第一章测试恩（选择题都分19题） 1,N型率导体的多数载流子是()。 ⊙A电子 C且空穴 CC,正离子 C山.负离子 2、在杂质率导体中，多子的浓度主要取决于()，面少子的浓度与《)有很大关系。 ①温度 ②拷杂工艺 ③桑质浓度 ④品体缺陷 CA①②CR®④0C②001.④④ 3、当W结外加正向电压时，扩散电流《)潭移电流，耗尽层()。当W结外加反向电 压时，扩散电流()漂移电流，耗尽层《)。 ①大于 ②小于 ③变窄 ④变宽 。k0a2001.2a000c.①0230n②00a 4、随着正向电流的增大，普通二极管的直流电阻和交流电阻()。 ⑧A两者都增大0R前者增大，后者减少CC前者减少，后者增大0八.两 者都减少 5、工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大到0A时，1C从1时增大到24， 则它的B值约为()， ⊙A10CB50Cc100CL.200 6、电溶如图PL.6所示，该三极管工作于()
第一章测试题（选择题部分 1-9 题） 1、 N 型半导体的多数载流子是（ ）。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2、 在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（ ），而少子的浓度与（ ）有很大关系。 ①温度 ②掺杂工艺 ③杂质浓度 ④晶体缺陷 A. ①② B.③④ C. ②① D.④③ 3、 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。当 PN 结外加反向电 压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。 ①大于 ②小于 ③变窄 ④变宽 A. ①③②④ B. ②③①④ C.①④②③ D.②④①③ 4、 随着正向电流的增大，普通二极管的直流电阻和交流电阻（ ）。 A. 两者都增大 B. 前者增大，后者减少 C. 前者减少，后者增大 D. 两 者都减少 5、 工作在放大区的三极管，当 I B 从 20μA 增大到 40μA 时， I C 从 1mA 增大到 2mA， 则它的 β 值约为（ ）。 A.10 B. 50 C.100 D. 200 6、 电路如图 P1.6 所示，该三极管工作于（ ）
9+12V 200k0育4k0 5=100 e=0,7V Uas=0.3V 图P16 A放大区 CB.截止区 0c饱和区 CD.无法确定 7、测符成大电路中某三极管各电极对地的电位YB“27V,VE·2,7C·6,则 该管《)。 ⊙A硅NPw管C且.储N鸭管CC硅WP管CD.储P管 8、稳压电路如图P1.8所示，其中U江=7V,U2=3,该电路输出电压为()。 R G=12V VDzi本VDz本 ☒P1.8 ⊙A.aVC&1.v C C.3V C D.7W 9、用直流电压表测得放大电路中某半导体管三个电极1,2、3的电位各为V1“2少、V2 =6W、V3=2.7v,则()。 ⊙A1为e,2为b,3为0 C且1为e,2为e,3为b
A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 无法确定 7、 测得放大电路中某三极管各电极对地的电位 V B = 2.7V， V E = 2V， V C = 6V，则 该管（ ）。 A.硅 NPN 管 B. 锗 NPN 管 C. 硅 PNP 管 D. 锗 PNP 管 8、 稳压电路如图 P1.8 所示，其中 U Z1 = 7V， U Z2 = 3V，该电路输出电压为（ ）。 A . 0.7V B. 1.4V C. 3V D . 7V 9、 用直流电压表测得放大电路中某半导体管三个电极 1、2、3 的电位各为 V 1 = 2V、 V 2 = 6V、 V 3 = 2.7V，则（）。 A. 1 为 e，2 为 b，3 为 c B. 1 为 e，2 为 c，3 为 b
CC.1为b,2为，3为e Cn.1为b,2为c,3为e
C. 1 为 b，2 为 e，3 为 c D. 1 为 b，2 为 c，3 为 e