关 9.在版图编辑过程中，不可以用做连接找的图层是()
5. 在设计 CMOS 传输门版图时，需要将 PMOS 管与 NMOS 管的有源区相连，采取的方 法是用（ ）相连。 active poly metal1 n_well 6. 在 CMOS 传输门的设计过程中，N/PMOS 管的栅极控制电压是来源于（ ）输入控制 信号。 一个 不同 两个 三个 7. 如果需要将版图图层中的多晶硅 poly 和金属 metal1 电连接，需要用（ ）来实现。 active_contact via poly_contact metal1_contact 8. 在对版图进行 DRC 检查时，如果出现如下问题，其原因是（ ）。 Metal1 Overlap of Active Contact=0.6 Lambda:[46.500,-8.500]->[46.500,-9.500] 金属 1 与源区接触孔距离过大 金属 1 与源区接触孔距离太小 金属 1 没有有效覆盖源区接触孔 源区接触孔与金属 1 无关 9. 在版图编辑过程中，不可以用做连接线的图层是（ ）
acthve poly metall c metal2 10,对CMO5传输门电路板图的进行仿真，如果出现的问题是达不到需要的工作频率， 通常采用的政进方法是()。 口减少后级负载电容 C适当增加MC5管的W处 C适当减少M0S管的WM C增加后级负载电容 二，判断思 11.CM05传输门传输高电平时，没有同值电压的损失《》. 0是 C 否 12,两个并联的P05管，在版图设计上可以共用一个P区，这个P区的作用是一个PM05 管的漏。同时还是另一个M05管的源。() 0是 0香 13,在C版图设计中，为详细描述PM05管，将其划分为5个部分：通道，源极斯、漏 楼端、顺极端和基板瑞，基板端是N型村底或N阱。() C是 0香 14.CM05传输门中，两个M05管的多品硅糊极是要违接在一起的。() C是
active poly metal1 metal2 10. 对 CMOS 传输门电路版图的进行仿真，如果出现的问题是达不到需要的工作频率， 通常采用的改进方法是（ ）。 减少后级负载电容 适当增加 MOS 管的 W/L 适当减少 MOS 管的 W/L 增加后级负载电容 二、判断题 11. CMOS 传输门传输高电平时，没有阈值电压的损失（ ）。 是 否 12.两个并联的 PMOS 管，在版图设计上可以共用一个 P 区，这个P 区的作用是一个 PMOS 管的漏，同时还是另一个 PMOS 管的源。（ ） 是 否 13. 在 IC 版图设计中，为详细描述 PMOS 管，将其划分为 5 个部分：通道、源极断、漏 极端、栅极端和基板端，基板端是 N 型衬底或 N 阱。（ ） 是 否 14.CMOS 传输门中，两个 MOS 管的多晶硅栅极是要连接在一起的。（ ） 是
C否 15.在CVO5传输门版图上，如果加入一个CM05倒相器，并将倒相器的输入与输出端 分别与传输门中两个M0s管厮极连接，可以构成一个CMO5同或门.(） 0是 0否 16.CMOS三态门可以用CM0s倒相器和CMOs传输门构成，三态门的第三态是高阻态， () C是 0香 17,进行CM0s传输门版图设计时，通常在电源线上走多晶硅以节省艺片面积。() 0是 C 否 18.在进行CM5传输门版图仿真时，需要对电源、地、输入数据和输出数据加载信号， () C是 0香 19.CMOS传输门版图中，NMOS管的W八是PM0S管wn的一半，因为空穴的迁移率 上电子迁移率的一倍。() C是 C香 2如.在设计集成电路版图时，功耗和速度对于器件尺寸选取的要求是矛盾的，因此要进 行镶合考虑和平衡，() 0是 C香 窗体底端
否 15.在 CMOS 传输门版图上，如果加入一个 CMOS 倒相器，并将倒相器的输入与输出端 分别与传输门中两个 MOS 管栅极连接，可以构成一个 CMOS 同或门。（ ） 是 否 16. CMOS 三态门可以用 CMOS 倒相器和 CMOS 传输门构成，三态门的第三态是高阻态。 （ ） 是 否 17. 进行 CMOS 传输门版图设计时，通常在电源线上走多晶硅以节省芯片面积。（ ） 是 否 18.在进行 CMOS 传输门版图仿真时，需要对电源、地、输入数据和输出数据加载信号。 （ ） 是 否 19. CMOS 传输门版图中，NMOS 管的 W/L 是 PMOS 管 W/L 的一半，因为空穴的迁移率 上电子迁移率的一倍。（ ） 是 否 20. 在设计集成电路版图时，功耗和速度对于器件尺寸选取的要求是矛盾的，因此要进 行综合考虑和平衡。（ ） 是 否 窗体底端
