主要内容 《电路分析原理》 第一章:线性电路分析基础 教师队伍介绍 第一讲 2.主要参考书介绍 2009.9.15 3.课程总体介绍 http://www.jpkpku.edu.cn/pkujpk/courseldifxyl/ 4.线性电路分析基础 http://course.pku.edu.cn/ 章:载性电路分析基础 从时域分析方法到频域分析方法 第一节:线性电路分析导论 GOHz, C=3X108m/s, A=C/ f=6X10'm 第一节:线性电路分析导论 L=lkm<< 6x104km 电信号的分析方法 集中假设、基本方法、基本参数、 当L<<λ时、当L-时 是不一样的 基本术语、参考方向 0OMHz, oF2*f, C=3X10 m/s, A=CI f=3r L=1.5m, VA(t= V, sinet, VA(t=-v( 基本定律(KⅥ、KCL、VCR定律) 第一节:线性电路分析导论 第一节:线性电路分析导论 集中假设条件 集中假设条件 当元件和设备的尺寸很小于电信号的波长时 当元件和设备的尺寸很小于电信号的波长 (即L<<λ或100L≤λ),假设参数特性集中于 即L<<λ或100L≤λ),假设参数特性集中于 个质点上。即认为电场集中于电容、磁场集中于电感、 个质点上。即认为电场集中于电容、磁场集中于电感 损耗集中于电阻、连线(导线)无耗 损耗集中于电阻、连线(导线)无耗 这一“路”的分析方法的实质,是只研究元件端 这一“路”的分析方法的实质,是只研究元件端 口上的外部特性(V、1、P),不考虑元件内部的电 口上的外部特性(V、1、P),不考虑元件内部的电 磁作用 只研究元件的外部7 磁作用 质点 特性是电路分析方法 的显著特征 令RN四 节点
1 第 ？讲： 复习 《电路分析原理》 第一章: 线性电路分析基础 第一讲 2009.9.15 http://www.jpk.pku.edu.cn/pkujpk/course/dlfxyl/ http://course.pku.edu.cn/ 兴趣 认真 执著 创新 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 1. 教师队伍介绍 2. 主要参考书介绍 3. 课程总体介绍 4. 线性电路分析基础 主要内容 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一节：线性电路分析导论 电视 f=100MHz， ω=2πf, C=3X108m/s，λ=C/ f=3m L=1.5m，VA(t)= Vmsinωt， VA(t)=-VB(t) A B C’ A B C f=50Hz，C=3X108m/s，λ=C/ f=6X107m L=1km<< 6X104km 电信号的分析方法 当 L << λ 时、当 L ~ λ 时 是不一样的 C’ C 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 集中假设条件： 当元件和设备的尺寸很小于电信号的波长时 （即 L << λ 或 100L ≤ λ ），假设参数特性集中于一 个质点上。即认为电场集中于电容、磁场集中于电感、 损耗集中于电阻、连线（导线）无耗。 这一“路” 的分析方法的实质，是只研究元件端 口上的外部特性（V、I、P），不考虑元件内部的电 磁作用。 第一节：线性电路分析导论 R L C 只研究元件的外部 特性是电路分析方法 的显著特征。 *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一节：线性电路分析导论 集中假设条件： 当元件和设备的尺寸很小于电信号的波长时 （即 L << λ 或 100L ≤ λ ），假设参数特性集中于一 个质点上。即认为电场集中于电容、磁场集中于电感、 损耗集中于电阻、连线（导线）无耗。 这一“路” 的分析方法的实质，是只研究元件端 口上的外部特性（V、I、P），不考虑元件内部的电 磁作用。 R ~ R R ~ R 质点 节点 R ~ R
二节:常见电路元件及其约束方程 第一章:载性电路分析基础 从时域分析方法到频城分析方法 元件实例 第一节:线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 稳压管 基本术语、参考方向 建模等效 基本定律(KⅥ、KCL、VR定律) 三极管 三大基本方法: 方程法、图解法、等效法 hVee 章:载性电路分析基础 从时域分析方法到频域分析方法 第一节:线性电路分析导论 第一节:线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 R VERL 基本术语、参考方向、 dPdt de/dt W=V 基本定律(KⅥ、KCL、VQR定律) 0—甲 基本参数:R、C、L 基本变量:V、、P(电量Q、磁通平、储能W) 基本参数:R、G、L 基本变量:V、1、P(电量Q、磁通平、储能W) 第一节:线性电路分析导论 第一节:线性电路 R VERI W=VO￠ dp/atdf/at W=Ve 2 蔡少棠先生:忆阻器 h公司:成功设计出一个能工作的忆阻实物模型 Men 基 2 IEEE Trans. Circuit Theory18,507519(1971,34岁 基本变量:V、1、P(电量Q、磁通H、储能W) 基本变量:V、1、P(电量Q、磁通平、储能W)
