2000秋季 672U343初集成微电子相 Peof.J.A.del Alamo 12且20,2002年-组终测验 名字： 注意事项（在开始之前请仔细电阅读）： ●确认你的名字写指定的位置上面. ●开卷：保可以使用任样你屋章使用的资料。 ·全部的答案应写在给定的答巡的空间位置，请不要上徽任饲除考卷外的其它东西， ●你有三小时米完成你的测险。 ·作合理的近拟并对说明他们、换言之，低水平注入。非本汇的华导体、准中性、等等， ●对列出同题但没有计算的，辩只给部分的分效。对没道理的答案，将给0分。 ●使用在上课中不司特理参数符号表示方法，换言之N「，，等等， ●注意要求有数字答案的问恩。一个代数表达式的答案不会得到全分的，每个数字的若 案必须有的正稀的单位，对答案没有单位或单位情误的将减分。定义坐标的情况下， 符号也是答案的一部分· ·如果需要、使用Aam笔记中摻杂决定S参数的图表。 ●如果需要、在室温下使用能的物理参数列在Aalamo's笔记的附承B上， ●如果需要。在室湿下使用硅的甚本常数列在Aa山am0's笔记的附读A上
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1 2 月 20 、 2002 年 －期终测验 名字：________________________________________________ 注意事项（在开始之前请仔细地阅读）： 确认你的名字写指定的位置上面。 开卷：你可以使用任何你愿意使用的资料。 全部的答案应写在给定的答题的空间位置。请不要上缴任何除考卷外的其它东西。 你有三小时来完成你的测验。 作合理的近似并对说明他们、换言之。低水平注入、非本征的半导体、准中性、等等。 对列出问题但没有计算的，将只给部分的分数。对没道理的答案，将给0分。 使用在上课中不同物理参数符号表示方法、换言之 , , , Nc τ ε 等等。 注意要求有数字答案的问题。一个代数表达式的答案不会得到全分的。每个数字的答 案必须有的正确的单位。对答案没有单位或单位错误的将减分。定义坐标的情况下、 符号也是答案的一部分。 如果需要、使用Alamo'笔记中掺杂决定Si参数的图表。 如果需要、在室温下使用硅的物理参数列在Aalamo's笔记的附录Ｂ上。 如果需要、在室温下使用硅的基本常数列在Aalamo's笔记的附录Ａ上
20@秋季 6720/3.43切集度微电子5件 Prof.J.A.del Alamo 1.(25分)下面是在网络实验室对一个1.5465mNMO5进行测量的两个屏幕 图形。第一个说明的是'w=OW时得到的输出特性，'s从OV到3V,步长为 05V。第二个说明的是册和体功能颜倒时得到的输出特性。在这个图中， 'a=1.S而'm从0V变到3V,步长为0,5V, S9B0 移口H间
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1.（25分）下面是在网络实验室对一个1.5 46.5um NMOS进行测量的两个屏幕 图形。第一个说明的是 0 VSB = V 时得到的输出特性，VGS 从0V到3V，步长为 0.5V。第二个说明的是栅和体功能颠倒时得到的输出特性。在这个图中， 1.5 VGS = V 而VSB 从0V变到3V，步长为0.5V
2000枚号 6.720/343初集成微电子惠特 Peof.J.A.del Alamo 如我们在课堂中讨论的一样，MOSFET的体表现的像一个册并且得 到看起来合理的输出特性。 a)(10分)两组输出特性最显著的差划之一是'。以体作为主要的栅而 得到的特性看起来显示出比正常模式小很多的'值，这个问题是关于 对这个起因的理解， 对一个理想的MOSFET,推导一个作为'细函数的'的简单表达 式，不要包括“体效应”（但明显包括“背橱”效应）。这个表达式与上 面的数据一致吗？做出解释
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 如我们在课堂中讨论的一样，MOSFET的体表现的像一个栅并且得 到看起来合理的输出特性。 a）(10分)两组输出特性最显著的差别之一是VDSsat 。以体作为主要的栅而 得到的特性看起来显示出比正常模式小很多的VDSsat 值。这个问题是关于 对这个起因的理解。 对一个理想的MOSFET，推导一个作为VSB 函数的VDSsat 的简单表达 式。不要包括“体效应”（但明显包括“背栅”效应）。这个表达式与上 面的数据一致吗？做出解释
20@秋季 6.720/543切集成微电子器性 Prof.J.A.del Alamo 下面是对MOSFET在所有工作模式下得到亚阀特性。在正常的模式 (项)，'w=0。在体作为栅的模式中（底），=1.5V。在两种情况. 's=0.1V
