计算电磁学(小班研讨课) 966 第5章时域有限差分法Ⅱ 5.1 Beyliss-.Turkelr吸收边界条件 目录 5.2 Engquist-Majdal吸收边界条件 5.3廖氏吸收边界条件 5.4 Berenger?完全匹配层 5.5 Gedneys完全匹配层 2
2 计算电磁学(小班研讨课) 目 录 第5章 时域有限差分法 II 5.1 Beyliss-Turkel吸收边界条件 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 5.3 廖氏吸收边界条件 5.4 Berenger完全匹配层 5.5 Gedney完全匹配层
计算电磁学 956 第5章时域有限差分法I 吸收边界条件 3
3 第5章 时域有限差分法 II ——吸收边界条件 计算电磁学
吸收边界条件简要回顾 966 ◆ 基于方程 >基于物理方程(波动方程、辐射条件) 1.单向波动方程→Engquist-Majda-Mur ABC √ (3.2.1FDFD)、(5.2FDTD) 2. 辐射条件→Bayliss-Turkel辐射边界条件 (5.1自学) 3.On-Surface辐射边界条件(3.3.2边界积分方程FDFD) >基于数学方程(插值、外推) 4.廖氏吸收边界条件(哈工程,廖振鹏院士)(5.3) √ ◆基于材料 >完全匹配层(PML) 5.1993,J.-P.Berenger,PML (5.4自学)】 6.1996,Gedney,单轴媒质 (5.5自学) 4
4 吸收边界条件简要回顾 基于方程 基于物理方程(波动方程、辐射条件) 1. 单向波动方程Engquist-Majda-Mur ABC (3.2.1 FDFD)、(5.2 FDTD) 2. 辐射条件Bayliss-Turkel辐射边界条件 (5.1 自学) 3. On-Surface辐射边界条件 (3.3.2边界积分方程FDFD) 基于数学方程(插值、外推) 4. 廖氏吸收边界条件(哈工程,廖振鹏院士)(5.3) 基于材料 完全匹配层(PML) 5. 1993,J.-P. Berenger, PML (5.4 自学) 6. 1996,Gedney,单轴媒质 (5.5 自学)
5.2 Engquist-Majdal吸收边界条件 966 单向波方程 二维情况: a'U aU 1aU dx oy cor > 偏微分算子的因式分解→准确的解析的吸收边界条件 L= +-1=D+D-D: dxOyC201 LU=0→L+LU=0 E=D--:D+;s-Dlc X=0边界:LU=0 >根式√1一s的泰勒级数展开→近似的解析的吸收边界条件 X=0边界: au 1aU =0 -阶近似:V1-s2兰1;ax c ot aU 1aU cOU 二阶近似:V1-s2兰1-0.5s2;0x0ca2+202 =0 5
5 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 单向波方程 二维情况: 偏微分算子的因式分解准确的解析的吸收边界条件 ; LU=0 𝑳 +𝑳 −𝑼 = 𝟎 ; ; x=0边界: 𝑳 −𝑼 = 𝟎 根式 𝟏 − 𝒔 𝟐 的泰勒级数展开 近似的解析的吸收边界条件 x=0边界: 一阶近似: 𝟏 − 𝒔 𝟐 ≅ 𝟏; 二阶近似: 𝟏 − 𝒔 𝟐 ≅ 𝟏 − 𝟎. 5𝒔 𝟐; 2 2 2 2 2 2 2 1 0 U U U x y c t 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 L D D D x y t x y c t c 2 1 t x D L D s c 2 + 1 t x D L D s c y t D s D c 1 0 U U x c t 2 2 2 2 2 1 0 2 U U c U x t c t y
5.2 Engquist-Majdal吸收边界条件 单向波方程 三维情况的吸收边界条件,可类似推导出相应的二阶近似解析吸收边界条件 OU 18U coU cOU X=0边界: =0 0xot c 012 2 0y2 2 022 aU 1aU coU cOU x=h边界: =0 Oxot c 012 2 0y2 2 0z2 aU 18U caU cOU y=0边界: =0 Ovot c or2 0x22 022 aU 18U cOU cOU y=h边界: Oyot'c 012 2 0x2 2 022 0 aU 18U coU caU z=0边界: dot c or 2 0x 2 0y2 aU 1aU coU cOU z=h边界: =0 dzot c or2 2 0x2 2 0y2 6
