学习情境3@05与非/成非门版图设计习题 一、单选题 1CMO5与非门中NMO5管是串联的.而PMOs管是()的， C并联 C申联 口先串后并 0先并后串 2CVO5或非门中PMO5管是串联的。而NMO5管是()的. C串联 C先串后并 先并后串 C 并联 3.两输入CMO5与非门中。可以共用有有源区的是一个NMO5管的源和另一个NMO5 管的《)。 C源 C 桶 C 漏 0村底 4.M05曾共用有簿区的好处是减少(). C面积 C功耗 体电阻 C电面
学习情境 3 CMOS 与非/或非门版图设计习题 一、单选题 1. CMOS 与非门中 NMOS 管是串联的，而 PMOS 管是（ ）的。 并联 串联 先串后并 先并后串 2. CMOS 或非门中 PMOS 管是串联的，而 NMOS 管是（ ）的。 串联 先串后并 先并后串 并联 3. 两输入 CMOS 与非门中，可以共用有有源区的是一个 NMOS 管的源和另一个 NMOS 管的（ ）。 源 栅 漏 衬底 4. MOS 管共用有源区的好处是减少（ ）。 面积 功耗 体电阻 电流
5.对于NO5管，其线路结构构成的原则是()： C串与并或 0串并或与 C串并均与 口并与串成 6.对于N个串联的NMOs管，与CO5倒相墨中的单个NM0S管相比，尺寸应()： 口没变化 C减少为1N C增大N倍 C 不确定 7.对于N个并联的PMOs管，与OMO5倒相器中的单个PMOs管相比，尺寸应(). 口没变化 C减少为1N C增大N倍 不确定 8.CVO5与非门的版图尺寸，高度应当与CMO5倒相器相同，而宽度通常会比CO5倒 相器(). 0小 C 大 C相同 不一定 9.C05与减丰门构成的原则。与CMO5与非/成非门( 0基本相同 0不同
5. 对于 NMOS 管，其线路结构构成的原则是（ ）。 串与并或 串并或与 串并均与 并与串或 6. 对于 N 个串联的 NMOS 管，与 CMOS 倒相器中的单个 NMOS 管相比，尺寸应（ ）。 没变化 减少为 1/N 增大 N 倍 不确定 7. 对于 N 个并联的 PMOS 管，与 CMOS 倒相器中的单个 PMOS 管相比，尺寸应（ ）。 没变化 减少为 1/N 增大 N 倍 不确定 8. CMOS 与非门的版图尺寸，高度应当与 CMOS 倒相器相同，而宽度通常会比 CMOS 倒 相器（ ）。 小 大 相同 不一定 9. CMOS 与或非门构成的原则，与 CMOS 与非/或非门（ ）。 基本相同 不同
C完全相月 C都不对 10.CM05与/域非门的静态功耗(). C不为零 0为零 C 看具体情况定 0都不对 二，判断题 11.集成电路芯片制适过程中。掩膜版的质量对芯片成品率的影响丰常大，通常对掩膜 版的要求整套版子要互套精确。 C是 0香 12.在进行电路线路图设计和版图设计后，可以利用下5进行解到分析，在选行瞬 时分析时，d和Gd不需要如载. 0是 0否 13.电路版图的瞬态仿真，是观察输出信号随输入信号的变化情况。 C是 C 香 14.通常米说，电路版图仿真结果与电路线路图伤真结果是一政的。 C 是 0否 15.版图设计规则检查时，如果出现出现情误“Poly Minimum Width=2 Lambd的： .000,6.000>7.000,6.000”,表示所编辑的多品硅宽度太大了
完全相同 都不对 10. CMOS 与非/或非门的静态功耗（ ）。 不为零 为零 看具体情况定 都不对 二、判断题 11. 集成电路芯片制造过程中，掩膜版的质量对芯片成品率的影响非常大，通常对掩膜 版的要求整套版子要互套精确。 是 否 12. 在进行电路线路图设计和版图设计后，可以利用 T-Spice 进行瞬时分析，在进行瞬 时分析时，Vdd 和 Gnd 不需要加载。 是 否 13. 电路版图的瞬态仿真，是观察输出信号随输入信号的变化情况。 是 否 14. 通常来说，电路版图仿真结果与电路线路图仿真结果是一致的。 是 否 15. 版图设计规则检查时，如果出现出现错误“Poly Minimum Width=2 Lambda: [8.000,-6.000]->[7.000,-6.000]”，表示所编辑的多晶硅宽度太大了
C是 香 16.CM05与丰门电路中，要求所有PM03和NM0S管的村底都接在电路最高电位。 0是 0否 17.全CMO5电路中，NM05管和PMO5管的数量是相等的. C是 0香 18.CM05或半门电路中，进行版图编辑时，通常电源线的金属宽度比一般金属宽度要 宽。 0是 0 香 19.多品硅白对准工艺。是C05集成电路中很少采用的工艺。 0是 0香 0,对于M05晶体管。正常工作时，电流是沿着与硅片表面垂直的方向流动的。 C是 C 窗体底端
是 否 16. CMOS 与非门电路中，要求所有 PMOS 和 NMOS 管的衬底都接在电路最高电位。 是 否 17. 全 CMOS 电路中，NMOS 管和 PMOS 管的数量是相等的。 是 否 18. CMOS 或非门电路中，进行版图编辑时，通常电源线的金属宽度比一般金属宽度要 宽。 是 否 19. 多晶硅自对准工艺，是 CMOS 集成电路中很少采用的工艺。 是 否 20. 对于 MOS 晶体管，正常工作时，电流是沿着与硅片表面垂直的方向流动的。 是 否 窗体底端