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西安电子科技大学:《大学物理》课程试卷习题(下)模拟试题1(含参考答案)

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一、选择题(每小题3分,共30分) 1.如图所示,闭合曲面S内有一点电荷g,P为S面上一点,在$面外A点有一点电荷g', 若将g移到B点则下列说法中正确的是() ◇ A穿过S面的电场强度通量改变,P点的电场强度不变; B穿过S面的电场强度通量不变,P点的电场强度改变: C穿过S面的电场强度通量不变,P点的电场强度不变; D穿过S面的电场强度通量改变,P点的电场强度改变。 2。真空中有A,B两块平板,两块平板闻距离很小,平板面积很大为S,其所带电量分别 为+9,q,对于两平板间的相互作用力E下列结果正确的是() A.F=-1g Anco d2: B.F=g-=- o651 C.F=926028 D.无法计算。 3.有一个与地绝缘的金周筒,上面开有一小孔,通过小孔放入一用丝线悬挂的带正电的 小球,在以下哪种情况时,金属简外壁带负电() A.小球跟简的内壁不接触; B.小球跟简的内壁接触: C.小球跟简接触,人用手接触筒的外壁,松开手后将小球移出简: D。小球不跟简接触,人用手接触简的外壁,松开手后将小球移出筒。 第1页共8页 子

4.如图所示,在平面内分布的载流导线放在真空中,载流导线通 有电流,中段弯成半径为R的圆弧,若选取垂直纸面向里为正 方向,则0点的磁感强度B的大小为由带) 0 1 6 .2 8R 4R球C 如图所示,在长直导线中通有电流7,为二与工共面的矩形线圈,且B边与 导线L平行.下列情况中,矩形线圈中感应电流为零的是(一县大费透中的 A矩形线圈在纸面内向右移动: 路 B.矩形线圈以AD边为轴旋转 C矩形线圈以AB边为轴旋转, D.矩形线圈以直导线L为轴旋转。 6。平行板电容器充电后电源断开。然后在两极板间充满相对介电常数为 微 £的电介质,则电容器(衣味写阳1面司 A电容减小、电压下降、电场能量增大: B电容增大、电压下降、电场能量减小: C电容增大、电压升高、电场能量减小: D电容减小、电压升高、电场能量增大。 7.下面说法正确的是() A.条形磁铁沿铜质圆环的轴线插入铜环时,铜环中有感应电场,无感应电流; B.条形磁铁沿塑料圆环的轴线插入塑环时,塑环中有感应电场,无感应电流: 8C条形磁铁沿塑料圆环的轴线插入塑环时,塑环中无感应电场,有感应电流: D,条形磁铁沿铜质圆环的轴线插入铜环时,铜环中无感应电场,有感应电流。 已其8.两偏振片的偏振化方向的夹角由60°转到45时,若入射光的强度不变,则透射光的 式演荒 强度,g等于备,)所李歌阆式龄影,品貅利号半发一送不浪函政 最强吸 A.2:1;B.31:饕C始1:2:D.1:3。号半爵聯德臭出 9.如果把装有气体的密封绝热容器放在汽车上,汽车静止时设气体温度T汽车作匀速 直线运动时设气体温度T2,当汽车突然刹车时气体温度T3。可知[ ] A.T1<T2<T3: B.T1<T=T3:C.T1=T2<T3: D.T1=T2=T3 10.一个空腔可以看作黑体。实验得出,当空腔与内部的辐射处于平衡时,辐射能量密 度按波长分布的曲线形状和位置 [] 长端风权游系园 A只与绝对温度有关: :中B:与绝对温度及组成物质有关,的下米个一善 C与空腔的形状及组成物质有关: D.与绝对温度无关,只与组成物质有关。 第2页共8页

C计C 二、填空题(每小题3分,严共30分)调的牙大号半象警鸡中旅由 1.如图所示,真空中两无限大均匀带电的平行平面A和B,其电荷0 。,时 面密度分别为+口和一。,若P点的场强大外用E表示,当在两平面。 :的中间插入另电荷面密度为+σ的无限大平行平面C后,图中P点 的电场强度的大小是 试张由欢哪中國龄进 1到 2.真空中的一平行板电容器,电容为C,两极板间距离为d,充电后, 两极板间相互作用力为F,则极板上的电荷量是 3.如图所示,在x0平面上倒扣着半径为R的半球面,在半球 面上电荷均匀分布,其电荷面密度为·,A点的坐标为(O,R /2),B点的坐标为(3R/2,0》g电势差Ua 4.如下图(左)所示,在半径为R的球面上,铅直和水平的两个圆中通以相等的电流, 电流流向如图所示.球心0处磁感强度的大小为 ”,小作容 三通油 人 R 代事,不容用 大面 程图抽左人 中在壁,及增 区调琳度幽0染正 5.如上图(右力所示宁个半径为R的圆形线圈,通有电流,放在磁感强度为B的均 匀磁场车,磁场方向与线圈平面平行,线侧受到的对箱。口的力炬天小为】 化6。两个自感系数均为的线圈相互垂直放置(一个的轴线与另一个的直径垂合力其互感 系数为 7.如右图所示为一块半导体样品,沿x轴方向通有电流工在z轴方向加有均匀磁场B。 由实验测得半导体簿片两侧的电势差 U0>0,则此样品是过辛兴道型半导 门欣▣T宽影种情速镜然克卒兴兰 体。 TeT=T.G >e=,T3 8.m0l单原子理想气体,绝热过程中温度上升△7 则系统对外做功为 9.若一个光子的能量等于一个电子的静能量m.c2, 该光子的波长是 10.纯硅在T=0K时能吸收的辐射最长的波长是1.09 μm,故硅的禁带宽度为 eV.(普朗克 常量h-6.63×1034J.s,1eV=1.60X1019J) 第3页共8页