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 下面是对MOSFET在所有工作模式下得到亚阈特性。在正常的模式 （顶），VSB ＝0。在体作为栅的模式中（底），VGS ＝1.5V。在两种情况， VDS ＝0.1V
200@我季 6.720/3.43)集成微电子5件 Prof.J.A.del Alamo 在这里也观察到一个显著的差别：在正常模式下器件的亚圆斜率比 体作为主要橱的模式的情况要显著的陡， b)(10分)推导一个MOSF正T在正常的模式以及知颜倒模式之间亚阅斜率倒数的关 系表达式。对你的结果作出解释
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 在这里也观察到一个显著的差别：在正常模式下器件的亚阈斜率比 体作为主要栅的模式的情况要显著的陡。 b）（10分）推导一个MOSFET在正常的模式以及栅颠倒模式之间亚阈斜率倒数的关 系表达式。对你的结果作出解释
2000枚卷 6.720/343初集域微电子惠朴 Peof.J.A.del Alamo 心)(5分)从前面的实验特性，提取所有模式工作的情况下器件的亚闲斜率。 并和上面推导的方程作一比较。并进行讨论
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo c）（5分）从前面的实验特性，提取所有模式工作的情况下器件的亚阈斜率。 并和上面推导的方程作一比较。并进行讨论
200@秋季 6.720/343切集成雀电子器性 Prof.J.A.del Alamo 2.(10分)考虑一个0.18m工艺制造的n沟M0SFET具有式.=4.Snm而=0.3P.估
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2.（10分）考虑一个0.18um 工艺制造的n沟MOSFET具有 4.5 ox x = nm 而 0.3 VT = V 。估
200@枚季 6720/3.43切集度微电子5件 Prof.J.A.del Alamo 计在=1时反型层的方块电。 3.(15分)在上周召开的2002年国际电子器件会议上，有许多文章证明一个新的技术使
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 计在 1.8 VGS = V 时反型层的方块电阻。 3.（15分）在上周召开的2002年国际电子器件会议上，有许多文章证明一个新的技术使
2000秋号 6.720/343初集成微电子惠特 Peof.J.A.del Alamo MOSFET的棚形成完全的硅化物，这通过淀积一适当的金属层在多品硅栅的顶部，然后 在高祖下使其反应直到所有摄的多品硅被完全的消耗。剩余的金属被去除。这如下图所 示利 金溪维化物活 广去晶硅烟 这个问题是关于检测由于橱完全硅化对MOSFET器件特性产生的影响.在一个沟 MOSFET中引入完全的硅化的主要变化是增加了播的功函数，作为一领近似，其它都没 有变化。 标明金属功函数的增加对下面列出的参数和品质因数影响。标出：增加=十，减少 ■！，或无影响。对每一项，给出你选择的原因（无原因的不给分》， 一开启电压，： ↑！无影响 一在给定。，反型层的有效迁移率严： ↑！无影响
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo MOSFET的栅形成完全的硅化物。这通过淀积一适当的金属层在多晶硅栅的顶部，然后 在高温下使其反应直到所有栅的多晶硅被完全的消耗。剩余的金属被去除。这如下图所 示： 这个问题是关于检测由于栅完全硅化对MOSFET器件特性产生的影响。在一个n沟 MOSFET中引入完全的硅化的主要变化是增加了栅的功函数。作为一级近似，其它都没 有变化。 标明金属功函数的增加对下面列出的参数和品质因数影响。标出：增加＝↑，减少 ＝↓，或无影响。对每一项，给出你选择的原因（无原因的不给分）。 － 开启电压，VT ： ↑↓无影响 － 在给定Vgs ，反型层的有效迁移率 eff µ ： ↑↓无影响
200@秋季 6.720/543切集成微电子器性 hod.⊥.A.del Alamo 一亚闲斜率倒数S(单位为mV位c): ↑！无影响 一关态电流。 ↑！无影响 一对一给定DBL标准，可得到的最小橘长： ↑！无影响
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo － 亚阈斜率倒数S（单位为mV/dec）： ↑↓无影响 － 关态电流， off I ： ↑↓无影响 － 对一给定DIBL标准，可得到的最小栅长： ↑↓无影响