6 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 单向波方程 三维情况的吸收边界条件,可类似推导出相应的二阶近似解析吸收边界条件 x=0边界: x=h边界: y=0边界: y=h边界: z=0边界: z=h边界: 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U x t c t y z 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U x t c t y z 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U y t c t x z 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U y t c t x z 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U z t c t x y 2 2 2 2 2 2 2 1 0 2 2 U U c U c U z t c t x y
5.2 Engquist-.Majda吸收边界条件 966 Mur差分格式 近似的数值的吸收边界条件 aU 1aU > x=0边界,一阶近似:x c Ot 0 >展开点:x=△x/2处、t=(n+0.5)△t时刻 >中点差分格式+中点平均近似 "m:m( >Mur的一阶吸收边界条件 )(1)(-U] 7
7 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 Mur差分格式 近似的数值的吸收边界条件 x=0边界, 一阶近似: 展开点:x=x/2处、t=(n+0.5)t 时刻 中点差分格式+中点平均近似 ; ; Mur的一阶吸收边界条件 1 0 U U x c t 1 1 2 2 1 1 , 2 2 1 (1) (0) n n U x n t U U x x 1 1 1 , 1 1 1 1 2 2 2 2 n n U x n t U U c t c t U m U m U m n n n 1 2 1 1 2 ( ) U m U m U m n n n 1 2 1 2 1 1 1 0 1 1 0 n n n n c t x U U U U c t x U j 0, x 1 , 2 U j y U j 1,
5.2 Engquist-.Majdal吸收边界条件 966 Mur差分格式 0(0j+1) 0L+1) 近似的数值的吸收边界条件 a'U 18U caU x=0边界,二阶近似:xtca222 =0 >展开点:辅助网格点(0.5△x,j△y)处、t=(n+0.5)△t时刻 >中点差分格式+中点平均近似 U(j-1) >Mur的二阶吸收边界条件(5.46) =-w+,点+w+24,+肌) 0A-2吧,+w5+w-2+wr) (c△t)2△x 十 ■在角点处并不适用,因为其中要用到的某些网格点的数据无法知道,这些网格点位于网格区域之外 >三维情形的Mu吸收边界条件(5.49),类似推导 8
8 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 Mur差分格式 近似的数值的吸收边界条件 x=0边界, 二阶近似: 展开点:辅助网格点(0.5x,jy) 处、t=(n+0.5)t 时刻 中点差分格式+中点平均近似 Mur的二阶吸收边界条件(5.46) 在角点处并不适用,因为其中要用到的某些网格点的数据无法知道,这些网格点位于网格区域之外 三维情形的Mur吸收边界条件(5.49),类似推导 2 2 2 2 2 1 0 2 U U c U x t c t y 1 1 1 1 0, 1, 1, 0, 0, 1, 2 2 0, 1 0, 0, 1 1, 1 1, 1, 1 2 ( ) 2 2 2( ) ( ) n n n n n n j j j j j j n n n n n n j j j j j j c t x x W W W W W W c t x c t x c t x W W W W W W y c t x
5.2 Engquist-Majdal吸收边界条件 966 Trefethen-Halpern近似展开 >算子方程中的根式√1一s2用泰勒级数展开是近似方案之一 V1-s2也可以用有理函数逼近(Trefethen-Halpern提出):、 1-s2=P( q,(s) (m,n)型有理逼近:p,m(s)和qn(S)分别是区间[-1,1]上的m阶和n阶多项式 >(2,0)型有理逼近 D V1-32=p,+p,52;s D,c:E=D,-2- LU=0→ aU Poau oU Oxot c0-Pac =0 02 >po和p2的值由所选的插值方法确定,在[-1,1]上最佳地逼近V1-s2 Pade'逼近、最小二乘逼近、Chebyshevi逼近、 >二阶泰勒级数近似:p0=+1、p2=-0.5的(2,0)型逼近,在x=0边界的正入射方向准确地吸收外向波 >改变系数po和p2,将改变准确吸收外向波的角度 9