2 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 元件实例: Vw Rr 稳压管 Ib Ri hVce -βIb Ro e b c e b c e 三极管 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 三大基本方法： 方程法、图解法、等效法 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 基本参数：R、C、L 基本变量：V、I、P（电量Q、磁通Ψ、储能W） 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一节：线性电路分析导论 Q Ψ V R V=RI I ？ C Q=CV L Ψ=LI dΨ/dt dQ/dt W=VQ/2 W=IΨ/2 P=VI 基本参数：R、C、L 基本变量：V、I、P（电量Q、磁通Ψ、储能W） m 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一节：线性电路分析导论 Q Ψ V R V=RI I ？ C Q=CV L Ψ=LI dΨ/dt dQ/dt W=VQ/2 W=IΨ/2 P=VI 基本参数：R、C、L 基本变量：V、I、P（电量Q、磁通Ψ、储能W） 蔡少棠先生：忆阻器 (Memristor = memory resistor) = memory resistor) “Memristor - the missing circuit element the missing circuit element” IEEE Trans. Circuit Theory 18,507-519(1971,34岁) m 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一节：线性电路分析导论 Q Ψ V R V=RI I ？ C Q=CV L Ψ=LI dΨ/dt dQ/dt W=VQ /2 W=IΨ/2 P=VI 基本参数：R、C、L 基本变量：V、I、P（电量Q、磁通Ψ、储能W） hp公司：成功设计出一个能工作的忆阻实物模型 “The missing The missing memristor found” 蔡少棠37年前预言被证实，一旦应用将使电脑智能出现革命性改变 可让电脑反复开关并立即恢复记忆，可让手机数周甚至更久不充电 m
第一章:载性电路分析基础 第一章:载性电路分析基础 时域分析方法到频域分析方法 从时域分析方法到频城分析方法 第一节:线性电路分析导论 第一节:线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本术语、参考方向 基本定律(KⅥ、KCL、VR定律) 基本定律(KⅥ、KCL、VCR定律) 基本术语:(自学) ( 致参考方向 电路、网络、节点、支路、回路、 v(t) (关联参考方向) 端和口 章:载性电路分析基础 从时域分析方法到频域分析方法 (Tea break/ =1A.V=5V 9(致参考方向91 v(t) Va2=5Vv=5P=Ⅵ>0?耗能元件 <0?源元件 参考方向一但确定,就无须改变 计算结果为正:表示标注与实际相同 计算结果为负:表示标注与实际相反 第一章:线性电路分析基础 从时域分析方法到频域分析方法 基本定律(KⅥL、KCL定律) 第一节:线性电路分析导论 电荷守恒定律高斯定理):乐dS=0 集中假设、基本方法、基本参数、 基尔霍夫第一定律:(电流定律、KCL定律) 任一集中参数电路中的任一节点,在任一时刻,流入 基本术语、参考方向 (或是流出)该节点的电流的代数和为零 基本定律(KⅥ、KCL、VR定律) 记为:∑1(t=0 若取流入节点的电流代数和为 零,则入为正建立方程 若取流出节点的电流代数和为 零,则出为正建立方程: 节点②:-2+l3+10 (4)
3 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 基本术语： (自学) 电路、网络、节点、支路、回路、 端和口。。。 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 一致参考方向 + v(t) - (关联参考方向) i(t) 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 I=1A,V=5V Vab=5V a b V=-5V ? P=VI > 0 ? < 0 ? 耗能元件 源元件 参考方向一但确定，就无须改变。 