三、计算题(每小题10分,共40分) 1. 设在半径为R的球体内,其电荷为对称分布,电荷体密度为 p=kr (0R) k为一常量.求电场强度E与r的函数关系. 第4页共8页

2.连一内外半径分别为R,R的均匀带电平面圆环,电荷面密度为σ,其中心有一半径为 r的导体小环(R,>),二者同心共面如图.设带电圆环以变角速度@=0绕垂直于环面 的中心轴旋转,导体小环中的感应电流1等于多少?方向如何(已知小环的电阻为)? 藏荷来,西20 R2/ 业8共风8美 第5页共8页

3.波长1=600m的单色光垂直入射到光栅上,光屏上第2级明条纹出现在 sin0=0.2处,且第4级缺级。试求 (1)光栅上相邻两缝间的距离: (2)光栅上狭缝的最小宽度。 4.一定质量的单原子理想气体,从初态出发经过如题图所示的循环过程又 回到状态a。其中过程ab是直线,bc为等体过程,ca为等压过程。求此循环 的效率。 4P(10Pa) 3 e----- 22 V(L) 第6页共8页

一、选择题 1B 2C 3D 4A 5D 6B 7B 8A 9C 10A 二、填空题(每题3分,共30分) 126 2.2FdC 3.OR 68 4.241 2R 5.IBπR2 6.b 7.n 8. 9.2.42×1012m 10.1.14eV 三、计算题(每题10分) 1.解:作一半径为r的球形高斯面,穿过此高斯面的电通量为 中=E.5=4π2E 2分 (1)若此高斯面在球内,它所包围的电荷为 g=∫d=jplw=jkr4x2d=r 2分 由高斯定理有 An"E=Tr 60 可解出 3分 480 方向沿半径方向。 (2)球外 E=kR 3分 46r 2.解:带电平面圆环的旋转相当于圆环通有屯流1.在R1与R2之间取半径为R、宽度为 dR的环带,环带内有电流 d/=oRo(t)dR 2分

1 B 2 C 3 D 4 A 5 D 6 B 7 B 8 A 9 C 10 A 3 , 30 ) 1 E 2 1 2. 3. 0 6 R 4. 0 2 2 I R 5. 2 6. b 7. n 8. TR 2 3 9. 10. 1.14eV 10 1. r ErsdE S 2 4 2 1 4 0 2 4 krdrrkrdVdqq r 2 0 4 2 4 kr Er 0 2 4 kr E 3 2 4 2 0 4 kR E r 3 2. I R1 R2 R dR 2

d!在圆心O点处产生的磁场 dB-MdI./R-H,()dR 2分 由于整个带电环面旋转,在中心产生的磁感应强度的大小为 B=-4,00(I0(R2-R) 1分 选逆时针方向为小环回路的正方向,则小环中 D≈2“,0-R元r产 1分 6,= d=_ dt 2 2 xr (R-R)odo() 1-是-L-Rzdo0 3分 R 2R 方向:当do(t)/dt>0时,i与选定的正方向相反. 1分 当do(t)/dt0,O,>0,吸热 V(L) 因此整个循环只有ab过程吸热 5分 由公式=A计算较方便:由图知 Q

dI O d)( RtRIB 2 1 /.d 2 1 d 00 2 ))(( 2 1 RRtB 120 1 2 120 1 0 2 i 2 1 2 i 0 2 1 3 d (t) /d t >0 i 1 d (t) /d t <0 i 3. 1 3 2 4 2 4 3 2 4 ab 5 1 A Q a b c P 105 Pa V L O

A=g-X2-2)=x10×2x10=10J M 1 g=n=△n+m= 以、。 2+。-g) 1 2、。+n, 0--“x102J A100 该循环效率为 n= =10.5% 5分 9950

3 5 2 c b b c 1 2 1 ( ) ( )( ) 2 3 1 ( ) ( )( ) 9.5 10 J 2 2 ab ab ab V b a a b b a b b a a a b b a M Q Q E A C T T P P V V PV PV P P V V 1 100 10.5% 950 A Q 5

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