第九章内容小结 静电场中的导体 导体静电平衡条件电荷分布场强分布 二静电场中的电介质 a0E真空中 1.D= E0,E介质中 2.高斯定理∮D·S=∑q □(下一页)
第九章内容小结 一.静电场中的导体 导体静电平衡条件 电荷分布 场强分布 二.静电场中的电介质 1. D = E 0 r E 0 介质中 真空中 2. 高斯定理 • = S D dS qi （下一页）
电容电容器 孤立导体C 电容器C= B 四.电场能量 1电容器∥=92、aw2ou 2C2 2 2电场W=Jwl 电场能 量密度:W=E 2 五.求C的方法 定义法q→>E→>U4B→C AB 能量法q→>E→>1→W→C=只 2W 冈□(下一页)
三. 电容 电容器 孤立导体 u q C = 电容器 uA uB q C − = 四.电场能量 1. 电容器 Cu Qu C Q W 2 1 2 1 2 2 2 = = = 2.电场 = V W wdV 五. 求 C 的方法 定义法 能量法 （下一页） 2 2 1 w = E 电场能 量密度： A B A B U q q → E →U → C = W q q E w W C 2 2 → → → → =
讨论题 B 1.带电导体A附近4 E P点E OP 移近带电体B ★P点E是否改变?改变! ☆ 是否仍成立?成立! 不过E随σ变。 (下一页)
A qA 讨论题 P E B qB 1. 带电导体 A 附近 0 P 点 E = 移近带电体 B 问: P 点 E 是否改变? 0 E = 是否仍成立? （下一页） 改变! 成立！ 不过 E 随σ 变
2.导体壳A t a q +o P B 十B移近A,+Q在P点的E20 +静电屏蔽是怎样体现的 冈(下一页)
A P + q − q + Q B 静电屏蔽是怎样体现的? B 移近 A ， 2. 导 体 壳 A （下一页） +Q 在 P 点的 E = 0 ?
3平行板电容充电后与电源断开 插入介质 不变 不变 E 不变 E-O U=Ea↓ u=Ed Eos C =OE. w 9 、q 2C 2C 冈(下一页)
3.平行板电容充电后与电源断开 q E U C W d 插入介质 不变 0 E = 不变 U = Edd S C 0 = C q W 2 2 = 不变 r E 0 = U = Edd S C 0 r = C q W 2 2 = （下一页）
4.将两电容器串联、并联,分别充电到2u、L 比较等效电容的Q、W rE 2u =000单C1+Cn4C1C2w/W2=4C2,<1 (C1+C2) (下一页)
比较等效电容的 Q 、 W 4. 将两电容器串联、并联，分别充电到 2u 、 u 2u C1 C2 u C1 C2 Q = CU2 2 1 W = CU C并 = C1 + C2 1 2 1 2 C C C C C + 串 = u Q2 = (C1 +C2 )u C C C C Q 1 2 1 2 1 + = u C C C C 1 2 1 2 + + < 2 2 1 2 2 1 W = (C + C )u 2 1 2 1 2 1 2 2 1 ( u ) (C C ) C C W + = 4 1 2 1 2 1 2 1 2 + = (C C ) C C W W 1 2 2 (C1 +C2 ) 4C C < C1 C2 （下一页）
5.插入介质的过程中C、C,上电量的变化 十 插入Er过程中W不变 而C,个 等效电容C↑g=ca 对串联q1=42=q:q1q2 冈(下一页)
5. C1 C2 r 插入介质的过程中 C1 、 C2 上电量的变化 1 2 1 1 1 C C C = + 而C2 插入 r 过程中 u 不变 等效电容 C q = Cu 对串联 q1 = q2 = q q1 q2 （下一页）
计算题 空腔导体球外有点 q 电荷q 已知:R、q、d 求:(1)感应电荷在球心O处的E、V (2)腔内任一点的E、 (3)空腔接地,求金属球表面上感应 电荷的总量q’。(马本中册9596) (下一页)
计算题 1. 空腔导体球外有点 ==电荷 q 求： ⑴ 感应电荷在球心 O 处的 E、V ⑶ 空腔接地，求金属球表面上感应 ==电荷的总量q’ 。（马本中册P95T9-6） 已知: R 、q 、d O R d q P （下一页） ⑵ 腔内任一点的 E、V
(1)感应电荷在O P 处的E、V ★E=E +e q 念=0 q1 E成=-E +q 4兀E0 2 ★电荷守恒∑q感=0 感应电荷在O处的V=0 冈(下一页)
⑴ 感应电荷在O 处的 EO 、VO E = −E+q 感 2 0 0 4 d qr = − EO = E+q + E 感 = 0 电荷守恒 q 感 = 0 感应电荷在O 处的 VO = 0 （下一页） 0 r + q − q O R d q P
(2)腔内任一点的 + 腔内任一点 E=0(导体的静电平衡条件) +导体为等势体m内=1。=V+19 =0+ q 4兀E0d 冈□(下一页)
⑵ 腔内任一点的 E、V 腔内任一点 E = 0 （导体的静电平衡条件） 导体为等势体 V腔内 =Vo =V感 +V+q d q 4 0 0 = + （下一页）0 r + q − q O R d q P