第四章自测题 一.填空题 1.放大电路高频放大能力降低的原因是： 低频放大能力降低的原因是： 2.影响放大器高频放大能力的管内参数是 :管外参数是 3.欲提高放大器的上截止频率应选 的晶体管 4.两极放大器比单极放大器的上截止频率 (器件参数相同，工作点电流相同的情况下) 5.共射-共基混合连接提高上截止频率的根本原因在于： 答： 6.容性负载放大器用负反馈法展宽频带，其条件是： 7.负反馈放大器增益带宽乘积(AB)为一常数的条件是a 8.共射-共集混合连接电路提高上截止频率只适用于 9.工程估算时，电抗电阻元件组成的电路作近似处理的原则是 10.一个放大电路阶跃响应的上升时间取决于频域特性的 ,而产生的波顶下垂百分 比p取决于频域特性的 二，选择题（答案为一项或多项） 1.放大器的频率失真属于()失真。 A.线性：B.非线性：C.交越；D.饱和：E.截止。 2.下图所示放大电路中，若其它元件参数不变，发射极电阻增大时中频电压放大倍数 (),上截止频率()， R 下截止频率()。 A.增大：B.减小； R C.基本保持不变。 v:D RR 3.上题中所示放大器的参数为R1=24k2,R2=42k2 R、=16k2,Rc=4.7k,R=5.1k2,RE=1k2,C,=C2=10μF, B=100,r=1002
第第四四章章自自测测题题 一． 填空题 1.放大电路高频放大能力降低的原因是： 低频放大能力降低的原因是： 2.影响放大器高频放大能力的管内参数是 ；管外参数是 ____________。 3.欲提高放大器的上截止频率应选 的晶体管 4.两极放大器比单极放大器的上截止频率 。 （器件参数相同，工作点电流相同的情况下） 5.共射-共基混合连接提高上截止频率的根本原因在于： 答： 6.容性负载放大器用负反馈法展宽频带，其条件是： 7.负反馈放大器增益带宽乘积（AB）为一常数的条件是 a b 8. 共射-共集混合连接电路提高上截止频率只适用于 9. 工程估算时，电抗电阻元件组成的电路作近似处理的原则是 10.一个放大电路阶跃响应的上升时间 取决于频域特性的 ，而产生的波顶下垂百分 比 p 取决于频域特性的 二.选择题（答案为一项或多项） 1.放大器的频率失真属于（ ）失真。 A. 线性；B.非线性；C.交越；D.饱和；E.截止。 2.下图所示放大电路中，若其它元件参数不变，发射极电阻 增大时中频电压放大倍数 （ ），上截止频率 （ ）， 下截止频率（ ）。 A.增大；B.减小; C.基本保持不变。 3.上题中所示放大器的参数为 RS US C1 RB1 RC RS C2 VT RB2 RE CE RL R 16k ,R 4.7k ,R 5.1k ,R 1k ,C C 10 F, S = C = L = E = 1 = 2 = RB1 = 24k,RB2 = 42k 100,r 100 , ' bb = =
C=5pF,fr=200MHz,C:=100uF,Voe =12V, (1)中频电压放大倍数A=(): (2)中频源电压放大倍数As=(): (3)电压放大倍数A的上截止频率=()： (4)源电压放大倍数As的上截止频率=()； (⑤)放大器的下截止频率=(） A.-66: B.-90.6; C.53Hz; D.488kHz E.3.3MHz 4.上题所示放大器，若用幅度为5V,频率为10z的方波激励，则输出信号的上升时间 tr=():波顶下垂p=()。 A.0.106μs:B.1.67%:C.0.717μs:D.1.49% 5.下图所示共射放大电路，若图中发射极旁路电容突然开路则() A.中频电压放大倍数提高 B.中频电压放大倍数降低 R.DRc.C: C.放大器上截止频率提高 D.放大器上截止频率降低 R, E.放大器下截止频率增大 ①R F.放大器下截止频率减小
则 (1)中频电压放大倍数 A=( ); (2)中频源电压放大倍数 As=( ); (3)电压放大倍数 A 的上截止频率 =( ); (4)源电压放大倍数 As 的上截止频率 =( ); (5)放大器的下截止频率 =( ). A.-66; B.-90.6; C.53Hz; D.488kHz E.3.3MHz 4.上题所示放大器，若用幅度为 5V，频率为 10kHz 的方波激励，则输出信号的上升时间 tr=（ ）；波顶下垂ρ=（ ）。 A.0.106μs; B.1.67%; C.0.717μs; D.1.49% 5.下图所示共射放大电路，若图中发射极旁路电容突然开路则（ ） A.中频电压放大倍数提高 B.中频电压放大倍数降低 C.放大器上截止频率提高 D.放大器上截止频率降低 E.放大器下截止频率增大 F.放大器下截止频率减小 C 100 F,V 12V, C 5pF,f 200MHz, E = CC = b ' e = T = RS C1 RB RC C2 VCC VT RE CE RL
第四章自测意答来 二.填空题 1.器件结电容的影响 耦合电容和发射极旁路电容的影响2。 Ibb'Cb'c Rs,RL 3.小c小 ,高 4.低 5.：共基放大器输入阻抗远比共射放大器的负载阻抗小，减小了共射极的密勒电容。6.放大 器在低频时器件动态范围有富裕量 7.aA为单极点函数bB为常数 8.容性负载放大电路。 9.相对误差不超过5%。 10.上截止频率f.上截止频率f。 二选择题（答案为正确的一项或多项） 1 2 3 4 A BAA BAED CB BCF
第第四四章章自自测测题题答答案案 二． 填空题 1.器件结电容的影响 耦合电容和发射极旁路电容的影响 2. 3. 4. 低 5.：共基放大器输入阻抗远比共射放大器的负载阻抗小，减小了共射极的密勒电容。6.放大 器在低频时器件动态范围有富裕量 7. a A 为单极点函数 b B 为常数 8.容性负载放大电路。 9.相对误差不超过 5%。 10.上截止频率 fh 上截止频率 fh。 二.选择题（答案为正确的一项或多项） 1 2 3 4 5 A B A A B A E D C C B BCF bb b c ' c ' r , f (c ) T b e ' S RL R , r bb '小 c b ' c 小 fT高