6.012电子器件与电路 四秋平测验1就卷 参数取值： 周期表： 9=1.6x10-"Couf 二■8854rl0r“Fcm Ⅲ "11.7.5w10Fm B c IZ n SiR年10cw Al Si P &T/g =0.025V:(RT/q)In10 =0.06V Ga Ge As 1wm=Lx10cm In Sn Sh 透移少散： 静中生 源移速率： 3=μE, dE(x) =x) E(x)- d 电导率率： G■gL,n+4,P) do(x) E(x )=-了Ex) 扩散通量： C F.=-D. -ed型=K国 -Ⅱed 爱因斯组关系式： 凸.杠 五个林本方程： 电子浓度： D1JD-8:任，-ax.0rp红0-n Ir q x 空穴浓度： 风x,01U(红0 1q =8红，0-[x1x0-刀 电子电道密度：（属-9职，风x,B红，+gD 空穴电流密度：人-，红E(x0-gD, x 泊松方程： ED.引.0-x+N0-g 均匀携杂，充分虫宽： n-e,N。>N, 元=N-NINP=同/月 p-type,N,>Na R*N-心，INw元-mh克=-n 9 均匀光遂厨，均匀挂数： N=R。十N p=P.+p n'=p' -80-(B+元，+m7 d加'」 入gp+a:兰号-0种
6.012 电子器件与电路 2003 秋季测验 1 试卷 参数取值： 周期表： 漂移/扩散： 静电学： 漂移速率： 电导率率： 扩散通量： 爱因斯坦关系式： 五个基本方程： 电子浓度： 空穴浓度： 电子电流密度： 空穴电流密度： 泊松方程： 均匀掺杂，充分电离： 均匀光激励，均匀掺杂： 低注入, n',p' << p + n ： 其中
漂移问恩（均匀掺杂准中性区。准静态激励。低注入：P型半导体）力 过剩少数载流子： n'-m。-L ■-晟(0 D L!D.T. 少子电流密度： J.q0, dn'(t) 多子电流密度： J)=m-J(0 电场： 1 E,() qWPL P.)-会 过剩多数载流子： P(x)sn')() qdix 非均匀拔杂半导体的热平衡： ▣-ew-a-,-心，明 d R(x)=n,ea。P.()=ne*aW。r红n,(=m n结势垒近似服耗： 0 for x<-, Nur -NoE. 风x)= -qN for -X,<X0 qN po for 0<x<. 0 for x.<X A1氏-年，-巴mV心 w(vAa)= 25(-"wWw+N】 29(-)NNon N+No qor(VAB)=-AqNt,(V)=-A 2q5(-u N+N) 理塑的pn结二极管y关系式： 道L。0 D o=Agn Na.w. Lw。-/L重L。 tl.以 Ax注意：汽)=在QNR中
漂移问题（均匀掺杂准中性区，准静态激励，低注入；p 型半导体）： 过剩少数载流子： 少子电流密度： 多子电流密度： 电场 ： 过剩多数载流子： 非均匀掺杂半导体的热平衡： p-n 结势垒近似损耗： 理想的p-n 结二极管 i-v 关系式：
夏极型晶体管特性的E-M惊型(@型为例，没有基区宽度遇制) 城品品到 DN业，we ic i()Agei N 其中 2D, 2 么++=城品n水e* 正向政大区(FAR)的大信号模型《pm型，有基区宽度遵制) -+D oea)=+ai,a)=eu加+eal 崩渍点愤至："m06,a=0,2V MOS电名： 平带电压：0)■p时Vm=cm 网值电压：(0)=，s+Vg时V=V V)V2s 2.,v qV 反型层电背密度： i -Calvoc Vy(vsc)] 积累层中营帝度： 4=CalVan Vra(vsc) MOS场效应管的缓变油道近复（型。，无密道长度遇制） 时于V感0并且”s之0无效 6(W's"s)■0井且。VVDRV■)=0 0 for- va V(V)]<0<va awe）=W 2 L .Calva V(Va) for 0<v VH(Va)]<va 是，Caea)gmfc0<m<Hv V(v) 种a2,*P 1r2
双极型晶体管特性的Ebers-Moll模型（npn型为例，没有基区宽度调制） 正向放大区（FAR）的大信号模型（npn型，有基区宽度调制） MOS电容： 反型层电荷密度： 积累层电荷密度： MOS场效应管的缓变沟道近似（n型，无沟道长度调制）
饱和状态MOS场效应管大信号檀型（泡道，有基区宽度测制） e(aSVDSVaS）=0 in(vasVosVas)0 o(VVvv 共中K=7,C势且=。2，+PaNP,小 小信号堡性等效中路： P-型二极管 当CVa)=A gN一以及 2(.V) C化-w,-。且=n时 KT 2D. 2D, &=euw当 Ca-C+Co UJT(在4R区减》 &T g-8 Vel or 当一 2Damr C■。。十B-E耗尽电容 C■BC耗尽电容 O5FT(饱和状老下) &.2Ka-Ks-v|■ 21 (Vas-Vr) 。 或者 a 8=8.=V2Ka 并且 Vas Co-3WLC C南，C,C:耗尽区装电容 C划-WC其中C是每个门宽度的播漏边及重叠电容
饱和状态MOS场效应管大信号模型（n沟道，有基区宽度调制） 小信号线性等效电路：