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《传感器技术》课程电子教案(PPT教学课件)第2章 光电式传感器

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将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光 电元件。光电式传感器的工作原理是:首先把 被测量的变化转换成光信号的变化,然后通过 光电转换元件变换成电信号。光电传感器的工 作基础是光电效应。
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第2章光电式传感器 将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光 电元件。光电式传感器的工作原理是:首先把 鹁阄鞲段荛华揆 的变化,然后通过 。光电传態 作基础是光电效应。 辐射源 光学通路光电器件>输出 被测量 被测量

第2章 光电式传感器 将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光 电元件。光电式传感器的工作原理是:首先把 被测量的变化转换成光信号的变化,然后通过 光电转换元件变换成电信号。光电传感器的工 作基础是光电效应

2.1光电效应概述 光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。 外光电效应 在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的 现象称为外光电效应。 基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。 我们知道,光子是具有能量的粒子,每个光子具有的能力 由下式确定。 e=h 式中:h=6.626×103(s)为普朗克常数 v一光的频率(s)

2.1 光电效应概述 光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。 一. 外光电效应 在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的 现象称为外光电效应。 基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。 我们知道,光子是具有能量的粒子,每个光子具有的能力 由下式确定。 s ) h 6.626 10 (J s ) -1 -3 4 -光的频率( 式中: 为普朗克常数   =   E = h

若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸 出功A0时,电子就逸出物体表面,产生电子发 射。故要使一个电子逸出,则光子能量hν必须 超出逸出功A0,超过部分的能量,表现为逸出 电子的动能。即 h 2+ Ao 式中:m-电子质量 电子逸出速度

若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸 出功A0时,电子就逸出物体表面,产生电子发 射。故要使一个电子逸出,则光子能量hν必须 超出逸出功A0 ,超过部分的能量,表现为逸出 电子的动能。即 电子逸出速度。 式中: 电子质量 u - m - 0 0 2 0 2 1 h = mu + A

二内光电效应 受光照的物体导电率发生变化,或产生光生电 动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分 为以下两大类。 1)光电导效应。在光线作用下,电子吸收光子 能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料 电阻率变化,这种效应称为光电导效应。基于 这种效应的器件有光敏电阻等。 2)光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产 生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基 于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等

二.内光电效应 受光照的物体导电率发生变化,或产生光生电 动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分 为以下两大类。 1)光电导效应。在光线作用下,电子吸收光子 能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料 电阻率变化,这种效应称为光电导效应。基于 这种效应的器件有光敏电阻等。 2)光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产 生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基 于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等

2.2光电管 普通光电管 在一个真空泡内装有两个电 阴极 极:光电阴极和光电阳极。 阳极 光电阴极通常是用逸出功小 的光敏材料徐敷在玻璃泡内 壁上做成,其感光面对准光 的照射孔。当光线照射到光 敏材料上,便有电子逸出, 这些电子被具有正电位的阳 极所吸引,在光电管内形成 空间电子流,在外电路就产 生电流

一. 普通光电管 在一个真空泡内装有两个电 极:光电阴极和光电阳极。 光电阴极通常是用逸出功小 的光敏材料徐敷在玻璃泡内 壁上做成,其感光面对准光 的照射孔。当光线照射到光 敏材料上,便有电子逸出, 这些电子被具有正电位的阳 极所吸引,在光电管内形成 空间电子流,在外电路就产 生电流。 2.2 光电管

人射光 阳极 阴极 光电管的结构及外电路接线 a)光电管的结构b)外电路接线

二.光电倍增管 1.结构与 原理 光 由于真空 通蛋 光电管的 灵敏度较 K倍增极D阳极A 低,因此光 人们便研 制了光电 交乡 倍增管, 其工作原 DI 理如图。 光电倍增管的外形和工作原理

二. 光电倍增管 1.结构与 原理 由于真空 光电管的 灵敏度较 低,因此 人们便研 制了光电 倍增管, 其工作原 理如图

2主要参数 1)倍增系数M M=6 电流放大倍数 M与所加电压有关,一般在105-108之间。一般阳极 和阴极的电压为1000V-2500V,两个相邻的倍增电 极的电压差为50V-100V

2.主要参数 1)倍增系数M n M =  i 电流放大倍数 n i i I  = =  M与所加电压有关,一般在105-108之间。一般阳极 和阴极的电压为1000V-2500V,两个相邻的倍增电 极的电压差为50V-100V

2)阴极灵敏度和总灵敏度 一个光子在阴极上能 放大倍数 够打出的平均电子数 10 焦作光电阴极的灵敏 度。而一个光子在阳 105 极上产生的平均电子 数焦灼光电倍增管的 04 总灵敏度。 0 光电倍增管的放大倍 极间电压/v 数或总灵敏度如图所 刁N 255075100125 光电倍增管的特性曲线

2)阴极灵敏度和总灵敏度 一个光子在阴极上能 够打出的平均电子数 焦作光电阴极的灵敏 度。而一个光子在阳 极上产生的平均电子 数焦灼光电倍增管的 总灵敏度。 光电倍增管的放大倍 数或总灵敏度如图所 示

23光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在 有光线作用下实质就是电源,电路中有了这种器件就不需要外 加电源。 结构与工作原理 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。它实质上是一 个大面积的PN结,当光照射到PN结的一个面,例如p型面时,若 光子能量大于半导体材料的禁带宽度,那么p型区每吸收一个光 子就产生一对自由电子和空穴,电子空穴对从表面向内迅速扩 散,在结电场的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势

光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 光电池在 有光线作用下实质就是电源, 电路中有了这种器件就不需要外 加电源。 一.结构与工作原理 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应” 。 它实质上是一 个大面积的PN结, 当光照射到PN结的一个面, 例如p型面时, 若 光子能量大于半导体材料的禁带宽度, 那么p型区每吸收一个光 子就产生一对自由电子和空穴, 电子空穴对从表面向内迅速扩 散, 在结电场的作用下, 最后建立一个与光照强度有关的电动势。 2.3 光电池

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