9 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 Trefethen-Halpern近似展开 算子方程中的根式 𝟏 − 𝒔 𝟐 用泰勒级数展开是近似方案之一 𝟏 − 𝒔 𝟐 也可以用有理函数逼近(Trefethen-Halpern提出): (m, n) 型有理逼近: 和 分别是区间[-1, 1]上的m阶和n阶多项式 (2, 0)型有理逼近 ; ; p0和p2的值由所选的插值方法确定,在[-1, 1]上最佳地逼近 𝟏 − 𝒔 𝟐 Pade’逼近、最小二乘逼近、Chebyshev逼近、…… 二阶泰勒级数近似:p0=+1、p2=-0.5的(2,0)型逼近,在x=0边界的正入射方向准确地吸收外向波 改变系数p0和p2,将改变准确吸收外向波的角度 1 2 s r s p s q s m n ( ) ( ) ( ) pm (s) q s n ( ) 1 2 0 2 2 s p p s y t D s D c 2 1 t x D L D s c L U 0 2 2 2 0 2 2 2 0 U U U p p c x t c t y
5.2 Engquist-Majdal吸收边界条件 956 Higdon算子 >准确吸收以某些角度传播的平面波 以速度c向x=0边界传播的平面波的线性组合(相对于-x轴以角度士01、,,士0p对称地入射) Ux,y)=fct+店)+g,(c+房 =f(ct+xcosa+ysin)+... +xcosap+ysin)) +g (ct+xcosa-ysina)+... +xcosap-ysinp >Higdon湮灭算子(x=0处的吸收边界条件): >p=1 aU aU c0s0% at ax =0,在边界×=0处,将完全吸收以速度c、相对于-×轴角度为士01传播的平面波; 01=0时,退化为一阶泰勒级数展开近似吸收边界条件式 10
10 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 Higdon算子 准确吸收以某些角度传播的平面波 以速度c向x=0边界传播的平面波的线性组合(相对于-x轴以角度1、,p 对称地入射) Higdon湮灭算子(x=0 处的吸收边界条件): p=1 ,在边界x=0处,将完全吸收以速度c、相对于-x轴角度为1传播的平面波; 1=0时,退化为一阶泰勒级数展开近似吸收边界条件式 * 1 1 1 1 1 1 1 1 ˆ ˆ ( , , ) ˆ ˆ cos sin cos sin cos sin cos sin p p j j j j j j p p p p p p U x y t f ct g ct f ct x y f ct x y g ct x y g ct x y k r k r cos j j p t c x U 1 0 1 cos 0 U U c t x
5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 ◆ Higdon算子 >p=2 aU -0→cos4,csa2-d(cosa+os)月 a'U -C 2 Ot +C1 ar? =0 ax 8t 在边界x=0处,将完全吸收以速度c、相对于-x轴角度为士01和士02传播的平面波 >Higdons算子特性 ■ 以角度C)传播的平面波的任意组合将在X=0处被完全吸收 cosa,-cos0 ■以入射角传播的平面波,在x=0处的反射系数理论值为: R=-Π cosa;+cos0 ■对于任一给定的湮灭阶数p和给定问题,可以选择准确吸收角度0来优化网格外边界处的总体传输特性 ■执行Higdon算子数据取样所需网格点位于垂直于边界的一维方向上,实现得到简化,尤其在角点处 ■Engquist-Majdai和Trefethen-Halpern吸收边界条件都可以看作Higdon算子的特例 >在推导Engquist-Majda、Trefethen-Halpern、Higdonl吸收边界条件中假设了均匀波速c,存在 由伪反射引起的边界数值反射下界,通常在0.1%~1%量级,即使采用高阶吸收边界条件也是如此 11
11 5.2 Engquist-Majda吸收边界条件 Higdon算子 p=2 在边界x=0处,将完全吸收以速度c、相对于-x轴角度为1和2传播的平面波 Higdon算子特性 以角度j 传播的平面波的任意组合将在x=0处被完全吸收 以入射角传播的平面波,在x=0处的反射系数理论值为: 对于任一给定的湮灭阶数p和给定问题,可以选择准确吸收角度j来优化网格外边界处的总体传输特性 执行Higdon算子数据取样所需网格点位于垂直于边界的一维方向上,实现得到简化,尤其在角点处 Engquist-Majda和Trefethen-Halpern吸收边界条件都可以看作Higdon算子的特例 在推导Engquist-Majda、Trefethen-Halpern、Higdon吸收边界条件中假设了均匀波速c,存在 由伪反射引起的边界数值反射下界,通常在0.1%~1%量级,即使采用高阶吸收边界条件也是如此 2 1 cos cos 0 U U U U c c t x t x 2 2 2 2 1 2 1 2 2 2 cos cos cos cos 0 U U U c c t x t x cos cos cos cos j j R