§3导体壳与静电屏蔽 腔内无带电体 1.内表面处处没有电荷即内表面Q 2.腔内无电场即E腔内=0 或说,腔内电势处处相等。 证明:在导体壳内紧贴内表面作高斯面S E.0根据高斯定理 qn 0 O 内表面 若内表面有一部分是正电荷,一部分是负电荷 则会从正电荷向负电荷发电力线与导体等势矛盾 所以上述两个结论成立
Q内表面 = 0 证明: 与导体等势矛盾 = 0 S E ds = 0 i qi 一.腔内无带电体 1. 内表面处处没有电荷 E腔内 = 0 即 或说,腔内电势处处相等。 在导体壳内紧贴内表面作高斯面S 根据高斯定理 = 0 Q内表面 若内表面有一部分是正电荷, 一部分 是负电荷 则会从正电荷向负电荷发电力线 所以上述两个结论成立! S ? + − 即 2. 腔内无电场 §3 导体壳与静电屏蔽
注意: 腔内的场与腔外(包括壳的外表面)的电荷 及分布无关 即:在腔内E外表面+E外=0 电荷 带电体 二.腔内有带电体 1电荷分布Q腔内==q 表面 (用高斯定理可证) 2.腔内的场只与腔内带电体及腔内的几何因素 及介质有关即:在腔内E外而+E外=0 电荷 带电体
− q 注意: 腔内的场与腔外(包括壳的外表面)的电荷 及分布无关 + = 0 带电体 壳外 电荷 E壳外表面 E 即:在腔内 二. 腔内有带电体 q 1. 电荷分布 Q = −q 表面 腔内 (用高斯定理可证) 2. 腔内的场只与腔内带电体及腔内的几何因素 及介质有关 在腔内 + = 0 带电体 壳外 电荷 E壳外表面 E 即:
静电屏蔽装置一接地导体壳 静电屏蔽: 腔内、腔外的场互不影响 腔内场只与内部电荷及内部几何条件及介质 有关 腔外场只由外部电荷和外部几何条件及介质 决定 静电屏蔽现象 演示 高压带电操作
三. 静电屏蔽装置---接地导体壳 静电屏蔽: 腔内、腔外的场互不影响 腔内场 只与内部电荷及内部几何条件及介质 有关 腔外场 只由外部电荷和外部几何条件及介质 决定 静电屏蔽现象 高压带电操作 演示:
§4电容电容器 孤立导体的电容 孤立导体的电势U=Q R 4丌EnR Q=4兀60 R 7∝Q 定义C9意义:升高单位电压所需 U的电量为该导体的电容。 单位:法拉F 电容只与几何因素和介质有关 固有的容电本领 水容器的容量
§4 电容 电容器 一. 孤立导体的电容 电容只与几何因素和介质有关 固有的容电本领 单位:法拉 F U Q 孤立导体的电势 U Q 定义 C Q 水容器的容量 意义:升高单位电压所需 的电量为该导体的电容。 R Q U 0 4 = = 40 R U Q R
二.导体组(电容器)的电容 由于导体壳内部的场只由腔内的电量和几 何条件及介质决定(相当于孤立) (几何条件--腔内导体表面与壳的内表面 形状及相对位置) B 定义C=Q 内表面 △U
二. 导体组(电容器)的电容 由于导体壳内部的场只由腔内的电量和几 何条件及介质决定(相当于孤立) ------腔内导体表面与壳的内表面 形状及相对位置) U Q C 定义 = (几何条件 A B − Q 内表面 Q
例.平行板电容器:S>>d2 E oo g/s C AB=Ed gd g= 例.球形电容器: E=0 R E=0r≥R2 R E R<r<R 4兀Er
0 − 0 E q = S 0 例. 平行板电容器: d S C 0 0 = 0 0 0 / q S E = = 2 S d S qd UAB Ed 0 = = 例. 球形电容器: R1 R2 o q o − q 0 R1 E = r 0 R2 E = r 2 1 2 0 0 ˆ 4 r R r R r q E =
R 0 lo 0 12 R14兀Er 40R14丌R2 C 0 U-U C4丌1R R 0 R-R R 特别是当 R,→>∞ C=4Ter
0 2 0 0 1 0 2 0 0 1 2 4 4 4 2 1 R q R q dr r q U R R = = − 2 1 4 0 1 2 R R R R C − = 1 2 0 U U q C − = 特别是当 R2 → C = 4 0 R1 R1 R2 o q o − q 讨论