计算结果为正：表示标注与实际相同 计算结果为负：表示标注与实际相反 一致参考方向 (关联参考方向) + v(t) - i(t) a b + v(t) - i(t) *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 Tea break！ 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） 基尔霍夫第一定律：（电流定律、KCL定律） 任一集中参数电路中的任一节点，在任一时刻，流入 （或是流出）该节点的电流的代数和为零。 记为：∑ij (t0)=0 ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） I2-I3-I5=0 若取流入节点的电流代数和为 零，则入为正建立方程： -I2+I3+I5=0 电荷守恒定律(高斯定理)：∫∫J•dS=0 *** 节点②： 节点②： 若取流出节点的电流代数和为 零，则出为正建立方程：
基本定律(MM、KCL定律) 基本定律(KL、KCL定律) 描述二 荷守恒定律(高斯定理):乐ds=0 甚尔霍夫第一定律:(电流定律、KL定律) 任一集中参数电路中的任一节点,在任一时刻,流入 甚尔霍夫第一定律:(电流定律、KL定律) 该节点的电流之和与流出该节点的电流之和相同 任一集中参数电路中的任一节点,在任一时刻,流入 (或是流出)该节点的电流的代数和为零 记为:∑1)(t)=2l出( 以入电流=出电流建立方程 记为:∑1(t0=0 节点②:12=13+16 闭合面 l1-l2-l0 3 l2-l2-1-0 广义节点 I+l3-loo l1+l3+l4+1l 基本定律(KM、KCL定律) 基本定律(KVL、KC定律) 守恒定律(环路定理 甚尔霍夫第二定律:(电压定律、M定律) 任一集中参数电路中的任一回路,在任一时刻,沿该 回路所有支路的电压升(或电压降)的代数和为零 闭合面 记为:∑v1(t=0 以沿回路方向电压升为正 I=0 ①L2 Va-Vi-Ve 以沿回路方向电压降为正 建立方程 V+v+v 基本定律(KL、KL定律) 基本定律(KⅥL、KCL定律) 注意:1.参考方向 KCL定律=3个方程 基尔霍夫第二定律:(电压定律、KⅥ定律) 任一集中参数电路中的任一回路,在任一时刻,沿该 (支路方向) 回路所有支路的电压升之和等于支路的电压降之和 记为:∑V(t0)=(t 电路分析方法拿个方程 不用学啦 ①[2 -V+v+v 5 V4+v2v 、中3定律6个方程 支路数b=6得求量2=12白3+3+612个方程
4 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） 描述二： 基尔霍夫第一定律：（电流定律、KCL定律） 任一集中参数电路中的任一节点，在任一时刻，流入 该节点的电流之和与流出该节点的电流之和相同。 记为：∑ij入(t0)=∑ij出(t0) ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） I2 = I3 + I5 -I1-I2-I4=0 I2-I3-I5=0 I1+I3-I6=0 节点②： 以入电流=出电流建立方程： 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） 广义节点 I1+I3+I4+I5=0 闭合面 基尔霍夫第一定律：（电流定律、KCL定律） 任一集中参数电路中的任一节点，在任一时刻，流入 （或是流出）该节点的电流的代数和为零。 记为：∑ij (t0)=0 电荷守恒定律(高斯定理)：∫∫J•dS=0 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） I = 0 闭合面 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） 基尔霍夫第二定律：（电压定律、KVL定律） 任一集中参数电路中的任一回路，在任一时刻，沿该 回路所有支路的电压升（或电压降）的代数和为零。 记为：∑vj (t0)=0 ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） V4-V1-V6=0 以沿回路方向电压升为正 建立方程： -V4+V1+V6=0 以沿回路方向电压降为正 建立方程： 电势守恒定律(环路定理)： ∫E•dl=0 *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） 基尔霍夫第二定律：（电压定律、KVL定律） 任一集中参数电路中的任一回路，在任一时刻，沿该 回路所有支路的电压升之和等于支路的电压降之和。 记为： ∑vj升(t0)=∑vj降(t0) ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） V4 = V1+V6 描述二： -V4+V1+V6=0 -V4+V2+V5=0 -V5+V3+V6=0 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 基本定律（KVL、KCL定律） ① 1 2 3 4 5 6 ② ③ （4） 注意：1.参考方向 （支路方向） 2.电压降方向 （回路方向） -I1-I2-I4=0 I2-I3-I5=0 I1+I3-I6=0 -V4+V1+V6=0 -V4+V2+V5=0 -V5+V3+V6=0 2.KVL定律 1.KCL定律 3.VCR定律 Vi=RiIi 支路数b=6，待求量=2b=12 =3个方程 =3个方程 =6个方程 3+3+6=12个方程 电路分析方法 不用学啦！
