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西安电子科技大学:《大学物理》第八章 静电场(8.3)高斯定理

资源类别:文库,文档格式:PPT,文档页数:14,文件大小:661KB,团购合买
1.内容:真空中的任何静电场中穿过任一闭合曲面的电 通量在数值上等于该闭合曲面内包围的电量的代数和乘 以1/s
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三、高斯定理 1.内容:真空中的任何静电场中,穿过任一闭合助面的电 通量,在数值上等于该闭合曲面内包围的电量的代数和乘 以1/s ∮E·ds=∑q 思考 )高斯面上的E与哪些电荷有关? 2)哪些电荷对闭合曲面S的中有贡献? 第8章静电场

第8章 静电场 1 e 0 1 1 d n i S i Φ E S q  = =  =   内 真空中的任何静电场中,穿过任一闭合曲面的电 通量,在数值上等于该闭合曲面内包围的电量的代数和乘 以 . 1 0  1)高斯面上的 E 与哪些电荷有关 ? 2)哪些电荷对闭合曲面 s 的 Φe 有贡献 ? 三、高斯定理 1. 内容: 思考:

2.推证: 库仑定律 高斯定理的导出 电场强度叠加原理 (1)点电荷位于球面中心 69 点电荷电场E 4πE。r 手Eds=乐 ds 4丌 4丌E 4丌Er (2)点电荷在任意闭合曲面内 ES=∮ E·dS 第8章静电场

第8章 静电场 2 2. 推证: + S  d (1) 点电荷位于球面中心 2 0 4π q E  r = 1 e d S Φ =  E S  0 q  = r 高斯定理的导出 库仑定律 电场强度叠加原理 点电荷电场 1 2 0 d 4π S q S  r =  2 2 0 4π 4π q r  r =  (2) 点电荷在任意闭合曲面内 S1 2 S 2 e d S Φ =  E S  1 d S =  E S  0 q  = q

(3)点电荷在闭合曲面之外 E·dS=0 q (4)由多个点电荷产生的电场 Eds=∮∑Eds q2○ ∑事EdS+∑∮EdSg° ds ∑∮EdS=0 q° 中=∑手EdS=∑9内 ⅸ内) 第8章静电场

第8章 静电场 3 q (3) 点电荷在闭合曲面之外 3 e d 0 S  =  = E S  1 q i q 2 q s dS E  (4) 由多个点电荷产生的电场 e d S Φ =  E S  i i d d i i S S =  +    E S E S   (外) e 0 1 i d i i i S Φ E S q   =  =    内 (内) d 0 i i S  E S  =  (外) 3 s d i S i =  E S 

高斯定理 ∮ E·dS ∑ 0i=1 q内Ec 真空中的任何静电场中,穿过任一闭合曲面的电通量,在数 值上等于该闭合曲面内包围的电量的代数和乘以1/co 结论 1)高斯面上的电场强度为所有内外电荷的总电场强度 2)高斯面为闭合曲面 3)穿出高斯面的电场强度通量为正,穿入为负 4)仅高斯面内的电荷对高斯面的电通量有贡献 5)静电场是有源场 第8章静电场

第8章 静电场 4 e 0 1 1 d n i S i Φ E S q  = 高斯定理 =  =   内 1)高斯面上的电场强度为所有内外电荷的总电场强度. 4)仅高斯面内的电荷对高斯面的电通量有贡献. 2)高斯面为闭合曲面. 5)静电场是有源场. 3)穿出高斯面的电场强度通量为正,穿入为负. 结论 0 1 V dV  =  真空中的任何静电场中,穿过任一闭合曲面的电通量,在数 值上等于该闭合曲面内包围的电量的代数和乘以 . 1 0 

讨论 1)将q2从移到B,P点电场强度是 A 否变化?穿过高斯面S的电通量是否 变化? (2)在点电荷+q和-q的静电场中,做 B 如下的三个闭合面S1,S2S3,求通过各 闭合面的电通量 +a ∮E ①2=0 第8章静电场 5

第8章 静电场 5 S1 S2 S3 +q −q 1 1 0 d S q Φ E S  =  =  2 Φ = 0 3 0 q Φ  − = (2) 在点电荷+q和-q的静电场中,做 如下的三个闭合面S1 ,S2 ,S3 , 求通过各 闭合面的电通量 (1) 将q2从A移到B,P点电场强度是 否变化?穿过高斯面S的电通量是否 变化? 2 q 2 q A B s 1 q P * 讨论

