任务1.3高频电子技术的研究方法 1.3.1高频晶体管的y参数等效电路法 1.3.2仿真分析法
1 任务1.3 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 1.3.1 高频晶体管的y参数等效电路法
2 1.3.1 高频晶体管的y参数等效电路法 高频电子技术的研究方法
高频电子技术的研究方法 高频晶体管的y参数等效电路 晶体管在小信号的作用下，可以用线 性元件组成的电路模型来模拟晶体管 我们称之为微变参数等效电路。 晶体管在高频小信号运用时，它的等 效电路主要有两种形式：形式等效电 路(y参数等效电路)和模拟等效电 路（混合n参数等效电路)
3 高频晶体管的y参数等效电路 晶体管在小信号的作用下，可以用线 性元件组成的电路模型来模拟晶体管， 我们称之为微变参数等效电路。 晶体管在高频小信号运用时，它的等 效电路主要有两种形式：形式等效电 路（y参数等效电路）和模拟等效电 路（混合π参数等效电路） 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 Y参数等效电路：是选取输入电压和输 出电压为自变量，输入电流和输出电流 为参变量，阻抗利用导纳参数（y参 数)，并且不涉及晶体管内部物理过程 混合参数等效电路：是把晶体管内部 物理过程用集中元件RLC表示，用物理 模拟方法表示等效电路。 在调谐放大器中我们常 用Y参数等效电路。它适 用的频率
4 Y参数等效电路：是选取输入电压和输 出电压为自变量，输入电流和输出电流 为参变量，阻抗利用导纳参数（y参 数），并且不涉及晶体管内部物理过程。 混合π参数等效电路：是把晶体管内部 物理过程用集中元件RLC表示，用物理 模拟方法表示等效电路。 在调谐放大器中我们常 用Y参数等效电路。它适 用的频率 高频电子技术的研究方法
高频电子技术的研究方法 高频晶体管的y参数等效电路 共发射极晶体管如图2.10所示，把晶体管看作四端 (两端口)网络， 输入电压： 输出电压： 输入电流 I 图3.1共发射极高频晶体管 输出电流
5 共发射极晶体管如图2.10所示,把晶体管看作四端 （两端口）网络， 图3.1共发射极高频晶体管 高频晶体管的y参数等效电路 输入电压： U1 输出电压： U2 输入电流 ： 1 I 输出电流 ： 2 I 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 以 U 为自变量， 1i2 以 为应变量，则可写出Y参数方程： 1 =yuU,+y02 (2-16) i2=⅓2U1+y22U2 这组方程称为高频晶体管的y参数方程
6 以 U1 U2 为自变量， 以 1 I 2 I 为应变量， 则可写出Y参数方程： 1 11 1 12 2 I y U y U = + 2 21 1 22 2 I y U y U = + （2-16） 这组方程称为高频晶体管的y参数方程。 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 其中：y=y,=i/U0 称为输出短路 时的输入导纳 y:-y.-h/U2U.-0 称为输入短路时的反向传输 导纳；越小越好，有利于放 大器的稳定工作 yy,-i2/i1l,=0 称为输出短路时的正向传输导 纳；越大越好，表明晶体管放 大能力越强 y.-yi2/U2U,=0 称为输入短路 时的输出导纳
7 其中： 称为输出短路 I U 时的输入导纳 y yi U 11 1 1| 0 2 / = = = 称为输入短路 时的输出导纳 0 1 2 . 1 2 1 = = = • • y yr I U U 0 2 1 . 21 2 = = = • • y yf I U U 称为输入短路时的反向传输 导纳；越小越好，有利于放 大器的稳定工作 称为输出短路时的正向传输导 纳；越大越好，表明晶体管放 大能力越强 0 2 2 . 2 2 1 = = = • • y yo I U U 高频电子技术的研究方法
高频电子技术的研究方法 由y参数方程可得高频晶体管的y参数等效电路如图 2.10所示：y12U2/y21U1为受控电流源。 丫参数可以通过测量方 式求得，但一般要给 出.其数值不仅与工 作点电流、温度有关， 而且和工作频率有关。 2U 用于频率较高的场合。 图2.10晶体管的y参数等效电路
8 图2.10晶体管的y参数等效电路 由y参数方程可得高频晶体管的y参数等效电路如图 2.10所示：y12U2/y21U1为受控电流源。 U1 U2 + + y y 1 1 2 2 2 I 1 I . . y 1 2U2 . U1 y 2 1 . . . Y参数可以通过测量方 式求得，但一般要给 出．其数值不仅与工 作点电流、温度有关， 而且和工作频率有关。 用于频率较高的场合。 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 高频晶体管的y参数简化等效电路如图所示： 9
9 高频晶体管的y参数简化等效电路如图所示： 高频电子技术的研究方法
恶 高频电子技术的研究方法 若为共发射极电路则： yig=gie+j@Ge yi=yn=yie 其中ge为输入电导 Ge为输入电容 y=y21=yfe ye=gmn参数的跨导 yr=y12=yre yoe=goe十jW Coe y。=y22=yoe 其中goe为输出电导 Coe为输出电容 10
10 若为共发射极电路则: i ie 11 y y y = = f fe 21 y y y = = r re 12 y y y = = o oe 22 y y y = = yie=gie＋jωCie 其中 gie为输入电导 Cie为输入电容 yoe=goe＋jωCoe 其中 goe为输出电导 Coe为输出电容 yfe=gm п参数的跨导 高频电子技术的研究方法