第二章放大电路基础 00000◆00◆00000◆00◇00000◇00000000◆00◆00000◆ 本章所涉及的基本电路，基本概念和基本 分析方法是模拟电子技术的基本知识。 重点 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 第二章 放大电路基础 本章所涉及的基本电路，基本概念和基本 分析方法是模拟电子技术的基本知识。 重点
第一节半导体三极管（晶体三极管） 00⊙0@00⊙⊙0⊙⊙0⊙00⊙◇0⊙⊙0⊙00◆⊙0⊙◇0⊙⊙0⊙00◆00@ 三极管结构 NPN型 PNP型 两集电极 发射极 集电极 发射极 NPN C E E TT 基极 基 B B 型符号： NPN型三极管 PNP型三极管 国山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 第一节 半导体三极管（晶体三极管） N P N 基极 集电极 发射极 NPN型 B C E B C E PNP型 P N P 基极 集电极 发射极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 两 种 类 型 一、三极管结构
结构特点： 三个极 三个区 集电区： 面积最大 集电极 基区：最薄， 两个结 集电结 掺杂浓度最低 N 基极 B N 发射结 E 发射区：掺 发射极 杂浓度最高 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N 基极 P 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 三个极 三个区 两个结
二、三极管的放大原理 0◆0000000@00@◆0000◆00000000000000 1.三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 重点 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 Ug>U 集电结反偏 UUB P R PNP 发射结正偏 UR<UE Ec 集电结反偏 Uc<Us 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 二、三极管的放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 UBUE 集电结反偏 UC>UB 重点
2、各电极电流关系及电流放大作用 结论：尽1)三电极电流关系=+1重点 2)Ic>IB,Ic≈IE 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变 化的特性称为晶体管的电流放大作用。 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 2. 各电极电流关系及电流放大作用 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC重点 2） IC IB ， IC IE 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变 化的特性称为晶体管的电流放大作用
IE与IE之比称为共 发射极电流放大倍数 =l=l。-lco≈ IBE IB+ICBO 直流放大系数 Ic≈BIB(常用公式) B-Ais Ic 交流放大系数 两个放大系数差不 唐山电大文永 电子技术 多近似认为相等
唐山电大魏文永 电子技术 ICE 与 IBE 之比称为共 发射极电流放大倍数 B C B CBO C CBO B E CE I I I I I I I I + − = = C B I I (常用公式) B C I I Δ Δ = 直流放大系数 交流放大系数 两个放大系数差不 多近似认为相等
三、三极管的共射特性曲线 ⊙0⊙⊙0◆0000000◆◇0◆0000◆00@◇0◇00◇◆◆◆ 重点讨论，应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 0◆◇◇◆◇0⊙◆0@0◆◇◇◆◇◇⊙0@0◇◇◇◆◆◇◇。◆0◆◇◇◆ 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 三、三极管的共射特性曲线 重点讨论,应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
测量晶体管特性的实验线路 子E BE 喻入回路 输出回路 B 共发射极电路 发射极是输入回路、输出回路的公共端 唐山电大文永 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + +
1.输入特性Ig=f(UBE)ce=带数 特点：非线性 指三极管集电极与发射极之间 IB(LA) 电压UcE一定时，基极电流IB和 80 UCE=0V 7-2v基极发射极之间电压关系 60 40 正常工作时发射结电压： 20 NPN型硅管 0 UBE(V) 0.4不Q8 UBE≈0.6~0.7V PNP型锗管 死区电压： 硅管0.5V, UBE≈-0.2~-0.3V 锗管0.1V。 唐山电大文尿 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 1. 输入特性 =常数 = CE ( ) B UB E U I f 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE −0.2 ~ − 0.3V 特点:非线性 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。 IB(A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=2V O UCE=0V 指三极管集电极与发射极之间 电压UCE一定时，基极电流IB和 基极发射极之间电压关系
2.输出特性 1c=f(UcE,-#数 定义：指基极电流一定时， 输出特性曲线通常 分三个工作区： 三极管的集电极电流Ic与管压 降UcE之间的关系曲线 Ic(mA 100μA ()放大区 80μA 在放大区有Ic=BIB, 也称为线性区，具有恒 60μA 放大区 流特性。 40μA 在放大区，发射结处 20μA I8=0 于正向偏置、集电结处 于反向偏置，晶体管工 6 12 UCE(V) 作于放大状态。 唐山电大文尿 电子技术
唐山电大魏文永 电子技术 2. 输出特性 =常数 = B ( ) C UCE I I f 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) O 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 放大区 输出特性曲线通常 分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒 流特性。 在放大区，发射结处 于正向偏置、集电结处 于反向偏置，晶体管工 作于放大状态。 定义：指基极电流IB一定时， 三极管的集电极电流IC与管压 降UCE之间的关系曲线