三极管 导航须知 三极管的 半导体器件的 三极管的 检测 命名方式 外型 三极管的 三极管的常用 特性 主要参数
三极管的常用 主要参数 三极管 三极管的 特性 三极管的 检测 半导体器件的 命名方式 三极管的 外型 导航须知
半导体器件的命名方式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字 字母 字母（汉拼） 数字 字母（汉拼） 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 A一锗材料N型 P一普通管 2— 二极管 B一锗材料P型 W一稳压管 K一开关管 C一硅材料N型 Z一整流管 D— 硅材料P型 U一光电管 A一锗材料PNP X一低频小功率管 3 三极管 B一锗材料NPN G一高频小功率管 C一硅材料PNP 一低频大功率管 D 例： D 硅材料NPN A- 高频大功率管 3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管
半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 A — 锗材料N 型 B — 锗材料P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料PNP B — 锗材料NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN P — 普通管 W — 稳压管 K — 开关管 Z — 整流管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管
三极管的识别和检测 1.三极管极性的判别 (1)目测判别极性 (2)用指针式万用表判别极性 2.三极管性能的检测 (1)用万用表的五p挡检测B值 (2)用晶体管图示仪或直流参数测试表检测（略） (3)用指针式万用表检测 放大能力的检测 穿透电流的检测 反向击穿电压的检测
三极管的识别和检测 1. 三极管极性的判别 2. 三极管性能的检测 (2) 用指针式万用表判别极性 (1) 用万用表的 hFE挡检测 值 (2) 用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略) (1) 目测判别极性 (3) 用指针式万用表检测 穿透电流的检测 反向击穿电压的检测 放大能力的检测
目测判别三极管极性 ECB 口可可 E ● E B E B EBC B
目测判别三极管极性 E B C E C B E B C B E C E B C
用指针式万用表判断三极管极性 红表笔是（表内电源）负极 在R×100或R×1k挡测量 黑表笔是（表内电源）正极 测量时手不要接触引脚 基极B的判断： 当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触 另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为 NPN (PNP) 、 E极的判断： 基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较 大者为发射极E,较小者为集电极C
用指针式万用表判断三极管极性 红表笔是(表内电源)负极 黑表笔是(表内电源)正极 基极B的判断： 当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触 另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为 NPN（PNP）。 在 R100或 R1k 挡测量 测量时手不要接触引脚 C、E极的判断： 基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较 大者为发射极E，较小者为集电极C
用万用表的上p挡检测B值 L.若有ADJ挡，先置于ADJ挡进行调零。 2.拨到hp挡。 3.将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的 插孔中(TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出 3根引线，再插入插孔)。 4.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数B
用万用表的hFE挡检测 值 1. 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 2. 拨到 hFE挡。 3. 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的 插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出 3根引线，再插入插孔）。 4. 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数
三极管放大能力的检测 硅管： 100k2 锗管： 20k PNP 硅管：100k2 储管：20k2 NPN 指针偏转角度越大，则放大能力越强
三极管放大能力的检测 1k 硅管：100 k 锗管：20 k 0 1k 硅管：100 k 锗管：20 k 0 PNP NPN 指针偏转角度越大，则放大能力越强
用万用表检测穿透电流Ico 通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流Ico的大小。 ●】 般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻>10k①； 大功率锗管C、E间的电阻>1.5k2; 硅管C、E间的电阻>100kΩ（在R×10k挡测量）
用万用表检测穿透电流 ICEO 通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流ICEO的大小。 一般情况下， 中、小功率锗管C、E间的电阻> 10 k； 大功率锗管C、E间的电阻> 1.5 k； 硅管C、E间的电阻 >100 k（在 R 10 k挡测量）。 1k 0 1k 0
检测反向击穿电压UBRCEO 反向击穿电压低于50V的晶体管，可按图示电路检测。 39k2 1050V 39kΩ 1050V 2SA1015 2SA1015 LED LED 5.1k2 5.1k2 增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、 B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压
检测反向击穿电压 U(BR)CEO 反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。 39 k 5.1 k LED 10~50 V A B 2SA1015 增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、 B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。 39 k 5.1 k LED 10~50 V A B 2SA1015
三极管的特性 BμA ic/mA 50μA 404 30A 20A 10A 77777☑宁0 2 4 6 8 UCE /V UBE/V 输入特性 输出特性
三极管的特性 iC / mA uCE /V 50 µA 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 uBE/V iB /A O 输入特性 输出特性