四、高斯定理的应用 求解电荷具有某些对称分布的电场 解题步骤: 1.对称性分析;(球对称、柱对称、面对称) 2.根据对称性选择合适的高斯面; 高斯面必须是闭合曲面 高斯面必须通过所求的点 高斯面的选取使通过该面的电通量易于计算 3.计算高斯面包围的电荷电量的代数和; 4.应用高斯定理求解 第8章静电场

第8章 静电场 6 四、高斯定理的应用 1. 对称性分析; 2. 根据对称性选择合适的高斯面; 3. 计算高斯面包围的电荷电量的代数和; 4. 应用高斯定理求解. ——求解电荷具有某些对称分布的电场 (球对称、柱对称、面对称) 解题步骤:  高斯面必须是闭合曲面  高斯面必须通过所求的点  高斯面的选取使通过该面的电通量易于计算

例均匀带电球面,总电量为Q,半径为R 求:电场强度分布 解:根据电荷分布的对称性, R E 选取合适的高斯面(闭合面) 取过场点、以球心O为心的球面 计算高斯面的电通量 E ∮E·=∮ES=EA=E4x2=∑ E R∑q TR∑91=Q RE 4丌E 第8章静电场 7

第8章 静电场 7 例 均匀带电球面,总电量为Q,半径为R, Q 根据电荷分布的对称性, 选取合适的高斯面(闭合面) 解: 取过场点、以球心 O为心的球面 E S E dS   S = EdS  S = E dS  2 = E r 4 求:电场强度分布 R o P r S dS 计算高斯面的电通量 0 1  =  i i q 0 2 0 4   = Q r R E r r  =  0 i i r R q  =  i i r R q Q r R E  = 0 r E O E = 0 2 1 E r 

例已知球体半径为R,带电量为q(电 荷体密度为) 求均匀带电球体的电场强度分布 R 解球外(r≥R) EdS=E.4πr=q/6o E R 4a 兀EF 38 E 球内(r<R) E·dS=E·4π q πrP R 电场分布曲线 E-p 38 第8章静电场

第8章 静电场 8 例 已知球体半径为R,带电量为q(电 荷体密度为) R + + + + 解 球外 ( ) r R  r 0 2 0 4 1 r r q E    = 0 2 3 3 0 r r R    = 求 均匀带电球体的电场强度分布 球内( ) r R  3 0 0 1 1 4 ' 3 q r    = =   2 d = E  4r  S E S   r' 3 0 E r   = 电场分布曲线 R E O r 2 d =   E 4 r S E S   0 = q 

例死限长均匀带电直线,单位长度上的电荷(即电荷线密 度)为λ,求距直线为r处的电场强度 解对称性分析:轴对称 选取闭合的柱形高斯面 E ∮E:ds」Eds+∫Eds+∫Eds s(侧) s(上 s(下) h EdS +0+0=2TrhE s(侧) 0 E 2πEnr 第8章静电场

第8章 静电场 9 例 ( ( (  +  +  d d d    s s s 侧) 上) 下) E S E S E S 选取闭合的柱形高斯面 无限长均匀带电直线,单位长度上的电荷(即电荷线密 度)为λ,求距直线为r 处的电场强度. 解 对称性分析:轴对称 d S E S  =  ( d 0 0 s =  + + E S  侧) + + + + + o x y z h E  + r = 2πrhE0 0 2 π E r r   = 0   = h

例已知“无限大”均匀带电平面上电荷面密度为a 求电场强度分布 解电场强度分布具有面对称性 选取一个圆柱形高斯面 Φ=dE·dS o EdS+rEdS+ E·dS 右底 =0+es+ ES=2ES E 根据高斯定理有 QES=-OS E 第8章静电场 10

第8章 静电场 10 解 电场强度分布具有面对称性 选取一个圆柱形高斯面 d e S  =  E S  已知“无限大”均匀带电平面上电荷面密度为 求 电场强度分布 例 n  E E n     =  +  +  侧 左底 右底 E S E S E S       d d d = 0 + ES + ES = 2ES 根据高斯定理有 ES  S  0 1 2 = 0 2  E = x O Ex n 

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