综合能力拓展升华 、选择填空(含多项选择) 1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量() A.比半导体的大B.比半导体的小C.与半导体的相等 2.室温下,半导体Si掺硼的浓度为101←cm-3,同时掺有浓度为1.1 ×105cm-的磷,则电子浓度约为(),空穴浓度为(),费米能级 ();将该半导体升温至570K,则多子浓度约为(),少子浓度为 (),费米能级()。(已知:室温下,ni≈1.5×10m3,570K时 ni≈2×102cm-3) A.1014cm-3 B.1015cm-3 .1.1×105cm-3 D.2.25×105cm-3E.1.2×10cm3F.2×10cm G.高于Ei H.低于Ei Ⅰ.等于Ei 3.施主杂质电离后向半导体提供(),受主杂质电离后向半导体提供 (),本征激发后向半导体提供()。 A.空穴 B.电子 4.对于一定的半导体材料,掺杂浓度降低将导致禁带宽度(),本征 流子浓度(),功函数() A.增加 B.不变 C.减少 5.对于一定的n型半导体材料,温度一定时,较少掺杂浓度,将导 致()靠近Ei A. Ec B. Ey g D. Ef 6.热平衡时,半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与() 有关,而与()无关。 A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.温度 7.表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为()。 A.施主态 B.受主态 C.电中性 8.当施主能级Ed与费米能级Ef相等时,电离施主的浓度为施主浓 度的()倍。 A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4 9.最有效的复合中心能级位置在()附近;最有利陷阱作用的能级 位置在()附近,常见的是()的陷阱 A.EaB.EdC.ED.EiE.少子F.多子 10.载流子的扩散运动产生()电流,漂移运动长生()电流。 A.漂移 B.隧道 C.扩散 11.MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(), 若增加掺杂浓度,其开启电压将( A.相同 B.不同 C.增加 D.减少 思考题
综合能力拓展升华 一、选择填空（含多项选择） 1. 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（） A. 比半导体的大 B. 比半导体的小 C. 与半导体的相等 2. 室温下，半导体 Si 掺硼的浓度为 1014cm －3，同时掺有浓度为 1.1 ×1015 cm －3 的磷，则电子浓度约为（），空穴浓度为（），费米能级 （）；将该半导体升温至 570K，则多子浓度约为（），少子浓度为 （），费米能级（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010 cm －3，570K 时， ni≈2×1017 cm －3） A. 1014cm －3 B. 1015 cm －3 C. 1.1×1015 cm －3 D. 2.25×1015 cm －3 E. 1.2×1015 cm －3 F. 2×1017 cm －3 G. 高于 Ei H. 低于 Ei I. 等于 Ei 3. 施主杂质电离后向半导体提供（），受主杂质电离后向半导体提供 （），本征激发后向半导体提供（）。 A. 空穴 B. 电子 4. 对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（），本征 流子浓度（），功函数（）。 A. 增加 B. 不变 C. 减少 5. 对于一定的 n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导 致（）靠近 Ei。 A. Ec B. Ev C. Eg D. Ef 6. 热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（） 有关，而与（）无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 7. 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）。 A. 施主态 B. 受主态 C. 电中性 8. 当施主能级 Ed 与费米能级 Ef 相等时，电离施主的浓度为施主浓 度的（）倍。 A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/4 9. 最有效的复合中心能级位置在（）附近；最有利陷阱作用的能级 位置在（）附近，常见的是（）的陷阱 A. Ea B. Ed C. E D. Ei E. 少子 F. 多子 10. 载流子的扩散运动产生（）电流，漂移运动长生（）电流。 A. 漂移 B. 隧道 C. 扩散 11. MIS 结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（）， 若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。 A. 相同 B. 不同 C. 增加 D. 减少 二、思考题
1.简述有效质量与能带结构的关系 2.为什么半导体满带中的少量空状态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴 来描述? 3.分析化合物半导体PbS中S的间隙原子是形成施主还是受主?S的缺陷呢? 4.说明半导体中浅能级杂质、深能级杂质的作用有何不同? 5.为什么Si半导体器件的工作温度比Ge半导体器件的工作温度高?你认为在 高温条件下工作的半导体应满足什么条件? 6.工厂生产超纯Si的室温电阻率总是夏天低,冬天高。试解释其原因。 7.试解释强电场作用下GaAs的负阻现象 8.稳定光照下,半导体中的电子和空穴浓度维持不变,半导体处于平衡状态下 吗?为什么? 9.爱因斯坦关系是什么样的关系?有何物理意义? ⑩0.怎样才能使得n型硅与金属铝接触才能分别实现欧姆接触和整流接触?
1. 简述有效质量与能带结构的关系。 2. 为什么半导体满带中的少量空状态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴 来描述？ 3. 分析化合物半导体 PbS 中 S 的间隙原子是形成施主还是受主？S 的缺陷呢？ 4. 说明半导体中浅能级杂质、深能级杂质的作用有何不同？ 5. 为什么 Si 半导体器件的工作温度比 Ge 半导体器件的工作温度高？你认为在 高温条件下工作的半导体应满足什么条件？ 6. 工厂生产超纯 Si 的室温电阻率总是夏天低，冬天高。试解释其原因。 7. 试解释强电场作用下 GaAs 的负阻现象。 8. 稳定光照下，半导体中的电子和空穴浓度维持不变，半导体处于平衡状态下 吗？为什么？ 9. 爱因斯坦关系是什么样的关系？有何物理意义？ 10. 怎样才能使得 n 型硅与金属铝接触才能分别实现欧姆接触和整流接触？