
脉种产生、整形电路 6.1多谐振荡器Astable Multivibrator 6.1.1555定时器构成的多谐振荡器 电路组成和工作原理 R1 84 8 p+Vcc 49 R2 3 555 5 21 1 R 3 UoL
6.1 多谐振荡器Astable Multivibrator 6.1.1 555 定时器构成的多谐振荡器 +VCC uO 8 3 1 6 5 7 2 4 Q & & 1 TD R1 R2 C uC 3 CC 2 V 3 CC 1 V uC t UOH uO t UOL 一、电路组成和工作原理 6 2 7 8 4 1 5 3 555 R1 C1 + R2 C2 +VCC

脉冲产生、整形电路 二、振荡频率的估算和占空比可调电路 (一)振荡频率的估算 L.C充电时间tw1 O (0+)=Vcc/3,uc (o)=Vcc twi -ti In uc(∞)-uc(0*) 3 555 uc()-uc(twi) I 1工 C Vce-iVcc=t In 2 Vce-3Vce 充电时间常数 F(R1tR2)Ctw1=0.7(R+R2)C 2.C放电时间tw2 可求得:tw2=t2n2 tw2=0.7R2C 放电时间常数 2=R2C
二、振荡频率的估算和占空比可调电路 6 2 7 8 4 1 5 3 555 R1 C + R2 C2 1. C 充电时间 t +VCC w1 uC(0 +) = VCC /3, uC()=VCC ( ) ( ) ( ) (0 ) ln W1 W1 1 u u t u u t C C C C − − = + ln 1 ln 2 3 CC 2 CC 3 CC 1 CC 1 = − − = V V V V 充电时间常数 1= (R1+R2)C t W1 = 0.(7 R1 + R2 )C 2. C 放电时间 tw2 可求得: t W2 = 2 ln 2 t W2 = 0.7R2 C 放电时间常数 2 = R2C (一) 振荡频率的估算

脉冲产生、整形电路 3.振荡频率f 4w10.7(R1+R2)C t12=0.7RC 2 振荡周期: T=0.7(R1+2R2)C 振满领率,了-。 1.43 7(R+2R)C≈ (R+2R)C 占空比: 0.7(R1+R2)C Ri+R2 0.7(R1+2R2)CR1+2R2 >50%
3. 振荡频率 f uC 3 CC 2 V 3 CC 1 V t UOH uO t UOL tw1 tw2 T tw1= 0.7 (R1+R2 ) C tw2 = 0.7R2C 振荡周期: T = 0.7(R1+2R2)C 振荡频率: T R R C R R C f ( 1 2 ) ( 1 2 2 ) 1.43 0.7 2 1 1 + + = = 占空比: R R C R R C T t q ( ) ( ) 1 2 W1 1 2 0.7 2 0.7 + + = = 0 0 1 2 1 2 50 2 + + = R R R R

脉冲产生、整形电路 (二)占空比可调电路 twI-0.7RjC 555 3 uo 4w2=0.7R2C 1 1工 0.7RC R 47 T (0.7R+0.7R2)C R1+P2
(二) 占空比可调电路 6 2 7 8 4 1 5 3 555 R1 C + R2 C2 +VCC D1 D2 uO tw1= 0.7R1C tw2 = 0.7R2C R R C R C T t q 1 2 ) W1 1 (0.7 0.7 0.7 + = = 1 2 1 R R R + =

脉冲产生、整形电路 6.1.2石英晶体多谐振荡器 特点:频率稳定,精度高。 1.符号和选频特性 2.石英晶体多谐振荡器 符号H0 电感性 f 工作原理: 1.反相器静态工作在转折区(放大); 电容性 2.石英晶体X=0,回路构成正反馈; 3.C1、C2为耦合电容,可不要。 当f=时, 电阻取值范围: 电抗X=0 TTL反相器:R1=R2=0.7~2k2 CMOS反相器:R1=R2=10~100M2
6.1.2 石英晶体多谐振荡器 特点:频率稳定,精度高。 1. 符号和选频特性 符号 当 f = f0 时, 电抗 X = 0 f X f0 电 感 性 电 容 性 2. 石英晶体多谐振荡器 1 1 C1 R1 R2 C2 uo 工作原理: 1. 反相器静态工作在转折区(放大); 2. 石英晶体 X=0, 回路构成正反馈; 3. C1 、 C2 为耦合电容, 可不要。 电阻取值范围: TTL反相器: R1= R2 = 0.7 2 k CMOS反相器:R1= R2 =10 100 M

脉冲产生、整形电路 3.CMOS石英晶体多谐振荡器 RF 100 MR 为保证CMOS反相 放大器 器静态时工作在转折区, 偏置电阻R取值为: C Rs=10~100M2 工20pF 5~50pf 电容三点武
3. CMOS 石英晶体多谐振荡器 放 大 器 电容三点式 为保证 CMOS 反相 器静态时工作在转折区, 偏置电阻RF取值为 : C RF =10 100 M 1 RF C2 uo 1 1 100 M 20 pF 5 50 pF f0

脉冲产生、整形电路 6.1.3多谐振荡器应用举例 一、秒信号发生器 T触发器 0 C1 >C1 9 32768Hz 16384Hz2Hz 1H1z
6.1.3 多谐振荡器应用举例 一、秒信号发生器 R C1 C2 1 1 C1 C1 C1 C1 FF0 FF1 FF14 FF15 Q0 Q1 Q14 Q15 T触发器 32768Hz 16384Hz 2Hz 1Hz

脉冲产生、整形电路 二、模拟声响电路 +5V R010k9 R510k2 0k2 8 4 7 8 100pF R20100k2 3 R0150k2 3 uo2 2NE555 2NE555 651 651 0.01uF 82 1u02 ML
二、模拟声响电路 10F 2 6 7 8 4 5 1 3 NE555 R IC IC 1 C1 B 1 2 + + 2 6 7 8 4 5 1 3 NE555 10k 100k 10k 150k 10k 8 R2 R3 R4 R5 C2 C3 C4 +5V 0.01 F 0.01 F 100 F uO1 uO2 uo1 uo2