第一章:载性电路分析基础 时域分析方法到频域分析方法 节:常见电路元件及其约束方程 第二节:常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源、 无R-伏安特性曲线 受控源、动态元件 C-库伏特性曲线 无有VL-韦安特性曲线 →>能量角度→>有源、无源 +(t) 端纽角度二端、四端、多端 →>能量角度→有源、无源 >方向角度-双向、单向 →>端纽角度→>二端、四端、多端 →>线性角度→线性、非线性 储能角度无记忆、有记忆(动态元件) →>方向角度双向、单向原点对称 →>线性角度→>线性、非线性 →>控制角度->独立、受控 →储能角度-无记忆、有记忆(动态元件) 图解法→ →>控制角度-独立、受控 章:载性电路分析基础 从时域分析方法到频域分析方法 第二节:常见电路元件及其约束方程 0.时变电阻:r(t)(略) 第二节:常见电路元件及其约束方程 a.线性非时变(定常)电阻:R 约束方程:v(t)=Ri(t) C元件分类、电阻元件、独立源 符号:o□ 也有 受控源、动态元件 tga=1/R=G电导 特性 无源、二端、 +p(t) 双向、线性 伏安特性曲线无记忆 第二节:常见电路元件及其约束方程 二节:常见电路元件及其约束方程 b.非线性电阻:(通常是半导体/电真空器件) 约束方程:v(t)=r[i(t)]ori(t=g[v(t)] 符号:。c 短路 开路 例一:半导体二极管约束方程:v(t)=r[i(t)]or I i(t)=gLv(t)] tga=1/R=6电导 }。 特性 无源、二端 无源、二端 双向、线性 单向、非线性 伏安特性曲线无记忆 伏安特性曲线无记忆
5 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第二节：常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件 ->能量角度 ->端纽角度 ->方向角度 ->线性角度 ->储能角度 ->控制角度 ->有源、无源 ->二端、四端、多端 ->双向、单向 ->线性、非线性 ->无记忆、有记忆（动态元件） ->独立、受控 图解法Æ 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 0 + v(t) - i(t) I V 有 无 无 有 原点对称 R-伏安特性曲线 C-库伏特性曲线 L-韦安特性曲线 第二节：常见电路元件及其约束方程 ->能量角度 ->端纽角度 ->方向角度 ->线性角度 ->储能角度 ->控制角度 ->有源、无源 ->二端、四端、多端 ->双向、单向 ->线性、非线性 ->无记忆、有记忆（动态元件） ->独立、受控 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第二节：常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 a.线性非时变（定常）电阻: R 0.时变电阻:r(t)（略） 约束方程: v(t)=Ri(t) 符号： 也有： 0 + v(t) - i(t) I V 伏安特性曲线 tgα=1/R=G 电导 特性： 无源、二端、 双向、线性、 无记忆 *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 0 + v(t) - i(t) I V 伏安特性曲线 tgα=1/R=G 电导 特性： 无源、二端、 双向、线性、 无记忆 0 I V R=0 0 I V R=∞ 短路 开路 *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 b.非线性电阻: （通常是半导体/电真空器件） 约束方程: v(t)=r[i(t)] or i(t)=g[v(t)] 符号： 特性： 无源、二端、 单向、非线性、 无记忆 例一：半导体二极管 约束方程: v(t)=r[i(t)] or i(t)=g[v(t)] 0 + v(t) - i(t) I V 伏安特性曲线
第二节:常见电路元件及其约束方程 第二节:常见电路元件及其约束方程 例二:隧道二极管约束方程:i(t)=g[v(t)] ^ 电压控制型元件 压控电阻 静态电阻:Rs=p(t)/ilp(t) 例三:充气二极管约束方程:v(t)=[i(t)] 动态电阻:Rdd[vp(t)]/d[ip(t)] 负阻区:Rd0中源的特性:非线性电阻元件如果工作 电流控制型元件 在负阻区可以体现出源的特性,即提 流控电阻 供能量 +y(t)一 第一章:载性电路分析基础 第二节:常见电路元件及其约束方程 从时域分析方法到频域分析方法 第二节:常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件 特殊的非线性电阻元件:独立源 独立(理想)电压源,独立(理想)电流源 第二节:常见电路元件及其约束方程 二节:常见电路元件及其约束方程 里想电压源 o直流源 理想电压源 t0直流源 符号 也有 o交流源 符号 也有 ∞°交流源 v Ve 特征:一个二端元件,端电压不随流过的电流而变 特征:一个二端元件,端电压不随流过的电流而变 与 无关 无关 P>0? P<0 结论:与理想电压源井联的元件,对外电路不起作用。 6
6 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 电压控制型元件 0 压控电阻 + v(t) - i(t) I V 例二：隧道二极管 约束方程: i(t)=g[v(t)] 电流控制型元件 流控电阻 a 0 + v(t) - i(t) I V 例三：充气二极管 约束方程: v(t)=r[i(t)] b a b 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 0 I V 0 I V a b a b 0 I V 静态电阻：Rs=vp(t)/ip(t) 动态电阻：Rd=d[vp(t)]/d[ip(t)] p p 负阻区：Rd0 ? P0 ? P<0 R + - Vs + V =Vs ？ - 结论：与理想电压源并联的元件，对外电路不起作用。 无效 + - Vs ***
二节:常见电路元件及其约束方程 第二三节。常见电路元件及其约束方程 理想电流源 理想电流源 符号:0①0也有:o台 符号:①0也有:oc 特征:一个二端元件,源电流不随其端电压而变 特征 端元件,源电流不随其端电压而变 无关 无关 P0? P>0? 结论:与理想电流源串联的元件,对外电路不起作用 第二节:常见电路元件及其约束方程 本讲小结 第一节:线性电路分析导论 I09 (2V 四集中假设、基本方法、基本参数 基本术语、参考方向 与理想电压源并联的元件, 基本定律(KⅥL、KCL、vcR定律) 对外电路不起作用 l0.2A 第一章:线性电路分析基础 本讲小结 从时域分析方法到频域分析方法 第二节:常见电路元件及其约束方程 第二节:常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源 C元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件 受控源、动态元件 结论:与理想电压源并联的元件,对外电路不起作用 结论:与理想电流源串联的元件,对外电路不起作用 无效
7 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 理想电流源 符号： 也有： 特征：一个二端元件，源电流不随其端电压而变 与 无关 / Is P0 ？ 0 I V I0 Is2=5A Is1=10A R *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 理想电流源 符号： 也有： 特征：一个二端元件，源电流不随其端电压而变 与 无关 Is P0 ？ 0 I V I0 Is R I =Is ？ 结论：与理想电流源串联的元件，对外电路不起作用。 无效 Is *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 例： I1=？10Ω 20Ω + - 2V I1=？10Ω + - 2V I2=？ 20Ω + - 2V I2=？ I1=-0.2A I2=0.1A 与理想电压源并联的元件， 对外电路不起作用。 *** 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 本讲小结 第一节：线性电路分析导论 集中假设、基本方法、基本参数、 基本术语、参考方向、 基本定律（KVL、KCL、VCR定律） 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第二节：常见电路元件及其约束方程 北京大学 北京大学 元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件 结论：与理想电压源并联的元件，对外电路不起作用。 无效 结论：与理想电流源串联的元件，对外电路不起作用。 无效 本讲小结 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 北京大学 第一章：线性电路分析基础 ----从时域分析方法到频域分析方法 第二节：常见电路元件及其约束方程 元件分类、电阻元件、独立源、 受控源、动态元件
